Vertikales Halbleiterbauelement und Verfahren zur Erzeugung eines abrupten

Endpunktdetektionssignals bei der Herstellung eines derartigen vertikalen

Halbleiterbauelements

Stand der Technik

Die Erfindung betrifft ein vertikales Halbleiterbauelement und ein Verfahren zur Erzeugung eines abrupten Endpunktdetektionssignals bei der Herstellung eines derartigen Halbleiterbauelements.

Vertikale Halbleiterbauelemente auf der Basis von Galliumnitrid, die auf Siliziumsubstraten angeordnet sind, benötigen zur Anpassung des Gitterfehlpasses zwischen GaN und Si und zur Reduktion der Substratwölbung Bufferschichten. Dabei sind die Bufferschichten derart verspannt, dass sie die Verspannungen der GaN-Schichten kompensieren. Die Bufferschichten hindern den Stromfluß von der Vorderseite zur Rückseite des Halbleiterbauelements, da die Bufferschichten elektrisch isolierend sind. Um diese Isolierung zu verhindern, wird die nicht leitfähige Bufferschicht selektiv mit Hilfe eines Rückseitengrabens unterhalb des Halbleiterbauelements entfernt, sodass die Rückseite der Driftzone des Halbleiterbauelements mittels eines ohmschen Metall- Halbleiterkontakt zu einer unter der Driftzone befindlichen Halbleiterkontaktschicht kontaktiert werden kann.

Nachteilig ist hierbei, dass das Bestimmen des Zeitpunkts zu dem die nichtleitfähige Bufferschicht vollständig entfernt ist und das Ätzen der Halbleiterkontaktschicht beginnt schwierig zu ermitteln ist. Endet der Rückseitengraben aufgrund einer vorzeitigen Beendigung des Entfernungsprozesses innerhalb der Bufferschicht, so findet kein vertikaler Stromfluß statt. Endet der Rückseitengraben innerhalb der Driftschicht, so ist der On-Widerstand des Halbleiterbauelements zu hoch und die Durchbruchspannung des Halbleiterbauelements gering.

Die Aufgabe der Erfindung ist es, diesen Nachteil zu überwinden.

Offenbarung der Erfindung

Das vertikale Halbleiterbauelement umfasst ein Halbleitersubstrat, das eine Vorderseite und eine Rückseite aufweist, wobei die Vorderseite der Rückseite gegenüberliegt. Das Halbleitersubstrat weist erste chemische Elemente auf. Auf der Vorderseite des Halbleitersubstrats ist eine Bufferschicht angeordnet, die zweite chemische Elemente aufweist. Auf der Bufferschicht ist eine Halbleiterkontaktschicht angeordnet, wobei auf der Halbleiterkontaktschicht ein vertikales Halbleiterbauelement angeordnet ist. Erfindungsgemäß ist zwischen der Bufferschicht und der Halbleiterkontaktschicht eine Ätzkontrollschicht angeordnet. Die Ätzkontrollschicht weist mindestens ein drittes chemisches Element auf, das sich von den ersten chemischen Elementen und den zweiten chemischen Elementen unterscheidet. Mit anderen Worten das dritte chemische Element ist weder in der Bufferschicht noch im Halbleitersubstrat in nennenswerter Konzentration enthalten.

Der Vorteil ist hierbei, dass die Halbleiterkontaktschicht sehr dünn ausgestaltet werden kann, wobei der On-Widerstand des vertikalem Halbleiterbauelements niedrig ist. Zusätzlich ist die Gesamtdicke des Epitaxieschichtstapels gering, wodurch die Prozesskosten gering sind, da wenige Kompensationsschichten für mechanische Verspannungen erzeugt werden müssen.

In einer Ausbildung umfasst das dritte Element Germanium, Magnesium, Eisen oder Indium.

Vorteilhaft ist hierbei, dass diese Elemente einfach als Dotierelement mittels gängiger Percursorgase in einem epitaktischen Wachstumsprozess in die Ätzkonztrollschicht inkorporiert werden können, ohne dass dadurch die Kristallqualität der darüberliegenden Schichten reduziert wird. Der Vorteil bei der Verwendung von Germanium liegt darin, dass Germanium n-dotierend wirkt.

Das vertikale Halbleiterbauelement umfasst ein Halbleitersubstrat, das eine Vorderseite und eine Rückseite aufweist, wobei die Vorderseite der Rückseite gegenüberliegt und das Halbleitersubstrat umfasst erste chemische Elemente und ein weiteres chemisches Element mit einer ersten Hintergrundkonzentration. Auf der Vorderseite des Halbleitersubstrats ist eine Bufferschicht angeordnet, wobei die Bufferschicht zweite chemische Elemente und das weitere chemische Element mit einer zweiten Hintergrundkonzentration aufweist. Auf der Bufferschicht ist eine Halbleiterkontaktschicht angeordnet, wobei auf der Halbleiterkontaktschicht ein aktiver Bereich des vertikalen Halbleiterbauelements angeordnet ist. Erfindungsgemäß ist zwischen der Bufferschicht und der Halbleiterkontaktschicht eine Ätzkontrollschicht angeordnet. Die Ätzkontrollschicht umfasst das weitere chemische Element mit einer dritten Hintergrundkonzentration. Die dritte Hintergrundkonzentration ist größer als die erste Hintergrundkonzentration und die zweite Hintergrundkonzentration.

In einer Ausgestaltung ist das weitere chemische Element Kohlenstoff.

Vorteilhaft ist hierbei, dass die Kristallqualität nicht beeinträchtigt wird.

In einer Weiterbildung umfasst die dritte Hintergrundkonzentration einen Bereich zwischen 1E18 cm ^A -3 und 1E19 cm ^A -3.

Der Vorteil ist hierbei, dass hohe Kohlenstoffkonzentrationen leicht im epitaktischen Wachstum der Ätzkontrollschicht realisiert werden können.

In einer Weiterbildung weist die Ätzkontrollschicht eine Schichtdicke zwischen 20 nm und 200 nm auf.

Der Vorteil ist hierbei, dass bei einer solchen Schichtdicke das Erreichen sowie die Entfernung der Schicht während des Erzeugens des Rückseitengrabens leicht mittels gängiger Endpunktdetektionsverfahren erkannt werden kann. Gleichzeitig wird durch diese Wahl der Schichtdicke der Ätzkontrollschicht der zusätzliche Aufwand für das Wachsen der Ätzkontrollschicht gering.

In einer weiteren Ausgestaltung umfassen die ersten chemischen Elemente Silizium, Silizium und Bor, Silizium und Phosphor, Silizium und Arsen oder Silizium und Antimon und die zweiten chemischen Elemente Aluminium und Gallium und Stickstoff.

In einer weiteren Ausgestaltung weist das vertikale Halbleiterbauelement Galliumnitrid auf.

Der Vorteil ist hierbei, dass ein Halbleiterbauelement mit hoher Durchbruchspannung bei geringem spezifischen On-Widerstand und geringen Schaltverlusten realisiert werden kann.

In einer Ausgestaltung ist das vertikale Halbleiterbauelement eine Schottky- Diode, eine pn-Diode, ein vertikaler Diffusions-MOSFET, ein Planar-Gate MOSFET, ein Trench Gate MOSFET, ein Current- Apertu re Vertical Electron Transistor, ein vGroove HEMT oder ein Finnen-FET.

Das erfindungsgemäße Verfahren zur Erzeugung eines abrupten Endpunktdetektionssignals bei der Herstellung eines vertikalen Halbleiterbauelements, wobei das vertikale Halbleiterbauelement ein Halbleitersubstrat mit einer Vorderseite und einer Rückseite umfasst, wobei die Vorderseite der Rückseite gegenüberliegt und das Halbleitersubstrat erste chemische Elemente aufweist, eine Bufferschicht, die auf dem Halbleitersubstrat angeordnet ist, wobei die Bufferschicht zweite chemische Elemente aufweist, einef Halbleiterkontaktschicht und einen aktiven Bereich des vertikalen Halbleiterbauelements, umfasst das Erzeugen einer Ätzkontrollschicht, die zwischen der Bufferschicht und der Halbleiterkontaktschicht angeordnet ist, wobei die Ätzkontrollschicht ein drittes chemisches Element umfasst, das sich von den ersten chemischen Elementen und den zweiten chemischen Elementen unterscheidet. Des Weiteren umfasst das Verfahren das Erzeugen eines Rückseitengrabens mit Hilfe eines Ätzvorgangs, wobei sich der Rückseitengraben von der Rückseite des Halbleitersubstrats in Richtung der Halbleiterkontaktschicht erstreckt, das Erfassen eines abrupten Endpunktdetektionssignals mit Hilfe eines Endpunktdetektionssystems und das Beenden des Ätzvorgangs in Abhängigkeit des Endpunktdetektionssignals.

Der Vorteil ist hierbei, dass der Ätzvorgang gezielt am Übergang zur Halbleiterkontaktschicht gestoppt werden kann, da eine Detektion des Erreichens dieser Schicht mittels gängigen Endpunktdetektionsmethoden möglich ist.

Weitere Vorteile ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen bzw. den abhängigen Patentansprüchen.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend anhand bevorzugter Ausführungsformen und beigefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen:

Figur 1 ein vertikales Halbleiterbauelement aus dem Stand der Technik,

Figur 2 ein erfindungsgemäßes vertikales Halbleiterbauelement,

Figur 3 ein Verfahren zur Erzeugung eines abrupten Endpunktdetektionssignals bei der Herstellung eines erfindungsgemäßen vertikalen Halbleiterbauelements, und

Figur 4 einen beispielhaften ersten Signalverlauf eines Endpunktsignals und einen beispielhaften zweiten Signalverlauf des Enspunktsignals während eines Ätzvorgangs bei der Erzeugung eines Rückseitengrabens bei der Herstellung eines erfindungsgemäßen vertikalen Halbleiterbauelements.

Figur 1 zeigt ein vertikales Halbleiterbauelement 100 aus dem Stand der Technik. Das vertikale Halbleiterbauelement 100 umfasst ein Halbleitersubstrat 101, das eine Vorderseite und eine Rückseite aufweist, wobei die Vorderseite der Rückseite gegenüberliegt. Auf der Vorderseite ist eine Bufferschicht 102 angeordnet. Auf der Bufferschicht 102 ist eine Halbleiterkontaktschicht 104 angeordnet. Die Halbleiterkontaktschicht 104 ist hoch dotiert und n-leitfähig. Auf der Halbleiterkontaktschicht 104 ist ein aktiver Bereich des vertikalen Halbleiterbauelements angeordnet. Das vertikale Halbleiterbauelement ist hier beispielhaft eine Einheitszelle eines MOSFETs und weist GaN auf. Der aktive Bereich des vertikalen Halbleiterbauelements 100 umfasst eine Driftschicht 105, die auf der Halbleiterkontaktschicht 104 angeordnet ist. Die Driftschicht 105 ist niedrig dotiert und n-leitfähig. Auf der Driftschicht 105 ist eine Bodyschicht 106 angeordnet. Die Bodyschicht 106 ist p-leitfähig. Auf der Bodyschicht 106 sind Sourcekontaktbereiche 107, sowie die Sourceelektrode 110 angeordnet. Die Sourcekontaktbereiche 107 sind hoch dotiert und n-leitfähig. Auf den Sourcekontaktbereichen 107 ist ein Isolationsbereich 112 angeordnet. Ausgehend von den Isolationsbereichen 112 erstreckt sich ein Vorderseitengraben 108 in Richtung Rückseite und endet innerhalb der Driftschicht 105. Auf dem Vorderseitengraben 108 ist ein Gatedielektrikum 109 aufgebracht. Der Vorderseitengraben 108 ist mit der Gateelektrode 111 verfällt. Ausgehend von der Rückseite erstreckt sich ein Rückseitengraben 113 in Richtung Vorderseite. Auf der Rückseite ist eine Drainelektrode 114 angeordnet.

Während des Betriebs des vertikalen Halbleiterbauelements 100 wird in der Bodyschicht 106 durch Anlegen einer Gatespannung an die Gateelektrode 111 ein leitfähiger Kanal gebildet, sodass ein Strom zwischen der Sourceelektrode 110 und der Drainelektrode 114 fließt. Um einen niedrigen On-Widerstand des vertikalen Halbleiterbauelements 100 gewährleisten zu können, muss der Rückseitengraben 113 innerhalb der Kontakthalbleiterschicht 104 enden. Aufgrund der Prozesstoleranzen und der Prozesskontrolle beim Stopp der Ätzung, die zur bereichsweisen Entfernung der Bufferschicht 102 führt, muss die Dicke der Halbleiterkontaktschicht 104 sehr groß gewählt werden. Die Dicke umfasst beispielsweise einen Bereich zwischen 500 nm und 1 pm, insbesondere etwas mehr als 500 nm, beispielsweise größer als 500 nm.

Das Halbleitersubstrat 101 umfasst Silizium und die Bufferschicht 102 Gallium, Stickstoff und Aluminium. Die Halbleiterkontaktschicht 104 umfasst Gallium, Stickstoff und Silizium. Für ein Endpunktsignal können somit nur die Elemente Gallium, Aluminium, Stickstoff und Silizium vom Endpunktdetektionssystem erfasst werden. Da die Bufferschicht 102 und die Halbleiterkontaktschicht 104 dieselben chemischen Elemente aufweisen kann kein deutliches, abruptes Endpunktsignal erzeugt werden. Silizium ist zwar nicht in der Bufferschicht 102 vorhanden, jedoch erzeugt das Silizium aus dem Halbleitersubstrat 101 ein hohes Hintergrundsignal, sodass auch mit Hilfe dieses chemischen Elements kein abruptes Endpunktsignal erzeugt werden kann, wodurch die Halbleiterkontaktschicht 104 sehr dick gewählt werden muss, um eine Überätzung der Halbleiterkontaktschicht zu verhindern.

Figur 2 zeigt ein erfindungsgemäßes vertikales Halbleiterbauelement 200. Das vertikale Halbleiterbauelement 200 umfasst ein Halbleitersubstrat 201, das eine Vorderseite und eine Rückseite aufweist, wobei die Vorderseite der Rückseite gegenüberliegt. Das Halbleitersubstrat 201 weist erste chemische Elemente auf. Auf der Vorderseite ist eine Bufferschicht 202 angeordnet, die zweite chemische Elemente aufweist. Auf der Bufferschicht 202 ist eine Ätzkontrollschicht 203 angeordnet. Die Ätzkontrollschicht 203 weist mindestens ein drittes chemisches Element auf. Das dritte chemische Element unterscheidet sich von den ersten chemischen Elementen und den zweiten chemischen Elementen. Auf der Ätzkontrollschicht 203 ist eine Halbleiterkontaktschicht 204 angeordnet. Die Halbleiterkontaktschicht 204 ist hoch dotiert und n-leitfähig. Auf der Halbleiterkontaktschicht 204 ist ein aktiver Bereich des vertikalen Halbleiterbauelements angeordnet. Das vertikale Halbleiterbauelement 200 ist hier beispielhaft als eine Einheitszelle eines MOSFETs dargestellt und umfasst Galliumnitrid. Der aktive Bereich des vertikalen Halbleiterbauelements 200 weist eine Driftschicht 205 auf, die auf der Halbleiterkontaktschicht 204 angeordnet ist. Die Driftschicht 205 ist niedrig dotiert und n-leitfähig. Auf der Driftschicht 205 ist eine Bodyschicht 206 angeordnet. Die Bodyschicht 206 ist p-leitfähig. Auf der Bodyschicht 206 sind Sourcekontaktbereiche 207, sowie die Sourceelektrode 210 angeordnet. Die Sourcekontaktbereiche 207 sind hoch dotiert und n-leitfähig. Auf den Sourcekontaktbereichen 207 ist ein Isolationsbereich 212 angeordnet. Ausgehend von den Isolationsbereichen 212 erstreckt sich ein Vorderseitengraben 208 in Richtung Rückseite und endet innerhalb der Driftschicht 205. Auf dem Vorderseitengraben 208 ist ein Gatedielektrikum 209 aufgebracht. Der Vorderseitengraben 208 ist mit der Gateelektrode 211 verfüllt. Ausgehend von der Rückseite erstreckt sich ein Rückseitengraben 213 in Richtung Vorderseite. Auf der Rückseite ist eine Drainelektrode 214 angeordnet.

Das Halbleitersubstrat 201 umfasst erste chemische Elemente wie Silizium, Silizium und Bor, Silizium und Phosphor, Silizium und Arsen oder Silizium und Antimon. Die Bufferschicht 202 umfasst zweite chemische Elemente wie Aluminium, Gallium und Stickstoff kann aus mehreren Einzelschichten mit unterschiedlicher Stöchiometrie dieser zweiten Elemente bestehen. Die Ätzkontrollschicht 203 umfasst dotiertes Galliumnitrid. Die Ätzkontrollschicht 203 ist mit mindestens einem dritten chemisches Element dotiert, beispielsweise Germanium, Magnesium, Eisen, Indium oder Kohlenstoff. Vorzugsweise ist Germanium enthalten, da dieses zusätzlich n-dotierend wirkt, sodass selbst bei einer nicht vollständigen Entfernung der Ätzkontrollschicht 203 ein vertikaler Stromfluß von der Vorderseite zur Rückseite des vertikalen Halbleiterbauelements 200 möglich ist.

Die Ätzkontrollschicht 203 weist eine Schichtdicke zwischen 20 nm und 200 nm auf. Außerdem umfasst die Ätzkontrollschicht 203 bevorzugt die gleiche Gitterstruktur und eine ähnliche Gitterkonstante wie die Halbleiterkontaktschicht 204. Die Halbleiterkontaktschicht 204 umfasst siliziumdotiertes Galliumnitrid und weist eine Dotierstoffkonzentration größer als lel8 l/cm ^A 3 auf.

Zusätzlich können weitere Ätzkontrollschichten innerhalb der Bufferschicht 201 oder zwischen der Bufferschicht 201 und der Halbleiterkontaktschicht 204 eingefügt sein, um weitere Informationen über die Ätztiefe des Rückseitengrabens zu erhalten.

In einem weiteren Ausführungsbeispiel umfasst das Halbleitersubstrat 201 neben den ersten chemischen Elementen zusätzlich ein weiteres chemisches Element mit einer ersten Hintergrundkonzentration. Die Bufferschicht umfasst neben den zweiten chemischen Elementen zusätzlich das weitere chemische Element mit einer zweiten Hintergrundkonzentration. Die erste Hintergrundkonzentration und die zweite Hintergrundkonzentration können dabei gleich sein. Die Ätzkontrollschicht 203 weist das weitere chemische Element mit einer dritten Hintergrundkonzentration auf. Die dritte Hintergrundkonzentration ist höher als die erste Hintergrundkonzentration und die zweite Hintergrundkonzentration. Das weitere chemische Element ist Kohlenstoff. Kohlenstoff kommt prozessbedingt sowohl im Halbleitersubstrat 201 in geringfügiger Konzentration als auch in der Bufferschicht 202 in nennenswerter Konzentration vor, bei einer aluminiumhaltigen Bufferschicht 202 beispielsweise in einer Konzentration von ca. Iel7 l/cm ^A 3, und kann dort als Hintergrundelement angesehen werden. Der Kohlenstoff kann in der Ätzkontrollschicht 203 eine Konzentration von bis zu 1E19 l/cm ^A 3 aufweisen, wobei dies die Kristallqualität nicht verschlechtert. Aufgrund des Konzentrationsunterschieds des Kohlenstoffs in der Bufferschicht 202 und in der Ätzschicht 203 wird ein abruptes Endpunktsignal beim Erreichen der Halbleiterkontaktschicht 204 erzeugt.

Im Vergleich zum Stand der Technik in Figur 1 ist die hoch dotierte Halbleiterkontaktschicht 204 dünner ausgestaltet. Die Halbleiterkontaktschicht 204 weist eine Schichtdicke zwischen 100 nm und 500 nm auf. Das bedeutet der Sicherheitspuffer für eine trockenchemische Überätzung ist geringer.

Die Gesamtdicke eines GaN-Schichtenstapels auf Silizium ist technologisch begrenzt. Aufgrund der dünneren Halbleiterkontaktschicht 204 kann die Driftschicht 205 erhöht werden, sodass das vertikale Halbleiterbauelement 200 eine höhere Sperrspannung aufweisen kann.

Das vertikale Halbleiterbauelement 200 kann als Schottky- Diode, pn-Diode, vertikaler Diffusions-MOSFET, Planar Gate MOSFET, Trench Gate MOSFET, Current-Aperture Vertical Electron Transistor, vGroove HEMT oder Finnen-FET ausgestaltet sein. Dabei kann das vertikale Halbleiterbauelement 200 auch mehrere Einheitszellen eines Transistors über einem oder mehreren Rückseitengräben umfassen.

Das vertikale Halbleiterbauelement 200 findet Anwendung im elektrischen Antriebsstrang von Elektro- oder Hybridfahrzeugen, beispielsweise im DC/DC- Wandler oder Inverter, sowie in Fahrzeugladegeräten oder Invertern für Haushaltsgeräte.

Figur 3 zeigt ein erfindungsgemäßes Verfahren 300 zur Erzeugung eines abrupten Endpunktdetektionssignals bei der Herstellung eines erfindungsgemäßen vertikalen Halbleiterbauelements, wobei das vertikale Halbleiterbauelement ein Halbleitersubstrat, das eine Vorderseite und eine Rückseite aufweist, wobei die Vorderseite der Rückseite gegenüberliegt, und das Halbleitersubstrat erste chemische Elemente aufweist, eine Bufferschicht, die auf dem Halbleitersubstrat angeordnet ist und zweite chemische Elemente aufweist, eine Halbleiterkontaktschicht und einen aktiven Bereich des vertikalen Halbleiterbauelements umfasst. Das Verfahren 300 startet mit dem Schritt 310, in dem eine Ätzkontrollschicht auf der Bufferschicht erzeugt wird, wobei die Ätzkontrollschicht ein drittes Element aufweist, das sich von den ersten chemischen Elementen und den zweiten chemischen Elementen unterscheidet. Die Ätzkontrollschicht wird dabei epitaktisch erzeugt. In einem folgenden Schritt 320 wird ein Rückseitengraben mit Hilfe eines Ätzvorgangs erzeugt, wobei sich der Rückseitengraben ausgehend von der Rückseite des Halbleitersubstrats in Richtung der Halbleiterkontaktschicht erstreckt. In einem folgenden Schritt 330 wird das abrupte Endpunktsignal mit Hilfe eines Endpunktdetektionssystems erfasst. In einem folgenden Schritt 340 wird der Ätzvorgang in Abhängigkeit des Endpunktdetektionssignals beendet.

Figur 4 zeigt beispielshaft einen ersten Signalverlauf 401 eines Endpunktsignals einer optischen Emissionsspektroskopie, bei der das Signal einer Absorptionslinie einer gasförmigen Verbindung entstammt, die dritte chemische Element oder das weitere chemische Element umfasst, und einen zweiten Signalverlauf 402 einer Sekundärionenmassenspektrometrie, bei der das geätzte Element anhand seiner Masse nachgewiesen wird. Gezeigt ist ebenfalls der Ätzfortschritt in einer Querschnittsansicht des Halbleiterbauelements zu vier Zeitpunkten a, b, c und d. Eine trockenchemische Ätzung erfolgt beispielsweise mittels chlorhaltigen Gasen in einem kapazitiv oder induktiv gekoppelten Plasmaätzsystem. Eine trockenphysikalische Ätzung erfolgt beispielsweise mit Argonionenbeschuss. Zu Beginn der Ätzung und während der Ätzung der Bufferschicht zu den Zeitpunkten a und b bleiben die Endpunktsignale 401 und 402 konstant, da kein Material aus der Ätzkontrollschicht geätzt bzw. in die Gasphase gebracht wird. Die Ätzbedingungen müssen dabei so gewählt werden, dass sie zwischen GaN und AIN nicht selektiv sind. Sobald die Ätzkontrollschicht zum Zeitpunkt c erreicht wird, ändern sich die Endpunktsignale 401 und 402 abrupt. Zu diesem Zeitpunkt c können auch die Ätzprozesse bereits verändert werden, in dem Ätzbedingungen verändert werden, die zu einer langsameren, kontrollierten Ätzung führen, dem sogenannten soft-landing. Nach vollständigem Entfernen der Ätzkontrollschicht zum Zeitpunkt d kehren die Endpunktsignale 401 und 402 wieder auf ihre ursprünglichen bzw. nahezu ursprünglichen Werten zurück. Die tatsächlichen Signalverläufe der Endpunktdetektionssysteme können auch Ableitungen der Endpunktsignale verwenden. Relevant ist, dass durch die Ätzkontrollschicht ein deutliches, abruptes Endpunktsignal erzeugt wird, das die genaue Detektion des Zeitpunkt erlaubt zu dem die Halbleiterkontaktschicht erreicht wird.