以下、本発明を実施するための最良の形� ��について図面に基づいて詳細に説明する。

 図1は、本発明の色素増感太陽電池の一例 を表す断面模式図である。図1において、符� �1は透明基板、符号2は透明導電膜、符号3は� �孔質金属酸化物半導体層、符号4は増感色素� ��、符号5は電解質層、符号6は導電性高分子� �膜、符号7は導電性高分子薄膜6を担持する電 極基体、符号8は透明基板1と透明導電膜2とか らなる作用極電極基体、符号9は導電性高分� �電極(対向電極)をそれぞれ示す。

 図に示されたように、透明基板1とその上 に形成された透明導電膜2からなる作用極電� �基体8の表面に、多孔質金属酸化物半導体層3 が形成され、さらに該多孔質金属酸化物半導 体層3の表面には、増感色素が吸着された増� �色素層4が形成されている。そして、電解質� ��5を介して、電極基体7の表面に導電性高分� �薄膜6が形成された構造をした本発明の導電� ��高分子電極9が対向して設置されている。

 以下、本発明の色素増感太陽電池の各構� ��材料について、好適な形態を説明する。

[透明基板]
 作用極電極基体8を構成する透明基板1は、� �視光を透過するものが使用でき、透明なガ� �スが好適に利用できる。また、ガラス表面� �加工して入射光を散乱させるようにしたも� �、半透明なすりガラス状のものも使用でき� �。また、ガラスに限らず、光を透過するも� �であればプラスチック板やプラスチックフ� �ルム等も使用できる。

 透明基板1の厚さは、太陽電池の形状や使 用条件により異なるため特に限定はされない が、例えばガラスやプラスチックなどを用い た場合では、実使用時の耐久性を考慮して1mm ~1cm程度であり、フレキシブル性が必要とさ� �、プラスチックフィルムなどを使用した場� �は、1μm~1mm程度が好ましい。

[透明導電膜]
 透明導電膜2としては、可視光を透過して、 かつ導電性を有するものが使用でき、このよ うな材料としては、例えば金属酸化物が挙げ られる。特に限定はされないが、例えばフッ 素をドープした酸化スズ(以下、「FTO」と略� �する。)や、酸化インジウム、酸化スズと酸� ��インジウムの混合体(以下、「ITO」と略記す る。)、酸化亜鉛などを好適に用いることが� �きる。また、分散させるなどの処理により� �視光が透過すれば、不透明な導電性材料を� �いることもできる。このような材料として� �炭素材料や金属が挙げられる。炭素材料と� �ては、特に限定はされないが、例えば黒鉛(� ��ラファイト)、カーボンブラック、グラッシ ーカーボン、カーボンナノチューブやフラー レンなどが挙げられる。また、金属としては 、特に限定はされないが、例えば白金、金、 銀、ルテニウム、銅、アルミニウム、ニッケ ル、コバルト、クロム、鉄、モリブデン、チ タン、タンタル、およびそれらの合金などが 挙げられる。

 従って、透明導電膜2は、上述の導電性材 料のうち少なくとも1種類以上からなる導電� �料の膜を、透明基板1の表面に設けて形成す� ��ことができる。あるいは透明基板1を構成す る材料の中へ上記導電性材料を組み込んで、 透明基板と透明導電膜を一体化して作用極電 極基体8とすることも可能である。

 透明基板1上に透明導電膜2を形成する方� �として、金属酸化物を使用する場合は、ゾ� �ゲル法などの液層法や、スパッタやCVDなど� �気相法、分散ペーストのコーティングなど� �ある。また、不透明な導電性材料を使用す� �場合は、紛体などを、透明なバインダーな� �とともに固着させる方法が挙げられる。

 透明基板と透明導電膜を一体化させるに� ��、透明基板の成型時に導電性のフィラーと� ��て上記導電膜材料を混合させる方法などが� ��る。

 透明導電膜2の厚さは、用いる材料により 導電性が異なるため特には限定されないが、 一般的に使用されるFTO被膜付ガラスでは、0.0 1μm~5μmであり、好ましくは0.1μm~1μmである。� ��た、必要とされる導電性は、使用する電極� ��面積、太陽電池素子を流れる電流により異� ��り、電極面積が広い、素子を流れる電流が� ��きいほど低抵抗であることが求められるが� ��一般的に100ω/□以下、好ましくは10ω/□以� �、より好ましくは5ω/□以下である。

 透明基板及び透明導電膜から構成される� ��用極電極基体8、又は透明基板と透明導電膜 とを一体化した作用極電極基体8の厚さは、� �述のように太陽電池の形状や使用条件によ� �異なるため特に限定はされないが、一般的� �1μm~1cm程度である。

[多孔質金属酸化物半導体]
 多孔質金属酸化物半導体3の例としては、特 に限定はされないが、酸化チタン、酸化亜鉛 、酸化スズなどが挙げられ、特に二酸化チタ ン、さらにはアナターゼ型二酸化チタンが好 適である。また、電気抵抗値を下げるため、 金属酸化物の粒界は少ないことが望ましい。 また、増感色素をより多く吸着させるために 、当該半導体層は比表面積の大きなものが望 ましく、具体的には10~200m ² /gが望ましい。また、増感色素の光吸収量を� ��加させるため、使用する酸化物の粒径に幅� ��持たせて光を散乱させることが望ましい。

 このような多孔質金属酸化物半導体は、� ��知の方法で透明導電膜2上に設けることがで きる。例えば、ゾルゲル法や、分散体ペース トの塗布、また、電析や電着させる方法があ る。

 このような半導体層の厚さは、用いる酸� ��物により最適値が異なるため、特には限定� ��れないが、0.1μm~50μm、好ましくは5~30μmであ る。

[増感色素]
 増感色素層4としては、太陽光により励起さ れて前記金属酸化物半導体層3に電子注入で� �るものであればよく、一般的に色素増感型� �陽電池に用いられている色素を用いること� �できるが、素子光電変換効率を向上させる� �めには、その吸収スペクトルが太陽光スペ� �トルと広波長域で重なっていて、耐光性が� �いことが望ましい。特に限定はされないが� �ルテニウム錯体、特にルテニウムポリピリ� �ン系錯体が望ましく、さらに望ましいのは� �Ru(L)2(X)2で表されるルテニウム錯体が望まし� ��。ここでLは4,4’-ジカルボキシ-2,2’-ビピリ ジン、もしくはその4級アンモニウム塩、お� �びカルボキシル基が導入されたポリピリジ� �系配位子であり、また、XはSCN、Cl、CNである 。例えばビス(4,4’-ジカルボキシ-2,2’-ビピ� �ジン)ジイソチオシアネートルテニウム錯体� ��どが挙げられる。他の色素としては、ルテ� ��ウム以外の金属錯体色素、例えば鉄錯体、� ��錯体、オスミニウム錯体などが挙げられる� ��さらに、シアン系色素、ポルフィリン系色� ��、ポリエン系色素、クマリン系色素、シア� ��ン系色素、スクアリン酸系色素、スチリル� ��色素、エオシン系色素、インドリン系色素� ��どの有機色素が挙げられる。これらの色素� ��は、該金属酸化物半導体層への電子注入効� ��を向上させるため、該金属酸化物半導体層� ��の結合基を有していることが望ましい。該� ��合基としては、特に限定はされないが、カ� ��ボキシル基、スルホン酸基、ヒドロキシル� ��などが望ましい。

 色素を溶解するために用いる溶媒の例とし� ��は、エタノールなどのアルコール類、アセ� ��ニトリルなどの窒素化合物、アセトンなど� ��ケトン類、ジエチルエーテルなどのエーテ� ��類、クロロホルムなどのハロゲン化脂肪族� ��化水素、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素,ベ ンゼンなどの芳香族炭化水素、酢酸エチルな どのエステル類などが上げられる。溶液中の 色素濃度は,使用する色素及び溶媒の種類に� �り適宜調整することができ、半導体表面に� �分吸着させるためには、ある程度高濃度で� �る方が望ましい。例えば、4×10 ^-5 mol/L以上の濃度が望ましい。

 多孔質金属酸化物半導体3へ増感色素4を� �着させる方法は、特には限定されるもので� �なく、一例としては、室温条件、大気圧下� �おいて、色素を溶解させた溶液中に前記多� �質金属酸化物半導体3を形成させた電極基体� ��浸漬する方法が挙げられる。浸漬時間は使� ��する半導体、色素、溶媒の種類、色素の濃� ��により、半導体層に均一に色素の単分子膜� ��形成されるよう、適宜調節することが好ま� ��い。なお、吸着を効果的に行うには加熱下� ��の浸漬を行えばよい。

[電解質層]
 電解質層5は、支持電解質と、酸化された増 感色素を還元することのできる酸化還元対、 およびそれらを溶解させる溶媒からなる。電 解質層5を構成する酸化還元対としては、一� �に電池や太陽電池などにおいて使用するこ� �の出来るものであれば特に限定されるもの� �はなく、例えば、ハロゲン二原子分子とハ� �ゲン化物塩との組み合わせ、チオシアン酸� �ニオンとチオシアン酸二分子の組み合わせ� �ポリピリジルコバルト錯体やハイドロキノ� �などの有機レドックスが挙げられる。この� �では特にヨウ素分子とヨウ化物との組み合� �せが好適である。酸化還元体の濃度は通常0. 1~10mol/Lであり、より好ましくは0.1~5mol/Lであ� �。

 電解質に用いる溶媒としては、酸化還元� ��を溶解できる化合物であれば特に制限はな� ��、非水性有機溶媒、常温溶融塩、水やプロ� ��ン性有機溶媒などから任意に選択できる。� ��えば有機溶媒として、アセトニトリル、メ� ��キシアセトニトリル、バレロニトリル、3-� �トキシプロピオニトリルなどのニトリル化� �物、γ-ブチルラクトンやバレロラクトンな� �のラクトン化合物、エチレンカーボネート� �プロピレンカーボネートなどのカーボネー� �化合物、ジオキサンやジエチルエーテル、� �チレングリコールジアルキルエーテルなど� �エーテル類、メタノール、エタノール等の� �ルコール類、さらにはジメチルホルムアミ� �やイミダゾール類などが挙げられ、中でも� �セトニトリル、バレロニトリル、メトキシ� �ロピオニトリル、プロピレンカーボネート� �γ-ブチルラクトンなどを好適に用いること� �できる。なお、これらはそれぞれ単独で、� �は2種以上混合して用いることが出来る。

 また、上記溶媒としては、イオン液体、� ��なわち溶融塩を使用することも出来る。イ� ��ン液体としては、「Inorg.Chem」1996,35,p1168-1178 ,「Electrochemistry」2002,2,p130-136、特表平9-507334� �公報、特開平8-259543号公報などに開示されて いる公知の電池や太陽電池などにおいて、一 般的に使用することが出来るものであれば特 に限定なく使用できるが、室温(25℃)より低� �融点を有する塩か、または室温よりも高い� �点を有しても、他の溶融塩や溶融塩以外の� �加物を溶解させることにより室温で液状化� �る塩が好ましく用いられる。

 具体的には、溶融塩のカチオンとしては� ��アンモニウム、イミダゾリウム、オキサゾ� ��ウム、チアゾリウム、オキサジアゾリウム� ��トリアゾリウム、ピロリジニウム、ピリジ� ��ウム、ピペリジニウム、ピラゾリウム、ピ� ��ミジニウム、ピラジニウム、トリアジニウ� ��、ホスホニウム、スルホニウム、カルバゾ� ��ウム、インドリウム及びこれらの誘導体が� ��ましく、特にアンモニウム、イミダゾリウ� ��、ピリジニウム、ピペリジニウム、ピラゾ� ��ウム、スルホニウムが好適である。

 また、溶融塩のアニオンとしては、AlCl ₄ ^- ,Al ₂ Cl ₇ ^- などの金属塩化物、PF ₆ ^- ,BF ₄ ^- ,CF ₃ SO ₃ ^- ,N(CF ₃ SO ₂ ) ₂ ^- ,N(F ₂ SO ₂ ) ₂ ^- ,F(HF)n ^- ,CF ₃ COO ^- などのフッ素含有物、NO ₃ ^- ,CH ₃ COO ^- ,C ₆ H ₁₁ COO ^- ,CH ₃ OSO ₃ ^- ,CH ₃ OS ₂ ^- ,CH ₃ SO ₃ ^- ,CH ₃ SO ₂ ^- ,(CH ₃ O) ₂ PO ₂ ^- ,SCN ^- ,N(CN) ₂ ^- ,B(CN) ₄ ^- などの非フッ素化合物、ヨウ素、臭素などの ハロゲン化物などが挙げられる。

 電解質層にはさらに支持電解質として、� ��チウム塩やイミダゾリウム塩、4級アンモニ ウム塩など、添加剤として、t-ブチルピリジ� ��、n-メチルベンズイミダゾールなどの塩基� �グアニジンチオシアネート等のチオシアネ� �ト類、水等を添加することが出来る。これ� �の添加剤濃度は、それぞれ用いる溶媒、半� �体電極及び色素などにより最適な濃度が異� �るため、特には限定されないが、1mmol/L~5mol/L 程度が好適である。

[導電性高分子電極-電極基体]
 導電性高分子電極(対向電極)9は、電極基体7 の表面に導電性高分子薄膜6が形成された構� �を有する。

 電極基体7は、導電性高分子電極の支持体 兼集電体として用いる場合、少なくとも導電 性高分子薄膜を形成させる電極基体表面部分 は導電性を有していなければならない。

 このような材質としては、例えば導電性� ��有する金属や金属酸化物、炭素材料や導電� ��高分子などが好適に用いられる。金属とし� ��は、例えば白金、金、銀、ルテニウム、銅� ��アルミニウム、ニッケル、コバルト、クロ� ��、鉄、モリブデン、チタン、タンタル、お� ��びそれらの合金などが挙げられる。炭素材� ��としては、特に限定はされないが、例えば� ��鉛(グラファイト)、カーボンブラック、グ� �ッシーカーボン、カーボンナノチューブ、� �ラーレンなどが挙げられる。また、FTO、ITO� �酸化インジウム、酸化亜鉛などの金属酸化� �を用いた場合、透明または半透明であるた� �増感色素層への入射光量を増加させること� �でき、好適に用いることができる。

 また、少なくとも該電極基体の表面が導� ��性を有するように処理すれば、例えばガラ� ��やプラスチックなどの絶縁体を用いても構� ��ない。このような絶縁体に導電性を保持さ� ��る処理方法としては、上記の導電性材料に� ��、該絶縁性材料表面の一部もしくは全面を� ��覆する方法、例えば金属を用いる場合、メ� ��キや電析などの溶液法、また、スパッタ法� ��真空蒸着等の気相法が挙げられ、金属酸化� ��を用いる場合はゾルゲル法などが用いるこ� ��ができる。また、上記導電性材料の粉末な� ��を一種もしくは複数用いて絶縁性材料と混� ��させるなどの方法が挙げられる。

 上記導電性材料として導電性高分子を用� ��る場合、該基体上に後述の導電性高分子を� ��述する塗布法により形成して、化学重合な� ��により設けることで導電性高分子薄膜層を� ��成することもできる。その場合、該導電性� ��分子薄膜層が単独で集電体と触媒との双方� ��機能を果たすことになる。

 電極基体7の形状は、導電性高分子電極と して用いる色素増感太陽電池の形状に応じて 変更することができるため特には限定されず 、板状としてもフィルム状で湾曲できるもの でも良い。さらに、該電極基体は透明でも不 透明でも良いが、増感色素層への入射光量を 増加させることができるため、また、場合に よっては意匠性が向上できるため透明または 半透明であることが望ましい。電極基体とし て、一般的には、FTO被膜付ガラスやITO膜付PET フィルム、ITO膜付きPENフィルムが用いられて いるが、用いる材料により導電性が異なるた め、電極基体上の導電性皮膜の厚さについて は特に限定されない。例としては、FTO被膜付 ガラスでは、0.01μm~5μmであり、好ましくは0.1 μm~1μmである。また、必要とされる導電性は� ��使用する電極の面積、太陽電池素子を流れ� ��電流により異なり、電極面積が広い、素子� ��流れる電流が大きいほど低抵抗であること� ��求められるが、一般的に100ω/□以下、好ま� ��くは10ω/□以下、より好ましくは5ω/□以下� ��ある。

 電極基体7の厚さは、上述のように太陽電 池の形状や使用条件により異なるため特に限 定はされないが、一般的に1μm~1cm程度である� ��

[導電性高分子電極-導電性高分子薄膜]
 本発明の導電性高分子電極(触媒電極)にお� �る導電性高分子薄膜6は、電解質層中に含ま� ��る酸化還元対の酸化体を還元する触媒とし� ��機能する。

 そのような導電性高分子物質を形成する� ��ノマーとしては、特に限定されず既知の物� ��を使用することができるが、電子移動反応� ��効率良く行なえるように多孔質状態で形成� ��ることが望ましい。

 使用するモノマーは1種単独でも2種以上� �組み合わせて使用してもよい。

 使用するモノマーの具体例として、下記� ��般式(2)で示されるチオフェン化合物が挙げ� ��れる。

(式(2)中、R ² 、R ³ は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数1~8 のアルキル基又はアルコキシ基、炭素原子数 6~12のアリール基、シアノ基、チオシアノ基� �ハロゲン基、ニトロ基、アミノ基、カルボ� �シル基、スルホ基、又はホスホニウム基を� �し、R ² とR ³ は連結して環を形成していてもよい。)

 中でも、チオフェン、テトラデシルチオ� ��ェン、イソチアナフテン、3-フェニルチオ� �ェン、3,4-エチレンジオキシチオフェンなど� ��好ましく使用でき、特に3,4-エチレンジオキ シチオフェンを好ましく使用することができ る。

 チオフェン化合物を1種又は2種以上用い� �導電性高分子薄膜を形成してもよい。

 導電性高分子薄膜を形成するのに用いるモ� ��マーは、重合した膜としての電導度が10 ^-9 S/cm以上を示すものが好ましく、1S/cm以上を示 すものがさらに好ましく、400S/cm以上を示す� �のが特に好ましい。

 また、導電性高分子薄膜には、電導度を� ��上させるためにドーパントを添加すること� ��できる。このドーパントとしては、特に限� ��はされず、公知の材料が使用できる。ドー� ��ントの具体例として、ヨウ素、臭素、塩素� ��のハロゲンアニオン、ヘキサフロロリン、� ��キサフロロヒ素、ヘキサフロロアンチモン� ��テトラフロロホウ素、過塩素酸等のハロゲ� ��化物アニオン、メタンスルホン酸、ドデシ� ��スルホン酸等のアルキル基置換有機スルホ� ��酸アニオン、カンファースルホン酸等の環� ��スルホン酸アニオン、ベンゼンスルホン酸� ��p-トルエンスルホン酸、o-トルエンスルホン 酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ベンゼン ジスルホン酸等のアルキル基置換または無置 換のベンゼンモノまたはジスルホン酸アニオ ン、2-ナフタレンスルホン酸、1,7-ナフタレン ジスルホン酸等のスルホン酸基1~3を置換させ たナフタレンスルホン酸のアルキル基置換ま たは無置換アニオン、アントラセンスルホン 酸、アントラキノンスルホン酸、アルキルビ フェニルスルホン酸、ビフェニルジスルホン 酸等のアルキル基置換または無置換のビフェ ニルスルホン酸イオン、置換または無置換の 芳香族スルホン酸アニオン、ビスサルチレー トホウ素、ビスカテコレートホウ素等のホウ 素化合物アニオン、あるいはモリブドリン酸 等が挙げられる。中でも、p-トルエンスルホ� ��酸、o-トルエンスルホン酸,ドデシルベンゼ� ��スルホン酸などを好ましく使用することが� ��きる。なお、ドーパントは1種あるいは2種� �上を組み合わせて使用することができる。

 また、ドーパントの脱離を抑制するため� ��無機アニオンよりも有機酸アニオンである� ��とが望ましく、熱分解などが起きにくいこ� ��が望ましい。

 導電性高分子薄膜におけるドーパントの� ��用量は、使用するドーパント種により最適� ��が異なるため特に限定されないが、好まし� ��は5~60質量%、さらに好ましくは10~45質量%で� �る。

 このようなドーパントは導電性高分子薄� ��を形成させる際に、導電性高分子のモノマ� ��と共存させておくことができる。

[導電性高分子電極膜-導電性高分子薄膜の形� ��]
 本発明では、電極基体7上に、導電性高分子 のモノマーを含む溶液を塗布したのち、酸化 重合すること(その場重合法)により導電性高� ��子薄膜6を形成する。酸化重合法は、酸化剤 を用いてモノマーを化学的に酸化して重合さ せる化学重合法である。

 酸化重合法に用いられる酸化剤としては� ��ヨウ素、臭素、ヨウ化臭素、二酸化塩素、� ��ウ素酸、過ヨウ素酸、亜塩素酸等のハロゲ� ��化物、五フッ化アンチモン、五塩化リン、� ��フッ化リン、塩化アルミニウム、塩化モリ� ��デン等の金属ハロゲン化物、過マンガン酸� ��、重クロム酸塩、無水クロム酸、第二鉄塩� ��第二銅塩等の高原子価金属塩、硫酸、硝酸� ��トリフルオロメタン硫酸等のプロトン酸、� ��酸化硫黄、二酸化窒素等の酸素化合物、過� ��化水素、過硫酸アンモニウム、過ホウ酸ナ� ��リウム等のペルオキソ酸またはその塩、あ� ��いはモリブドリン酸、タングストリン酸、� ��ングストモリブドリン酸等のヘテロポリ酸� ��たはその塩などがあり、これらの少なくと� ��1種を用いることができる。中でも、腐食性 が低い、形成される導電性高分子薄膜の導電 性が高いなどの点から、トリス-p-トルエンス ルホン酸鉄(III)などの高原子価金属塩を好ま� ��く使用することができる。

 上記の化学重合法は導電性モノマーを含� ��する溶液中で酸化剤と作用させると、得ら� ��る高分子は粒子状もしくは塊状の形態にな� ��てしまい、電極形状に成型することは困難� ��あるため、均一性の高い導電性高分子薄膜� ��極を作製する手法として、モノマーと酸化� ��を混ぜた溶液中に重合速度を軽減させる重� ��制御剤を加え、室温で重合が起こりにくい� ��件下で膜化した後、加熱反応させることで� ��孔質導電性高分子膜を作製する手法を用い� ��。本発明においては、重合制御剤として下� ��一般式(1)で表されるピロリドン化合物を使� ��する。

(式(1)中、R ¹ はアルキル基又はアリール基を示す。)

 上記ピロリドン化合物のなかでは特にN-� �チル-2-ピロリドンを好ましく使用すること� �できる。

 また、電極基体を芳香族化合物モノマー� ��しくは酸化剤+重合制御剤のどちらかを含む 溶液に浸漬するか、それらに該溶液を塗布し た後、続いてもう一方の成分を溶解させた溶 液に浸漬もしくは塗布後、上記電極基体表面 で加熱等により重合が進行するようにするこ とで、導電性高分子薄膜電極を形成させるこ ともできる。

 本発明における塗布方法としては、特に� ��定はされないが、生産性、製造コストの観� ��から印刷法等、溶液使用効率の高い塗布法� ��用いることが好ましい。

 上記の「溶液使用効率」とは、塗布におい� ��、塗布に用いる全体の溶液量(A)と、そこか� ��塗布工程において失われ製膜に利用できな� ��溶液量(B)を引いた量との割合である。すな� ��ち、溶液使用効率をE(%)とすると、
  E=[(A-B)/A]×100
になる。導電性高分子膜の作製法として頻繁 に用いられるスピンコート法は、この溶液使 用効率が10%以下であり、塗布工程における溶 液の損失が非常に多い。

 溶液使用効率が高い塗布法としては、印� ��法、スリットコーター法、バーコード法、� ��レード塗布法、エアナイフ塗布法、グラビ� ��塗布法、ロールコーティング塗布法、スプ� ��ー塗布法、ディップ塗布法などがあげられ� ��。なかでも、装置が安価、パターニングが� ��易という点において、印刷法が好ましい。� ��刷法には、スクリーン印刷、凸版印刷、凹� ��印刷、オフセット印刷、平板印刷、凸版反� ��オフセット印刷、グラビア印刷等、インク� ��ェット印刷、タンポン印刷、フレキソ印刷� ��挙げられ、その中でもスクリーン印刷が特� ��好ましい。

 本発明で上記塗布に用いる溶液において� ��溶液中の導電性高分子のモノマー濃度は1~10 重量%が好ましく、4~7重量%がより好ましい。1 0重量%を越えるか、1重量%未満であると、そ� �導電性高分子薄膜を用いて得られる色素増� �太陽電池の変換効率がやや低下する場合が� �る。

 本発明で上記塗布に用いる溶液において� ��溶液中の酸化剤濃度は10~70重量%が好ましく� ��特にスクリーン印刷法等、ある程度の溶液� ��度が必要な塗布法を用いる場合、上記酸化� ��濃度は40~60重量%であることが特に好ましい� ��

 前記モノマーと酸化剤、重合制御剤を溶� ��・混合させる溶媒については、用いる化合� ��を溶解し、電極基体および重合物を溶かさ� ��いものであれば特に制限はないが、例とし� ��メタノール、エタノール、プロパノール、� ��ルマルブタノールなどのアルコール類、水� ��どが挙げられ、その中でもノルマルブタノ� ��ルなどの高沸点、高粘度溶媒を好ましく使� ��することができる。

 前記モノマーと酸化剤、添加剤の混合比� ��、用いる化合物、目的とする重合度、重合� ��度により変化するが、混合比としては、モ� ��比でモノマー:酸化剤が1:0.3から1:10、酸化剤 :重合制御剤が1:0.05から1:4の間が好ましい。� �合比により変化するが、重合制御剤が少な� �ぎると室温での重合が早く進み、得られる� �膜の導電性は低下する傾向にある。また、� �合制御剤が多すぎると、加熱しても重合が� �まず、所望の導電性高分子薄膜が得られな� �。

 また、前記混合溶液を塗布した後加熱重� ��する場合の加熱条件は、用いるモノマー、� ��合触媒、添加剤の種類およびそれらの混合� ��、濃度、塗布膜厚などにより異なるが、好� ��な条件としては空気中加熱で加熱温度が25� �から120℃、加熱時間が1分から12時間の間で� �る。

 本発明の導電性高分子電極における導電� ��高分子薄膜の厚さは、使用用途や用いるモ� ��マーにより最適値が異なるため限定はされ� ��いが、性能・コスト面を考慮すると、10nm~2� �mが好ましく、特に100nm~1μmが好ましい。

 こうして、電極基体7の上に導電性高分子 薄膜6を形成させて、導電性高分子電極9が得� ��れる。

 以上説明したような各構成要素材料を準� ��した後、従来公知の方法で金属酸化物半導� ��電極と導電性高分子電極とを電解質を介し� ��対向させるように組み上げ、色素増感太陽� ��池を完成させる。