以下、本発明の実施形態を図面を用いて� ��明する。

 図1は、実施形態の1つにおけるプラズマ� �ィスプレイパネル(以下、PDPとも称する)の要 部を示している。図中の矢印D1は、第1方向D1� ��示し、矢印D2は、第1方向D1に画像表示面に� �行な面内で直交する第2方向D2を示している� �PDP10は、画像表示面を構成する前面基板部12� ��、前面基板部12に対向する背面基板部14とに より構成されている。前面基板部12と背面基� ��部14の間(より詳細には、背面基板部14の凹� �)に放電空間DSが形成される。

 前面基板部12は、ガラス基材FS(第1基板)上 (図では下側)に第1方向D1に延在して形成され� ��X電極XE(第1電極、維持電極)およびY電極YE(第 2電極、走査電極)を有している。X電極XEは、X バス電極XbおよびX透明電極Xtにより構成され� ��Y電極YEは、Yバス電極YbおよびY透明電極Ytに� ��り構成され、X電極XEと対をなしている。X電 極XEおよびY電極YEで構成される電極対(より具 体的には、X透明電極XtおよびY透明電極Yt間)� �繰り返して放電(サステイン放電)を発生させ る。

 Xバス電極XbおよびYバス電極Ybは、ガラス� ��材FS上に第1方向D1に沿って平行に形成され� �第2方向D2に沿って交互に形成される。そし� �、Xバス電極Xbには、Xバス電極XbからYバス電� ��Ybに向けて第2方向D2に延在するX透明電極Xt� �接続されている。また、Yバス電極Ybには、Y� ��ス電極YbからXバス電極Xbに向けて第2方向D2� �延在するY透明電極Ytが接続されている。な� �、透明電極XtおよびYtは、それぞれが接続さ� ��るバス電極XbおよびYbとガラス基材FSとの間� ��全面に配置されてもよい。

 ここで、Xバス電極XbおよびYバス電極Ybは� ��金属材料等で形成された不透明な電極であ� ��、X透明電極XtおよびY透明電極Ytは、ITO膜等� ��形成された可視光を透過する透明電極であ� ��。なお、バス電極XbおよびYbと同じ材料(金� �材料等)で、バス電極XbおよびYbと一体の電極 が透明電極XtおよびYtの代わりに形成されて� �よい。

 電極Xb、Xt、Yb、Ytは、第1誘電体層DL1に覆� ��れている。すなわち、ガラス基材FS上(図で� ��下側)に、電極XE、YEを覆う誘電体層DL1が形� �される。例えば、誘電体層DL1は、電極XE(バ� �電極Xb、透明電極Xt)および電極YE(バス電極Yb� ��透明電極Yt)が形成されたガラス基材FSを焼� �し、その後、ガラス基材FSに誘電体スラリー (例えば、固体と液体との混合物による誘電� �材料)を塗布し、乾燥、サンドブラスト、焼� ��工程を経て形成される。なお、誘電体層DL1� ��、CVD法により形成された二酸化シリコン膜� ��の絶縁膜で形成されてもよい。

 誘電体層DL1上(図では下側)に、バス電極Xb 、Ybに直交する方向(第2方向D2)に延在する複� �のアドレス電極AEが形成される。このように 、この実施形態のPDPは、前面基板部12に3電極 (電極XE、YE、AE)を有している。例えば、アド� ��ス電極AEは、誘電体層DL1上に電極材料を塗� �、乾燥、焼成し、アドレス電極AEのパターン が形成されたフォトマスクを用い、露光、現 像、エッチング工程を経て形成される。

 例えば、アドレス電極AEは、光学濃度(Opti cal Density値(OD値))が高いバナジンリン酸ガラ� ��を金属粒子に混合した材料で形成され、黒� ��化されている。なお、アドレス電極AEは、Fe 、Mn、Co、Ru、Ni、Mo等の酸化物顔料を混合し� �ガラスを用いて、黒色化あるいは暗色化さ� �て形成されてもよい。黒色化されたアドレ� �電極AEは、入射される外光を吸収するため、 ブラックマトリックスとして機能する。この 結果、この実施形態では、画像のコントラス トを向上できる。

 アドレス電極AEおよび誘電体層DL1は、保� �層PLに覆われている。すなわち、誘電体層DL1 およびアドレス電極AE上(図では下側)に、保� �層PLが形成される。なお、保護層PLは、アド� ��ス電極AE上に位置する部分で、アドレス電� �AEの段差に合わせて湾曲する第1突出部PP1を� �して形成される。例えば、保護層PLは、放電 を発生しやすくするために、陽イオンの衝突 による2次電子の放出特性の高いMgO膜で形成� �れる。

 放電空間DSを介して前面基板部12に対向す る背面基板部14は、ガラス基材RS(第2基板)上� �、第1隔壁(バリアリブ)BR1および第2隔壁BR2に� ��り格子状に形成された隔壁を有している。� ��壁BR1は、アドレス電極AEに沿った第2方向D2� �延在して配置されている。換言すれば、ア� �レス電極AEは、隔壁BR1に沿って延在している 。また、隔壁BR2は、バス電極Xb、Ybに沿った� �1方向D1に延在して配置さている。隔壁BR1、BR 2により、セル(後述する図2に示す波線で囲ん だ領域)の側壁が構成される。

 例えば、隔壁BR1、BR2は、以下に示す工程� ��より、ガラス基材RSの放電空間DSが形成され る部分を直接食刻して形成される。先ず、洗 浄、乾燥工程が実施されたガラス基材RS上に� ��ドライフィルムレジスト等のフォトレジス� ��が設けられる。ガラス基材RS上に設けられ� �フォトレジストは、マスク等により露光現� �することにより、セルの位置および形状に� �応した所定のパターン(例えば、格子状の隔� ��パターン)に形成される。すなわち、ガラス 基材RS上に、フォトレジストにより格子状の� ��壁パターンが形成される。

 上述の露光工程は、露光光がガラス基材R Sの裏面(図の下側の面)で反射し、再びガラス 基材RSを通過してフォトレジストを誤って感� ��することを防止するために、ガラス基材RS� �黒色のステージ上に置いて実施される。あ� �いは、ガラス基材RSの裏面(図の下側の面)は� ��露光工程の前に、予め黒色に色付けされて� ��る。

 ガラス基材RSのうち、フォトレジスト(格� ��状の隔壁パターン)で覆われていない部分が 、サンドブラスト等により切削される。サン ドブラストでは、十分な切削力を有する高強 度なセラミックス材料(炭化ケイ素や酸化ア� �ミニウム等)の粉末が、切削材として用いら� ��る。なお、フォトレジストは、高強度なセ� ��ミックス材料の粉末を用いたサンドブラス� ��加工に対応するため、ガラス軟化点が高く� ��耐アルカリ性に優れた材料が用いられる。

 最後に、フォトレジストがエッチング除� ��され、隔壁BR1、BR2が形成される。このよう� ��、この実施形態では、ガラス基材RSを選択� �に除去して、ガラス基材RS上に格子状の隔壁 (隔壁BR1、BR2)が形成される。また、この実施� ��態では、隔壁BR1、BR2を形成するための焼成� ��程を必要としないため、PDPの製造コストを� ��減できる。多くの場合、この焼成工程の焼� ��炉は電気をエネルギーとしており、この焼� ��工程を無くすことは電気エネルギーの削減� ��もなる。また、ガラス基材RSを除去して隔� �を形成場合、ペースト状の隔壁材料等を用� �る必要がないため、廃材の削減にもなる。

 さらに、上述の工程により形成された隔� ��BR1、BR2の側面と、隔壁BR1、BR2に囲まれた部� ��のガラス基材RS上とに、紫外線により励起� �れて赤(R)、緑(G)、青(B)の可視光を発生する� �光体PHr、PHg、PHbが、それぞれ塗布される。� �下、可視光の色毎に区別しない場合等、蛍� �体PHr、PHg、PHbを、蛍光体PHとも称する。

 PDP10の1つの画素は、赤、緑および青の光� ��発生する3つのセルにより構成される。ここ で、1つのセル(一色の画素)は、後述する図2� �示すように、隔壁BR1、BR2で囲われる領域に� �成される。このように、PDP10は、画像を表示 するためにセルをマトリックス状に配置し、 かつ互いに異なる色の光を発生する複数種の セルを交互に配列して構成されている。特に 図示していないが、バス電極Xb、Ybに沿って� �成されたセルにより、表示ラインが構成さ� �る。

 PDP10は、前面基板部12および背面基板部14� ��、保護層PL(より詳細には、突出部PP1)と隔壁 BR1(あるいは隔壁BR2)が互いに接するように貼� ��合わせ、Ne、Xe等の放電ガスを放電空間DSに� ��入することで構成される。なお、放電ガス� ��放電空間DSに封入するための排気経路ERは、 互いに隣接する突出部PP1間に形成される。

 図2、図3および図4は、図1に示したPDP10の� ��要を示している。なお、図2は、画像表示面 側(図3の上側)から見たPDP10の状態を示してい� ��。また、図3は、図2に示したPDP10のA-A’線に 沿う断面を示し、図4は、図2に示したPDP10のB- B’線に沿う断面を示している。図2の網掛け� ��分は、ガラス基材RSの外周部OTおよび隔壁BR1 、BR2(隔壁BR1、BR2の形成領域BA)を示し、図2お� ��び図4の第2方向D2に沿った波線の矢印は、排 気経路ERを示している。また、上述したよう� ��、セルC1は、隔壁BR1、BR2で囲われる領域(図2 の破線で囲んだ領域)に形成される。

 図2に示すように、透明電極Xtは、各セルC 1内に配置され、バス電極Xbからバス電極Ybに� ��けて突出し、先端の幅が根本より広いT字形 状に形成されている。そして、透明電極Ytは� ��各セルC1内に配置され、バス電極Ybからバス 電極Xbに向けて突出し、先端の幅が根本よりT 字形状に形成されている。図の例では、透明 電極Xt、Ytは、第2方向D2に沿って対向してい� �。これにより、透明電極Xtと透明電極Yt間に� ��圧を印加することにより、アドレス放電に� ��り選択されたセルC1でサステイン放電を発� �させることができる。

 アドレス電極AEは、第2方向D2に配列され� �セルC1のグループ毎に設けられ、隔壁BR1に沿 って延在して配置されている。また、画像表 示面側から見た場合、アドレス電極AEは、一� ��が隔壁BR1から自身に対応するセルC1側(図で� ��、隔壁BR1の右側)にはみ出して配置されてい る。すなわち、アドレス電極AEは、自身に対� ��する一方のセルC1側に片寄って配置されて� �る。このため、アドレス電極AEと透明電極Yt� ��に電圧を印加することにより、着目するセ� ��C1でアドレス放電を発生させることができ� �。このとき、隔壁BR1も誘電体層の一部とし� �作用し、アドレス電極AEと透明電極Yt間の電� ��が放電空間DSに生ずる。なお、アドレス電� �AEは、全部が隔壁BR1上に配置されてもよいし 、全部が隔壁BR1より自身に対応するセルC1側� ��配置されてもよい。

 前面基板部12と背面基板部14とを貼り合わ せるための封着フリットSFは、ガラス基材RS� �外周部OTに額縁状に形成されている。例えば 、封着フリットSFは、セラミックスフィラー� ��含有しない低融点ガラスで形成され、前面� ��板部12と背面基板部14とを貼り合わせる。な お、封着フリットSFは、ガラスおよびセラミ� ��クスフィラーにより形成されてもよい。こ� ��場合、セラミックスフィラーは、最大粒子� ��がアドレス電極AEの厚さ(例えば、1μm~10μm)� �下のものが用いられる。

 ここで、ガラスおよびセラミックスフィ� ��ーにより形成される一般的な封着フリット� ��は、セラミックスフィラーの平均粒子経は� ��10μm~20μm程度である。例えば、アドレス電� �AEの厚さよりも大きな粒子経を有するセラミ ックスフィラーが混合されると、前面基板部 12と背面基板部14とを貼り合わせた後の封着� �リットの厚さは、アドレス電極AEの厚さより 大きくなる。この場合、アドレス電極AEの端� ��(PDP10と外部回路との接続部)の近辺等で前面 基板部12と背面基板部14とが完全に密着しな� �おそれがある。

 これに対し、この実施形態では、封着フ� ��ットSFにセラミックスフィラーが含有され� �ときでも、アドレス電極AEの厚さ以下の粒子 経を有するセラミックスフィラーが使用され る。これにより、この実施形態では、前面基 板部12と背面基板部14とを貼り合わせた後の� �着フリットの厚さがアドレス電極AEの厚さよ り大きくなることを防止でき、前面基板部12� ��背面基板部14とを気密性よく貼り合わせる� �とができる。なお、この実施形態に適用さ� �るアドレス電極AEの厚さの範囲は、後述する 図5および図6で説明する。

 封着フリットSFと隔壁BR1、BR2の形成領域BA との間に形成された排気空間ESには、ガラス� ��材RSの外面(図3および図4の下側)まで貫通す� ��排気孔EHが設けられている。例えば、排気� �間ESは、サンドブラスト法等により、ガラス 基材RSを直接彫り込んで、額縁状に形成され� ��。なお、排気経路ERは、各セルC1(より詳細� �は各セルC1の放電空間DS)を通って第2方向D2に 沿って形成される。これにより、放電ガスは 、前面基板部12と背面基板部14とを貼り合わ� �た後に、排気孔EH、排気空間ES、および排気� ��路ERを介して各セルC1の放電空間DSに封入さ� ��る。

 図3に示すように、封着フリットSFは、前面� ��板部12および背面基板部14の間に設けられ、 前面基板部12と背面基板部14とを貼り合わせ� �いる。
すなわち、封着フリットSFは、前面基板部12� �よび背面基板部14間に設けられ、隔壁BR1、BR2 の形成領域BAより外側に額縁状に配置されて� ��る。また、アドレス電極AEは、一部が隔壁BR 1に対向する位置に設けられ、保護層PLは、ア ドレス電極AE部で盛り上がる突出部PP1が隔壁B R1に接して形成されている。

 なお、アドレス電極AEおよび突出部PP1は� �隔壁BR1を外して、隔壁BR1より自身に対応す� �セルC1側(図3では、右側)に設けられてもよい 。この場合にも、突出部PP1は、隔壁BR2により 支持されるため、排気経路ERを確保できる。� ��た、図3の例では、一番右側の隔壁BR1上には 、アドレス電極AEが配置されていないが、後� ��する図11に示すように、アドレス電極AEが配 置されていない隔壁BR1上に、ダミー電極DEが� ��置されてもよい。

 図4に示すように、排気経路ERは、両端に� ��成された排気空間ESの一方から他方まで、� �セルC1の放電空間DSを通って第2方向D2に沿っ� ��形成されている。なお、排気経路ERは、上� �した図3に示した互いに隣接する突出部PP1間� ��形成されている。すなわち、この実施形態� ��は、隔壁BR2と保護層PLとの間に設けられ、� �出部PP1を除いた部分に形成される第2方向D2� �沿う排気経路ESを有している。上述したよう に、突出部PP1がアドレス電極AEの段差に合わ� ��て湾曲して形成されるため、この実施形態� ��は、隔壁BR2と保護層PLとの間に設けられ、� �出部PP1を除いた部分に形成される第2方向D2� �沿う排気経路ESを、簡易に製造できる。すな わち、この実施形態では、放電空間に放電ガ ス等を封入するための排気経路ERを低コスト� ��設けることができる。

 図5は、図1に示したPDP10内部(放電空間DS)� �真空度と排気時間との関係の一例を示して� �る。なお、図5は、アドレス電極AEの厚さが� �0.5μm(図中のX印)、1μm(図中の三角形)、5μm(図 中の円形)および10μm(図中の四角形)の4種類の PDPを用いてそれぞれ測定された真空度と排気 時間との関係を示している。そして、図の横 軸は排気時間(単位は分(min))を示し、縦軸は� �PDP10内部の気圧(単位はヘクトパスカル(Pa))を 示している。排気時間は、真空引きを開始し てからの経過時間である。以下に、本データ を測定したときの条件を示す。

 上述した封着フリットが塗布されたガラ� ��基材RSの仮焼きの温度は、480℃である。こ� �ときに用いた封着フリットは、日本電気硝� �製の無鉛ガラスペーストである。給排気用� �管(P管)が取り付けされた仮焼き後のガラス� �材RSと、保護層PLまで形成されたガラス基材F Sとを貼り合わせるときの焼成は、最高温度� �450℃に保持して実施される。真空引き(真空� ��気)は、最高温度が450℃に保持されてから30� ��後に実施される。そして、PDP10の中央に取� �付けられた真空計(シュルツゲージ)によって 、PDP10内部(放電空間DS)の真空度が測定される 。図5に示したデータは、42型PDPのサンプルを 用いて、封着と排気とを同時に進行するプロ セスにより、PDPの真空度を測定した結果であ る。

 図に示すように、アドレス電極AEの厚さが10 μmのPDPが、所定の真空度(例えば、10 ^-4 Pa)に最も早く到達し、次いで、アドレス電極 AEの厚さが5μm、1μmのPDPが所定の真空度(例え� ��、10 ^-4 Pa)に到達している。例えば、真空度が10 ^-4 Pa以下になる排気時間は、アドレス電極AEの� �さが10μmのPDPで約30分、アドレス電極AEの厚� �が5μmのPDPで約35分、アドレス電極AEの厚さが 1μmのPDPで約45分である。

 一方、アドレス電極の厚さが0.5μmのPDPでは� ��200分の排気時間が経過した後でも、2×10 ^-4 Paの真空度であり、所定の真空度に到達しな� ��った。また、排気時間が約60分経過した後� �真空度の変化は、アドレス電極AEの厚さが0.5 μm、1μm、5μmおよび10μmの4種類のPDPとも少な� ��。このため、例えば、排気時間を60分に固� �したときのPDPの真空度と、アドレス電極AEの 厚さとの関係は、排気経路を確保するための アドレス電極AEの厚さの下限の判断材料の1つ になる。

 図6は、排気時間を60分に固定したときのPDP� ��真空度と、アドレス電極AEの厚さとの関係� �一例を示している。図の横軸はアドレス電� �AEの厚さ(単位はμm)を示し、縦軸は各PDP10内� �の気圧(単位はPa)を示している。なお、真空� ��の測定条件は、上述した図5と同じである。 この実施形態では、PDPの真空度が真空度が10 ^-4 Pa以下(排気時間60分)を適切と判断している。

 アドレス電極AEの厚さが1μm以上のPDPでは、� ��ドレス電極AEの厚さが大きくなるに従い60分 後の真空度が高くなる(気圧が低くなる)が、� ��れぞれのPDPの真空度に大きな違いはない。� ��方、アドレス電極AEの厚さが1μm以下のPDPで� ��、アドレス電極AEの厚さが薄くなるに従い60 分後の真空度が急激に低くなる(気圧が高く� �る)。図に示すように、アドレス電極AEの厚� �が0.9μm以上のPDPでは、60分の真空引きにより 、PDPの真空度は、10 ^-4 Pa以下の気圧になる。しかし、アドレス電極A Eの厚さが0.8μm以下のPDPでは、60分の真空引き でも、PDPの真空度は、10 ^-4 Pa以下の気圧にならない。

 この結果、少なくとも、アドレス電極AE� �厚さが1μm以上10μm以下のPDPでは、上述した� �1-図4に示したアドレス電極AEの段差を利用し て設けられた排気経路ERは、真空排気のため� ��排気パスとして機能する。すなわち、この� ��施形態では、アドレス電極AEの厚さを1μm以� ��10μm以下にすることにより、放電空間に放� �ガス等を封入するための排気経路ERを確実に 設けることができる。

 図7は、図1に示したPDP10を用いて構成され たプラズマディスプレイ装置の一例を示して いる。プラズマディスプレイ装置(以下、PDP� �置とも称する)は、PDP10、PDP10の画像表示面16� ��(光の出力側)に設けられる光学フィルタ20、 PDP10の画像表示面16側に配置された前筐体30、 PDP10の背面18側に配置された後筐体40およびベ ースシャーシ50、ベースシャーシ50の後筐体40 側に取り付けられ、PDP10を駆動するための回� ��部60、およびPDP10をベースシャーシ50に貼り� ��けるための両面接着シート70を有している� �回路部60は、複数の部品で構成されるため、 図では、破線の箱で示している。光学フィル タ20は、前筐体30の開口部32に取り付けられる 保護ガラス(図示せず)に貼付される。なお、� ��学フィルタ20は、電磁波を遮蔽する機能を� �してもよい。また、光学フィルタ20は、保護 ガラスではなく、PDP10の画像表示面16側に直� �貼付されてもよい。

 図8は、図1に示したPDP10を駆動するための 回路部60の概要を示している。回路部60は、� �ス電極Xbに共通のパルスを印加するXドライ� �XDRV、バス電極Ybに選択的にパルスを印加す� �YドライバYDRV、アドレス電極AEに選択的にパ� ��スを印加するアドレスドライバADRV、ドライ バXDRV、YDRV、ADRVの動作を制御する制御部CNTお よび電源部PWRを有している。ドライバXDRV、YD RV、ADRVは、PDP10を駆動する駆動部として動作� ��る。電源部PWRは、ドライバYDRV、XDRV、ADRVに� ��給する電源電圧Vsc、Vs/2、-Vs/2、Vsa等を生成� ��る。

 制御部CNTは、画像データR0-7、G0-7、B0-7に� ��づいて使用するサブフィールドを選択し、� ��ライバYDRV、XDRV、ADRVに制御信号YCNT、XCNT、AC NTを出力する。ここで、サブフィールドは、P DP10の1画面を表示するための1フィールドが分 割されたフィールドであり、サブフィールド 毎にサステイン放電の回数が設定されている 。そして、画素を構成するセルC1毎に、使用� ��るサブフィールドを選択することにより、� ��階調の画像が表示される。

 以上、この実施形態では、保護層PLは、� �ドレス電極AEの段差に合わせて湾曲して形成 された突出部PP1を有し、隔壁BR1、BR2の少なく とも一方に接して設けられている。すなわち 、保護層PLのうち、突出部PP1を除く部分は、� ��壁BR2から離れている。この突出部PP1を除く� ��分と隔壁BR2との間に形成された隙間は、第2 方向D2に沿う排気経路ERとして機能する。特� �、アドレス電極AEの厚さを1μm以上10μm以下に することにより、放電空間に放電ガス等を封 入するための排気経路ERを確実に設けること� ��できる。すなわち、この実施形態では、放� ��空間に放電ガス等を封入するための排気経� ��ERを低コストで設けることができる。

 図9は、別の実施形態におけるPDP10の要部� ��示している。この実施形態では、上述した� ��1に示した構成に第2誘電体層DL2が追加され� �構成されている。その他の構成は、図1-図4� �同じである。図1-図4で説明した要素と同一� �要素については、同一の符号を付し、これ� �については、詳細な説明を省略する。また� �この実施形態のPDP10を用いたPDP装置は、図7� �よび図8と同じである。

 第2誘電体層DL2は、保護層PLが形成される� ��に、誘電体層DL1およびアドレス電極AE上(図� ��は下側)に設けられ、アドレス電極AE上に位� ��する部分で、アドレス電極AEの段差に合わ� �て湾曲する第2突出部PP2を有して形成される� ��例えば、誘電体層DL2は、CVD法により形成さ� ��た二酸化シリコン膜等の絶縁膜で形成され� ��。

 誘電体層DL2上に、突出部PP2に合わせて湾� ��する突出部PP1を有する保護層PLが形成され� �。すなわち、誘電体層DL2は、誘電体層DL1お� �びアドレス電極AEと保護層PLとの間に設けら� ��、アドレス電極AE上に位置する部分で、ア� �レス電極AEの段差に合わせて突出部PP1ととも に湾曲する突出部PP2を有している。したがっ て、排気経路ERは、互いに隣接する突出部PP1� ��に形成される。以上、この実施形態におい� ��も、上述した図1-図8で説明した実施形態と� ��様の効果を得ることができる。

 図10および図11は、別の実施形態における PDP10の要部を示している。なお、図10は、画� �表示面側(図11の上側)から見た状態を示し、� ��11は、図10に示したPDP10のA-A’線に沿う断面� ��示している。この実施形態では、上述した� ��2に示した構成にダミー電極DEが追加されて� ��成されている。その他の構成は、図1-図4と� ��じである。図1-図4で説明した要素と同一の� ��素については、同一の符号を付し、これ等� ��ついては、詳細な説明を省略する。また、� ��の実施形態のPDP10を用いたPDP装置は、図7お� ��び図8と同じである。なお、図10に示したPDP1 0のB-B’線に沿う断面は、図4と同じである。

 図10に示すように、隔壁BR1上には、アド� �ス電極AEおよびダミー電極DEのいずれかが配� ��されている。ここで、上述した図2で説明し たように、アドレス電極AEは、第2方向D2に配� ��されたセルC1のグループ毎に隔壁BR1に沿っ� �配置される。したがって、アドレス電極AEは 、第1方向D1に配列された隔壁BR1のうち、両側 に配置された隔壁BR1の一方の隔壁BR1(図10では 、一番右側の隔壁BR1)上には、配置されてい� �い。

 すなわち、ダミー電極DEは、アドレス電� �AEが配置されていない隔壁BR1(図10では、一番 右側の隔壁BR1)に沿って延在して配置されて� �る。例えば、ダミー電極DEは、アドレス電極 AEが形成されるときに、アドレス電極AEと同� �材料でアドレス電極AEと一緒に形成される。 また、ダミー電極DEは、透明電極Ytとの間で� �ドレス放電を発生させないため、駆動回路(� ��えば、上述した図8に示したアドレスドライ バADRV)に接続されず、例えば、接地されてい� ��。

 図11に示すように、ダミー電極DEは、誘電 体層DL1上(図では下側)に設けられ、一部が隔� ��BR1に対向して配置されている。保護層PLは� �突出部PP1と、ダミー電極DE上に位置する部分 で、ダミー電極DEの段差に合わせて湾曲する� ��出部PP1Aとを有して形成される。なお、保護 層PLの突出部PP1、PP1Aは、隔壁BR1にそれぞれ接 して形成されている。これにより、各セルC1� ��放電空間DSは、互いに同じ形状に形成され� �。また、PDP10は、上述した図9に示した構成� �ダミー電極DEが追加されて構成されてもよい 。以上、この実施形態においても、上述した 図1-図8で説明した実施形態と同様の効果を得 ることができる。

 なお、上述した実施形態では、1つの画素 が、3つのセル(赤(R)、緑(G)、青(B))により構成 される例について述べた。本発明はかかる実 施形態に限定されるものではない。例えば、 1つの画素を4つ以上のセルにより構成しても� ��い。あるいは、1つの画素が、赤(R)、緑(G)、 青(B)以外の色を発生するセルにより構成され てもよく、1つの画素が、赤(R)、緑(G)、青(B)� �外の色を発生するセルを含んでもよい。

 上述した実施形態では、排気空間ESが額� �状に形成される例について述べた。本発明� �かかる実施形態に限定されるものではない� �例えば、図12に示すように、排気空間ESは、� ��の字形状に形成されもよい。あるいは、排� ��空間ESは、第1方向D1に延在する部分(図12で� �、排気空間ESのうち、上側および下側の部分 の少なくとも一方)のみで形成されてもよい� �この場合にも、上述した実施形態と同様の� �果を得ることができる。

 図12および図13は、上述した図1に示した� �施形態の変形例におけるPDP10の要部を示して いる。なお、図12は、画像表示面側(図13の上� ��)から見た状態を示し、図13は、図12に示し� �PDP10のA-A’線に沿う断面を示している。この PDP10は、排気空間ESの形状が上述した図2に示� ��た構成と相違している。その他の構成は、� ��1-図4と同じである。図1-図4で説明した要素� ��同一の要素については、同一の符号を付し� ��これ等については、詳細な説明を省略する� ��また、この実施形態のPDP10を用いたPDP装置� �、図7および図8と同じである。なお、図12に� ��したPDP10のB-B’線に沿う断面は、図4と同じ� ��ある。

 図12の例では、排気空間ESは、上述した図 2に示した排気空間ESから第1方向D1に延在する 右側の排気空間ESが省かれたコの字形状に形� ��されている。また、第1方向D1に延在する外� ��部OTのうち、排気空間ESが形成されていない 側に位置する外周部OT(図12では、右側の外周� ��OT)は、隔壁BR2と一体に形成されている。そ� ��て、封着フリットSFは、ガラス基材RSの外周 部OT(隔壁BR1、BR2の形成領域BAより外側)に額縁 状に形成されている。

 図13に示すように、第1方向D1に配列され� �セルC1のうち、排気空間ESが形成されていな� ��方の一番隅に位置するセルC1(図13では、一� �右側のセルC1)では、放電空間DSは、外周部OT� ��隔壁BR1との間に形成される。これにより、� ��のPDP10では、各セルC1の放電空間DSは、上述� ��た図1-図8で説明した実施形態に比べて、互� ��に同じような形状に形成される。この場合� ��も、上述した図1-図8で説明した実施形態と� ��様の効果を得ることができる。

 上述した実施形態では、第2方向D2が、第1 方向D1に直交する例について述べた。本発明� ��かかる実施形態に限定されるものではない� ��例えば、第2方向D2は、第1方向D1と、ほぼ直� ��方向(例えば、90度±5度)に交差してもよい。 この場合にも、上述した実施形態と同様の効 果を得ることができる。

 以上、本発明について詳細に説明してき� ��が、上記の実施形態およびその変形例は発� ��の一例に過ぎず、本発明はこれに限定され� ��ものではない。本発明を逸脱しない範囲で� ��形可能であることは明らかである。