(実施形態1)
 以下、本実施形態のMEMSスイッチについて図 1および図2を参照しながら説明する。なお、� ��1において、X方向は、基板及び可動板の長� �方向に沿って描かれており、左側を示す。Y� ��向は、基板及び可動板の幅方向に沿って描� ��れており、前方を示す。Z方向は、基板及び 可動板の厚み方向に沿って描かれており、上 方を示す。

 本実施形態のMEMSスイッチは、図1に示す� �うに、基板1と、4つの帯片23と、可動板21と� �一対の信号線34,34と、カバー7とを備える。� �板1は、矩形板状に形成されており、長さと� ��と厚さとを有する。帯片23は、基板の上面� �固定されている。可動板21は、帯片23を介し� ��、基板の厚み方向に沿って変位可能に支持� ��れており、基板1の上面側に配置されている 。可動板21は、可動接点25が設けられている� �一対の信号線34,34は、基板1の上面に設けら� �ている。一対の信号線34,34は、固定接点35,35� ��備える。固定接点35,35は、可動接点25と所定 の間隔を離間して配置されており、可動板21� ��厚み方向に沿って移動したときに可動接点2 5と接触するように配置されている。即ち、� �動接点25は、固定接点35に対応して形成され� ��いる。カバー7は、基板1と協働して可動板2� ��収納するように、基板1に気密的に接合され る。

 また、本実施形態のMEMSスイッチは、圧電 アクチュエータ4及び静電アクチュエータ5を� ��える。圧電アクチュエータ4及び静電アクチ ュエータ5は、可動接点25が固定接点35,35に近� ��くように、基板1の厚み方向に沿って可動接 点25を移動させるように構成されている。圧� ��アクチュエータ4は、帯片23上に配置されて� ��る。圧電アクチュエータ4は、圧電層42と、� ��電層42の厚み方向の両側に形成された第1電� ��及び第2電極とからなる。第1電極は、圧電� �の下面に位置し、第2電極は、圧電層の上面� ��位置する。圧電アクチュエータ4は、第1電� �と第2電極との間に電圧が印加されたときに� ��可動接点25が、固定接点35,35に向かって移動 するように応力を発生し、帯片23を変形させ� ��。静電アクチュエータは、静電固定電極板5 2と、静電可動電極板51とを備える。静電可動 電極板51は、可動板21に配置されている。静� �固定電極板52は、静電可動電極板51から所定� ��間隔を離間して配置されており、静電可動� ��極板51と対向して配置されている。静電可� �電極板51は、静電可動電極板51と静電固定電� ��板52との間に電圧が印加されたときに、静� �固定電極板52に接触するように構成されてい る。

 基板1は、セラミックからなる。基板は、 その上面に信号線34,34と、静電固定電極板52� �配置されている。ここで、本実施形態にお� �て、静電固定電極板52は、グラウンド電極と しても機能する。なお、基板1の材料は、セ� �ミックに限られない。ガラス基板、SOI基板� �シリコン基板などは、基板1として使用する� ��とができる。なお、高い誘電率を持つ材料� ��より基板を形成することが好ましい。

 基板1は、その上面の中央において、一対 の信号線34,34が、幅方向に沿って一直線上に� ��置されている。固定接点35,35は、信号線34,34 と同じ金属材料からなり、信号線34,34と同じ� ��みを持つように形成されている。本実施形� ��において、固定接点35,35は、信号線34,34と一 体に形成されている。

 本実施形態において、固定接点35,35及び� �号線34,34は、Auからなる。しかしながら、固� ��接点35,35及び信号線34,34の材料は、Auに限ら� ��ない。固定接点35,35及び信号線34,34は、例え ば、Au,Ni,Cu,Pd,Rh,Ru,Pt,Ir,Osの群から選択される� ��種類又はこれらの合金からなることも可能� ��ある。

 圧電アクチュエータ4の圧電層42は、PZT(PbTi _0.48 Zr _0.52 O ₃ )からなる。圧電層42と帯片23との間に形成さ� ��る第1電極41は、Ptからなる。圧電層の上面42 に形成される第2電極43は、Auからなる。しか� ��ながら、圧電層42,第1電極41,第2電極43の材料 は、これらに限定されない。圧電層42は、そ� ��上面に、上部電極43と圧電層42との接触面積 を規定する開口44aを有する絶縁膜44が形成さ� ��ている。この絶縁膜44は、圧電アクチュエ� �タ4を支持する帯片23を補強するために圧電� �42の上面から基板1の上面まで設けられてい� �。この絶縁膜44は、シリコン酸化膜からなる 。しかしながら、絶縁膜44の材料は、シリコ� ��酸化膜に限られない。シリコン窒化膜や、� ��リコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層膜� ��、絶縁膜44として用いることができる。

 圧電層42の圧電材料は、PZTに限られない。� �純物が添加されたPZTや、PMN-PZTも、圧電層42� �材料として用いることができる。また、非� �圧電材料も、圧電層42の材料として用いるこ とができる。非鉛圧電材料として、KNN(K _0.5 Na _0.5 NbO ₃ )や、KN(KNbO ₃ )や、NN(NaNbO ₃ )や、不純物(例えば、Li,Nb,Ta,Sb,Cuなど)が添加� ��れたKNNなどが挙げられる。上述の鉛系圧電� ��料や、KNN,KN,NNなどは、AlNやZnOよりも高い圧� ��定数を有する。したがって、圧電層42の圧� �材料として上述の鉛系圧電材料や、KNN,KN,NN� �用いることにより、静電可動電極板の静電� �定電極板に対する接触圧力を大きくするこ� �ができる。また、圧電層42にKNN,KN,NNを用いる ことにより、鉛の環境問題に対応したMEMSス� �ッチが得られる。なお、本実施形態の圧電� �クチュエータ4は、ユニモルフ型である。し� ��しながら、バイモルフ型の圧電アクチュエ� ��タ4も、本実施形態の圧電アクチュエータと して用いることができる。

 一方、静電アクチュエータ5は、静電可動 電極板51と静電固定電極板52とを備える。静� �可動電極板51は、可動板21の長さ方向の両側� ��設けられた可動電極保持部26に配置されて� �る。静電固定電極板52は、静電可動電極板51� ��対向するように基板1の上面に配置されてい る。静電可動電極板51と静電固定電極板52と� �間に電圧が印加されることにより、静電可� �電極板51と静電固定電極板52との間に静電力� ��発生する。この静電力は、静電可動電極板5 1を、静電固定電極板52に接触するように、基 板1の厚み方向に沿って移動させる。静電可� �電極板51は、帯片23を補強するように、帯片2 3から基板1の上面まで形成されている。また� ��静電可動電極板51は、帯片の厚み方向に貫� �して形成されたビア電極46を介して、圧電ア クチュエータ4の下部電極41と電気的に接続さ れている。また、静電固定電極板52は、その� ��面に、静電固定電極板52と静電可動電極板51 とがくっつくこと(いわゆるスティッキング)� ��防ぐための絶縁膜53が形成されている。な� �、静電固定電極板52は、Auからなる。また、� ��電可動電極板51は、Ptからなる。しかしなが ら、静電固定電極板52及び静電可動電極板51� �材料は、Au及びPtに限定されない。また、絶� ��膜53は、シリコン酸化物からなる。しかし� �がら、シリコン窒化物も、絶縁膜53の材料と して用いることができる。

 基板1は、各信号線34,静電固定電極板52,静 電可動電極板51,第2電極43のそれぞれが電気的 に接続される配線14,12,11,13が、厚み方向に沿� ��て、基板を貫通して形成されている。そし� ��、基板1は、その下面に各配線14,12,11,13それ� ��れが電気的に接続される外部接続用電極114, 112,111,113が形成されている。本実施形態にお� ��て、第1電極41が、ビア電極46を介して静電� �クチュエータ5の静電可動電極板51と電気的� �接続されている。しかしながら、第1電極41� �静電可動電極板51と他の配線を介して外部接 続用電極と電気的に接続するために、第1電� �41を基板1の上面に至るように形成すること� �好ましい。なお、配線14,12,11,13は、Auからな� ��。しかしながら、CuやNiも、配線14,12,11,13の� ��料として用いることができる。また、外部� ��続用電極114,112,111,113は、Auからなる。しか� �ながら、Cu,Cr,Ptも、外部接続用電極の材料と して使用することができる。

 また、基板1は、厚み方向の中間に、所定 のパターンを有するグラウンド電極15が埋設� ��れている。そして、グラウンド電極を兼ね� ��静電固定電極板52は、配線12を介して、グラ ウンド電極15と電気的に接続されている。な� ��、各信号線34は、配線14を介して、外部接続 用電極114と電気的に接続されている。

 また、可動板21は、可動接点保持部24と連結 部27とを備える。可動接点保持部24は、可動� �点25が配置されるために設けられている。可 動接点保持部24は、可動板21の長さ方向の中� �に設けられている。連結部27は、可動接点保 持部24と可動電極保持部26とを連結するため� �設けられている。連結部27は、可動接点保持 部24及び可動電極保持部26が有する幅よりも� �い幅を有する。可動板21及び帯片23は、ノン� ��ープのポリシリコンにより形成されている� ��しかしながら、可動板21及び帯片23の材料は 、ノンドープのポリシリコンに限られない。 例えば、Si ₃ N ₄ やSiO ₂ などは、可動板21及び帯片23の材料として用� �ることができる。

 ところで、上述の可動板21は、前記基板1� ��同様に、長さと幅とを有する。可動板21は� �長さ方向の中央に可動接点が設けられてい� �。可動板21は、長さ方向の両側に、可動電極 保持部26を備える。帯片23は、可撓性を有し� �おり、可動板の幅方向の両端の外側に配置� �れており、且つ、可動電極保持部の外側に� �置されている。したがって、MEMSスイッチは� ��4つの帯片23を有する。帯片23は、基板1及び� ��動板21の長さ方向に沿って配置されており� �基板の中央側に位置する第1端22aと、第1端22a と反対側に位置する第2端22とを有する。この 帯片23の第2端22は、基板1に固定されている。 この帯片23の第1端22aは、連結板28を介して、� ��動板21と連結されている。圧電アクチュエ� �タ4は、可動板21の幅方向の外方で、各帯片23 の上面に配置されている。したがって、圧電 アクチュエータ4の圧電素子は、可撓性を有� �る帯片を変形させるように応力を発生する� �すなわち、圧電アクチュエータ4の圧電素子� ��、連結板28に応力が作用するように、帯片23 を変形させる。各圧電アクチュエータ4は、� �帯片23に対して同様に取り付けられている。 また、静電アクチュエータは、圧電アクチュ エータの上面が持つ面積よりも大きい面積を 持つように形成されている。そして、可動板 21は、各信号線34,34の固定接点35,35以外の部分 を上面に露出させるための切欠21b,21bを有す� �。

 また、カバー7は、矩形板状の絶縁性基板 を用いて形成されている。カバー7は、下方� �凹部7aが形成されている。カバー7は、周縁� �有しており、基板1と協働して、可動板21な� �を収納するように、周縁が基板1に気密的に� ��合されている。カバー7は、基板1に気密的� �接合されているため、可動接点51と固定接点 35,35との間に異物が侵入することを防ぐ事が� ��きる。即ち、可動接点51を固定接点35,35に対 して確実に接触させることができる。

 ここで、基板1は、その上面の全外周に、 第1の接合用金属層18が形成されている。カバ ー7は、その周縁の全下面に、第2の接合用金� ��層78が形成されている。カバー7は、第2の接 合用金属層78が第1の接合用金属層18に取り付� ��られることにより、基板1と接合されている 。第1の接合用金属層18及び第2の接合用金属� �78は、Auからなる。基板1は、その上面に、静 電固定電極板52と第1の接合用金属層18とを電� ��的に接続する金属層19が、静電固定電極板52 及び第1の接合用金属層18と連続的に形成され ている。

 なお、カバー7は、基板1に対して、接合� �面へアルゴンのプラズマやイオンビームや� �子ビームを真空中で照射することにより、� �合表面を洗浄し、活性化する第1の工程と、� ��合表面同士を接触させる第2の工程と、常温 下で直接接合する第3の工程を経て接合する� �温接合法により接合される。しかしながら� �カバー7の基板1への接合は、常温接合法に限 られない。AuSnや半田などの低融点共晶材料� �用いて、カバー7を基板1に対して接合するこ とも好ましい。また、陽極接合法により、カ バー7を基板1に対して接合することも好まし� ��。

 このようなMEMSスイッチをプリント基板の ような実装基板に実装する場合、基板1の下� �に形成された外部接続用電極111~113それぞれ� ��、バンプを介して、実装基板に形成された� ��体パターンと適宜接続すればよい。

 以下、本実施形態のMEMSスイッチの製造方 法について図3および図4を参照しながら説明� ��る。

 まず、グラウンド電極15、各貫通孔配線11 ~14、および各外部接続用電極111~114を形成し� �基板1の上面に静電固定電極板52を形成する� �定電極形成工程を行うことによって、図3(a)� ��示す構造を得る。固定電極形成工程におい� ��、まず、基板1の上面に静電固定電極板52の� ��礎となる金属層は、スパッタ法や蒸着法な� ��により成膜される。金属層をフォトリソグ� ��フィ技術及びエッチング技術によりパター� ��ングすることにより、静電固定電極板52,第1 の接合用金属層18,金属層19が形成される。

 固定電極形成工程のあと、基板1の上面に 、固定接点35,35を有する一対の信号線34,34を� �成する信号線形成工程を行うことにより、� �3(b)に示す構造を得る。信号線形成工程にお� ��て、まず、信号線34が形成される領域が露� �するようにパターニングされたレジスト層� �、基板1の上面に形成される。続いて、基板1 の上面に、信号線34,34が無電解めっき法など� ��より形成される。その後、レジスト層及び� ��ジスト層上のめっき膜を除去するためのリ� ��トオフが行われる。

 信号線形成工程の後、基板の上面に、静� ��固定電極板52を覆う絶縁膜53を形成する絶縁 膜形成工程が行われることにより、図3(c)に� �す構造を得る。ここで、絶縁膜形成工程に� �いて、まず、基板の上面の全面に、絶縁膜53 の基礎となる絶縁層がスパッタ法やCVD法など によって成膜される。その後、フォトリソグ ラフィ技術及びエッチング技術により、絶縁 層をパターニングすることにより、絶縁膜53� ��形成される。

 絶縁膜形成工程の後、基板1の上面の全面 に、犠牲層61を形成するための犠牲層形成工� ��を行うことにより、図3(d)に示す構造を得る 。犠牲層61は、可動板21や帯片23を形成するた めに形成される。犠牲層61は、ポリイミドか� ��なる。

 犠牲層形成工程の後、基板1の上面に、静 電可動電極板51を形成する可動電極形成工程� ��行うことにより、図3(e)に示す構造を得る。 可動電極形成工程において、まず、基板1の� �面側に、静電可動電極板51が形成される領域 が露出するようにパターニングされたレジス ト層が形成される。その後、静電可動電極板 51が、基板1の上面側に、無電解めっき法など で形成される。続いて、レジスト膜及びレジ スト膜状のめっき膜を除去するリフトオフが 行われる。

 可動電極形成工程の後、可動接点25を形� �する可動接点形成工程を行うことによって� �図3(f)に示す構造を得る。ここにおいて、可� ��接点形成工程では、基板1の上記一表面側に 可動接点25の形成予定領域が露出するように� ��ターニングされたレジスト層を形成してか� ��、基板1の上記一表面側に可動接点25を無電� ��めっき法などにより形成し、その後、レジ� ��ト層および当該レジスト層上のめっき膜(金 属皮膜)を除去するリフトオフが行われる。

 可動接点形成工程のあとで、可動板21及� �帯片23を形成する可動板形成工程を行うこと により、図4(a)に示す構造を得る。ここで、� �動板形成工程において、まず、基板1の上面� ��の全面に、可動板の基礎となるノンドープ� ��ポリシリコン層が、CVD法などにより成膜さ� ��る。続いて、ポリシリコン層をフォトリソ� ��ラフィ技術及びエッチング技術を利用して� ��ターニングすることにより、可動板21と帯� �23とビア電極6のためのビアホール47が形成さ れる。

 可動板形成工程の後、第1電極41を形成す� ��第1電極形成工程を行うことにより、図4(b)� �示す構造を得る。第1電極形成工程において� ��まず、基板1の上面側に、第1電極41となる金 属層(例えばPt層)が、スパッタ法などにより� �膜される。その後、金属層は、フォトリソ� �ラフィ技術及びエッチング技術によりパタ� �ニングされる。これにより、第1電極41及び� �ア電極46が形成される。

 第1電極形成工程の後、圧電層42を形成す� ��圧電層形成工程を行うことによって、図4(c) に示す構造を得る。圧電層形成工程において 、まず、圧電材料層(例えばPZT層など)が、ス� ��ッタ法やCVD法などにより成膜される。続い� ��、圧電材料層はフォトリソグラフィ技術及� ��エッチング技術により、パターニングされ� ��これにより、圧電層42が形成される。

 圧電層形成工程の後、圧電層42と第2電極� ��の接触面積を規定するための開口44aを有す� ��絶縁膜44を形成する絶縁膜形成工程を行う� �とにより、図4(d)に示す構造を得る。絶縁層� ��成工程において、まず、基板の上面側に絶� ��膜44が形成される領域が露出するようにパ� �ーニングされたレジスト膜が形成される。� �の後、基板1の上面側に、絶縁膜44がCVD法な� �により形成される。その後、レジスト層及� �レジスト層上の絶縁膜を除去するリフトオ� �が行われる。

 絶縁膜形成工程の後、第2電極43を形成す� ��第2電極形成工程を行うことにより、図4(e)� �示す構造を得る。ここで、第2電極形成工程� ��おいて、まず、基板1の上面側の全面に、金 属層(例えば、Au層など)が蒸着法などによっ� �成膜される。続いて、金属層は、フォトリ� �グラフィ技術及びエッチング技術によりパ� �ーニングされ、これにより第2電極43が形成� �れる。なお、本実施形態において、第1電極� ��成工程と圧電層形成工程と第2電極形成工程 とにより、圧電アクチュエータ4の第1電極41� �圧電層42、第2電極43を順次形成する圧電アク チュエータ形成工程を構成している。

 第2電極形成工程のあと、犠牲層61を選択� ��に除去する犠牲層除去工程を行うことによ� ��て、図4(f)に示すように、可動接点25と固定� ��点35,35との間に、第1の距離を有するギャッ� ��が形成される。また、静電可動電極板51と� �縁膜53との間に、第2の距離を有するギャッ� �が形成される。なお、第1の距離及び第2の距 離は、犠牲層61の厚みによって決定される。� ��して、可動接点25と固定接点35,35との間の寄 生容量を低減するために、第1の距離が長い� �うが好ましい。

 犠牲層除去工程の後、基板1とカバー7と� �接合する接合工程を行うことによって、図1� ��よび図2に示す構造のMEMSスイッチが得られ� �。

 以上説明したように、本実施形態のMEMSス イッチは、可動接点25が固定接点35,35に接触� �るように可動接点25を移動させるための、圧 電アクチュエータ4と静電アクチュエータ5と� ��備える。圧電アクチュエータ4は、帯片23に� ��けられている。圧電アクチュエータ4は、圧 電層42の両側に設けられた第1電極41と第2電極 との間に電圧が印加されることにより、可動 接点25を固定接点35,35に接触させるように、� �片23を変形させる。静電アクチュエータ5は� �可動板21に設けられた静電可動電極板51と、� ��電可動電極板51に対向するように配置され� �静電固定電極板52とを有する。静電アクチュ エータ5は、静電可動電極板51と静電固定電極 板52との間に電圧が印加されたときに可動接� ��25が固定接点35,35に接触するように可動接点 25を移動させる。したがって、本実施形態のM EMSスイッチは、圧電アクチュエータ4による� �動力で可動接点25を固定接点35,35に近づけた� ��で、静電アクチュエータ5による静電力で可 動接点25を固定接点35,35に接触させる。した� �って、第1の距離を長くすることで、可動接� ��25と固定接点35,35との間の寄生容量を低減す ることができ、これによりアイソレーション 特性は向上され、少ない電力でMEMSスイッチ� �動作させることができる。

 このように、本実施形態のMEMSスイッチは 、前記基板1と同様に、長さと幅とを有する� �動板21を備える。可動板21は、長さ方向の中� ��に可動接点が設けられている。可動板21は� �長さ方向の両側に、可動電極保持部26を備え る。帯片23は、可撓性を有しており、可動板� ��幅方向の両端の外側に配置されている。し� ��がって、MEMSスイッチは、4つの帯片23を有す る。帯片23は、基板1及び可動板21の長さ方向� ��沿って延出しており、基板の中央側に位置� ��る第1端22aと、第1端22aと反対側に位置する� �2端22とを有する。この帯片23の第2端は、基� �1に固定されている。この帯片23の第1端は、� ��結板28を介して、可動板21と連結されている 。圧電アクチュエータ4は、可動板21の幅方向 の外方で、各帯片23の上面に配置されている� ��静電アクチュエータは、一対の静電固定電� ��板と、可動板に形成された一対の静電可動� ��極板とからなる。したがって、寄生容量を� ��減することができる。そして、本実施形態� ��MEMSスイッチは、圧電アクチュエータ4を備� �ているため、少ない消費電力で、可動接点� �固定接点に対して所望の圧力で接触するよ� �に構成される。加えて、本実施形態のMEMSス� ��ッチは、圧電アクチュエータ4が静電アクチ ュエータから離間して配置されているため、 大きな面積を有する静電可動電極板51及び静� ��固定電極板52を用いることができる。した� �って、静電アクチュエータ5を駆動したとき� ��発生する静電力を大きくすることができる� ��これにより、可動接点25の固定接点35に対す る接触圧力を大きくすることができる。また 、本実施形態のMEMSスイッチは、圧電アクチ� �エータ4と静電アクチュエータ5とが別々に設 けられている。したがって、圧電アクチュエ ータ4は、静電アクチュエータ5と異なる動き� ��することができる。すなわち、圧電アクチ� ��エータ4と静電アクチュエータとの動きの自 由度の高いMEMSスイッチを得ることができる� �

 また、本実施形態のMEMSスイッチにおいて 、各信号線34,34は、圧電アクチュエータの第1 電極41及び第2電極43と電気的に絶縁されてい� ��。すなわち、固定接点35は、圧電アクチュ� �ータの第1電極41及び第2電極43と電気的に絶� �されている。したがって、各信号線34,34を介 して伝送される信号に、第1電極41及び第2電� �43が発生するノイズが重畳されることを防ぐ ことができる。また、各信号線34,34は、静電� ��クチュエータ5の静電可動電極板51及び静電� ��定電極板52と電気的に絶縁されている。し� �がって、各信号線34,34を介して伝送される信 号に、静電可動電極板51及び静電固定電極板5 2が発生するノイズが重畳されることを防ぐ� �ができる。

 また、本実施形態のMEMSスイッチにおいて 、静電アクチュエータ5の静電可動電極板51は 、圧電アクチュエータ4の下部電極41と電気的 に接続されている。そして、静電可動電極板 51は、グラウンド電極を兼ねている。これに� ��り、圧電アクチュエータ4は、静電アクチュ エータ5と共通のグラウンド電極を有する。� �たがって、圧電アクチュエータ4と静電アク� ��ュエータ5とのそれぞれを容易に制御するこ とができる。

 また、本実施形態のMEMSスイッチにおいて 、可動板21は、可動接点保持部24と可動電極� �持部26とを連結する連結部27を備える。この� ��結部27は、可動接点保持部24及び可動電極保 持部26が有する幅よりも狭い。この連結部27� �たわみ量を調整することにより、可動接点25 を固定接点に対して、所望の圧力で接触させ ることができる。したがって、可動接点25を� ��定接点35,35に対して確実に接触させること� �できる。

 また、本実施形態のMEMSスイッチにおいて 、可動板21は、固定接点以外の部分を上方に� ��出するように形成された切欠を備える。こ� ��により、静電可動電極板51と各信号線34,34の 容量結合を防ぐ事ができる。したがって、高 いアイソレーション特性を有するMEMSスイッ� �が得られる。

 また、本実施形態のMEMSスイッチにおいて 、各信号線34,34及び静電固定電極板52は、基� �1に設けられている。各信号線34,34は、基板1� ��同一平面上に形成されており、同一の厚さ� ��有するように形成されている。したがって� ��良好なインピーダンスマッチングを有し、� ��周波信号の伝送損失が低減され、良好な高� ��波特性を有するMEMSスイッチが得られる。

 (実施形態2)
 図5及び図6は、本実施形態のMEMSスイッチを� ��している。本実施形態のMEMSスイッチにおい て、固定接点35を有する各信号線34及び各静� �固定電極板51は、カバー7の凹部7aの内底面に 配置されている。可動板21は、その上面に、� ��動接点25及び静電可動電極板51が形成されて いる。その他の構成は、実施形態1と略同じ� �ある。なお、実施形態1と同様の構成には同� ��の符号が付され、説明は省略される。

 このような本実施形態のMEMSスイッチにお いて、各信号線34,34で伝送される信号に、第1 電極41、第2電極、静電可動電極板51が発生す� ��ノイズが重畳されることを防ぐ事ができる� ��

 以下、本実施形態のMEMSスイッチの製造方 法について、図7及び図8を用いて説明する。� ��かしながら、実施形態1と同様の工程は、説 明を適宜省略される。

 まず、基板1の上面に、第1の接合用金属� �18を形成する接合用金属層形成工程を行う。 次に、基板1の上面側に、可動板21及び帯片23� ��形成するための犠牲層61を形成する犠牲層� �成工程を行う。これにより、図7(a)に示す構� ��を得る。

 犠牲層形成工程の後、基板1の上面側に可 動板21及び帯片23を形成する可動板形成工程� �行う。これにより、図7(b)に示す構造を得る� ��可動板形成工程において、基板1の上面側の 全面に、可動板21の基礎となるノンドープの� ��リシリコン層がCVD法などによって成膜され� ��。続いて、ポリシリコン層は、フォトリソ� ��ラフィ技術及びエッチング技術によりパタ� ��ニングされる。このようにして、可動板21� �帯片23が形成される。

 可動板形成工程の後、第1電極41を形成す� ��第1電極形成工程を行うことにより、図7(c)� �示す構造を得る。第1電極形成工程において� ��まず、基板1の上面側の全面に、金属層(例� �ばPt層など)がスパッタ法などによって成膜� �れる。続いて、金属層は、フォトリソグラ� �ィ技術及びエッチング技術によりパターニ� �グされる。このようにして、第1電極41及び� �電アクチュエータ5の静電可動電極板51が形� �される。

 第1電極形成工程のあと、圧電層42を形成� ��る圧電層形成工程を行うことにより、図7(d) に示す構造を得る。圧電層形成工程において 、まず圧電材料層(例えばPZT層など)がスパッ� ��法やCVD法などにより成膜される。続いて、� ��電材料層は、フォトリソグラフィ技術及び� ��ッチング技術によりパターニングされ、こ� ��により圧電層42は形成される。

 圧電層形成工程の後、圧電層42と第2電極4 3との接触面積を規定するための開口44aを有� �る絶縁膜44を形成する絶縁膜形成工程が行わ れ、これにより、図8(a)に示す構造を得る。

 絶縁膜形成工程の後、第2電極43を形成す� ��第2電極形成工程を行うことにより、図8(b)� �示す構造を得る。なお、本実施形態におい� �、第1電極形成工程と圧電層形成工程と第2電 極形成工程とにより、圧電アクチュエータ形 成工程を構成している。

 第2電極形成工程のあと、基板1の上面側� �、可動接点25を形成する可動接点形成工程を 行うことにより、図8(c)に示す構造を得る。� �動接点形成工程において、まず、基板1の上� ��側に可動接点25が形成される領域が露出す� �ようにパターニングされたレジスト膜が形� �される。続いて、基板1の上面に、可動接点2 5が無電解めっき法などにより形成される。� �後に、レジスト層及びレジスト層上のめっ� �膜(金属被膜)を除去するリフトオフが行われ る。

 可動接点形成工程のあと、犠牲層61を選� �的に除去する犠牲層除去工程を行うことに� �り、可動電極保持部26、連結部、可動接点保 持部及び帯片23と、基板1の上面との間にギャ ップが形成された図8(d)に示す構造が得られ� �。

 犠牲層除去工程の後で、各信号線34,34及� �静電固定電極板52などが形成されているカバ ー7を基板1の上面側に接合する接合工程を行� ��ことにより、図5及び図6に示す構造のMEMSス� ��ッチが得られる。

 以上説明した製造方法によれば、基板1の 上記一表面側に圧電アクチュエータ4を形成� �た後に可動接点25を形成するので、圧電アク チュエータ4の圧電層42の成膜温度に左右され ることなく可動接点25の材料を選択できるの� ��、可動接点25の材料の選択の自由度が高く� �る。