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Patent Searching and Data


Title:
LAYER WITH INTRA-CRYSTALLINE INCLUSIONS
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2005/038075
Kind Code:
A1
Abstract:
Conventional layers often have low thermal resistance. The inventive layer (7) comprises intra-crystalline inclusions (16), which significantly increase the thermal resistance.

Inventors:
KRUEGER URSUS (DE)
REICHE RALPH (DE)
STEINBACH JAN (DE)
Application Number:
PCT/EP2004/010740
Publication Date:
April 28, 2005
Filing Date:
September 24, 2004
Export Citation:
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Assignee:
SIEMENS AG (DE)
KRUEGER URSUS (DE)
REICHE RALPH (DE)
STEINBACH JAN (DE)
International Classes:
C23C14/06; C23C28/00; C23C30/00; C25D15/02; (IPC1-7): C23C4/06; C23C4/08; C23C14/06; C25D15/00
Domestic Patent References:
WO2000068469A22000-11-16
Foreign References:
DE2214773A11973-09-27
US3591466A1971-07-06
US4459327A1984-07-10
US4161412A1979-07-17
Other References:
EHRHARDT J: "ABSCHEIDUNG VON DISPERSIONSSCHICHTEN IN HOHLTEILEN NACH DEM TAMPONVERFAHREN", METALLOBERFLACHE, CARL HANSER VERLAG. MUNCHEN, DE, vol. 43, no. 2, 1 February 1989 (1989-02-01), pages 51 - 53, XP000035590
DAVIDGE R W ET AL: "FABRICATION, PROPERTIES, AND MODELLING OF ENGINEERING CERAMICS REINFORCED WITH NANOPARTICLES OF SILICON CARBIDE", BRITISH CERAMIC TRANSACTIONS, INSTITUTE OF MATERIALS, LONDON, GB, vol. 96, no. 3, 1997, pages 121 - 127, XP000704941, ISSN: 0967-9782
Attorney, Agent or Firm:
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT (München, DE)
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Claims:
Patentansprüche
1. l.
2. Schicht (7) mit intrakristallinen Einlagerungen (16), die (7) einen Gradienten in der Materialzusammensetzung aufweist.
3. Schicht nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (7) einen Gradienten in der Konzentration der intrakristallinen Einlagerungen (16), aufweist.
4. Schicht nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (7) einkristallin ausgebildet ist.
5. Schicht nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (7) kolumnar ausgebildet ist.
6. Schicht nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (7) polykristallin ausgebildet ist.
7. Schicht nach Anspruch 1, 2,4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (7) interkristalline Einlagerungen (19) auf weist.
8. Schicht nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (7) ein erstes Material und die intrakristal linen Einlagerungen (16) ein zweites Material aufweisen, wobei das erste Material metallisch und das zweite Mate rial keramisch ist.
9. Schicht nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (7) ein erstes Material und die intrakristal line Einlagerungen (16) ein zweites Material aufweist, wobei das erste und das zweite Material metallisch ist.
10. Schicht nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (7) ein erstes Material und die intrakristal line Einlagerungen (16) ein zweites Material aufweist, wobei das erste Material keramisch und das zweite Material metallisch ist.
11. Schicht nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (7) ein erstes Material und die intrakristal linen Einlagerungen (16) ein zweites Material aufweist, wobei das erste und zweite Material keramisch sind.
12. Schicht nach Anspruch 1, 6,7, 8,9, oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass die intrakristallinen und/oder interkristallinen Einlage rungen (16,19) eine Korngröße kleiner lym aufweisen.
13. Schicht nach Anspruch 1, 6,7, 8,9, 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass die intrakristallinen und/oder interkristallinen Einlage rungen (16,19) eine Korngröße kleiner 0, 5m aufweisen.
14. Schicht nach Anspruch 1, 6,7, 8,9, 10,11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass die intrakristallinen und/oder interkristallinen Einlage rungen (16,19) Korngrößen im Nanometerbereich aufweisen.
15. Schicht nach Anspruch nach einem der Ansprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Material (13) aus der Oberfläche der Schicht herausragt.
16. Schicht nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein Bauteil einer Gas (100) oder Dampfturbine, insbeson dere eine Turbinenschaufel (120,130), eine Brennkammer auskleidung (155) oder andere Gehäuseteile eine solche Schicht (7) aufweisen.
17. Schicht nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass das Bauteil ein neues Bauteil ist.
18. Schicht nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass das Bauteil ein wiederaufgearbeitetes Bauteil ist.
19. Verwendung von intrakristallinen und/oder interkristallinen Einlagerungen (16,19) in einer Schicht (7) als Keimzellen für eine nachfolgende Schicht (10).
20. Verfahren zur Herstellung einer Schicht (10) auf einer Schicht (7), wobei die Schicht (7) intrakristallinen Einlagerungen (16) aufweist, die als Keimzelle für die Schicht (10) wirken, wobei die Schicht (10) auf der Schicht (7) kristallin aufwächst.
21. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (7) elektrolytisch hergestellt wird.
22. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (10) als EBPVDSchicht aufgebracht wird.
23. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass ein erstes Material höchstens teilweise abgetragen wird, so dass ein zweites Material aus der Schicht zumindest teilweise herausragt, das dann als Keimzelle wirkt.
24. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass die Abtragung durch chemische oder plasmagestütztes Ätzen erfolgt.
Description:
Schicht mit intrakristallinen Einlagerungen Die Erfindung betrifft eine Schicht mit intrakristallinen Einlagerungen.

Unter aggressiven Betriebsbedingungen degradieren Schichten häufig ebenso wie ihr unterliegendes Substrat. So rekristal- lisieren beispielsweise auch metallische Schichten.

Bei einer Gradientenschicht, die auf einem Substrat aufge- bracht ist, steigt die Konzentration einer Sekundärphase bei- spielsweise ausgehend von der Oberfläche des Substrats hinge- hend zur äußeren Oberfläche der Schicht an.

Dadurch erreicht man beispielsweise eine Anpassung des Aus- dehnungskoeffizienten oder der thermischen Leitfähigkeit an die Erfordernisse betrieblichen Einsatzes.

Bekannt sind metallische Schichten mit keramischen Bestand- teile als interkristalline Einlagerungen.

Jedoch weisen solche'Schichten keine hohe thermische Stabili- tät auf, weil sich ihre Mikrostruktur und damit die gewünsch- ten Eigenschaften für den Einsatz der Schicht verändern.

Es ist daher Aufgabe der Erfindung, eine Schicht aufzuzeigen, die den oben angegebenen Nachteil überwindet.

Die Aufgabe wird gelöst durch eine Schicht gemäß Anspruch 1, bei dem eine Sekundärphase in Form von intrakristallinen Ein- lagerungen vorhanden ist.

In den Unteransprüchen sind weitere vorteilhafte Ausgestal- tungen dargestellt.

Die in den Unteransprüchen aufgeführten Maßnahmen können in vorteilhafter Weise miteinander kombiniert werden.

Es zeigen Figur 1 eine erfindungsgemäße Schicht, Figur 2 eine weitere erfindungsgemäße Schicht, Figur 3,4 jeweils eine schematische Darstellung der Mikro- struktur einer Schicht, Figur 5 eine Gasturbine und Figur 6 eine Brennkammer.

Figur 1 zeigt eine erfindungemäß ausgebildete Schicht 7 innerhalb eines Schichtsystems 1.

Dabei ist die Schicht 7 auf einem Substrat 4, beispielsweise einer eisen-nickel-oder kobaltbasierten Superlegierung, aufgebracht. Dies kann insbesondere durch ein elektrolyti- sches Verfahren erfolgen.

Eine solche Schicht 7 wird beispielsweise verwendet für Bau- teile für Hochtemperaturanwendungen. Bauteile für Hochtempe- raturanwendungen, also beispielsweise im Dampf-oder Gastur- binen 100 (Figur 5), einschließlich Flugzeugturbinen. Typi- sche Bauteile mit Schichten 7 sind beispielsweise Turbinen- schaufeln 120,130 (Figur 5) und Brennkammerauskleidungen 155 (Figur 6).

Das Bauteil kann ein neu hergestelltes Bauteil sein oder ein wieder aufgearbeitetes Bauteil.

Wiederaufarbeitung (Refurbishment) bedeutet, dass Bauteile nach ihrem Einsatz gegebenenfalls von Schutzschichten befreit werden müssen (z. B. durch Sandstrahlen). Danach erfolgt eine Entfernung der Korrosions-und/oder Oxidationsschichten bzw.

-produkte. Gegebenenfalls werden auch noch Risse eines Sub- strats repariert. Danach erfolgt eine Wiederbeschichtung des Substrats und ein erneuter Einsatz des Bauteils.

Ausgehend von der Oberfläche 5 des Substrats 4 hin zur Ober- fläche 8 der Schicht 7 steigt beispielsweise die Konzentra-

tion c der Sekundärphase 13 in der beispielsweise verwendeten Legierung MCrAlX (M= Fe, Co, Ni ; X = Aktivelement, wie z. B.

Yttrium und/oder zumindest ein Element der Seltenen Erden) an.

Jeder anders geartete Verlauf (kontinuierliche Zunahme, Maxi- mum oder Minimum in der Mitte) der Konzentration c der Sekun- därphase ist denkbar.

Auf der Schicht 7 ist beispielsweise eine keramische Schicht 10 aufgebracht. Dies ist beispielsweise für Gasturbinenbau- teile wie z. B. Turbinenschaufeln, eine keramische Wärmedämm- schicht.

Die Sekundärphase 13 ist beispielsweise keramisch, kann aber auch metallisch sein.

Auch andere Kombinationen von Matrix/Sekundärphase wie Kera- mik/Keramik, oder Metall/Metall sind denkbar.

Die Sekundärphase 13 bildet beispielsweise Kristallisations- keime (Keimzellen) für die Bildung einer nachfolgenden Schicht (10), bspw. einer Oxidschicht auf der Schicht 7.

Dies kann z. B. ein Aluminiumoxid sein, eine thermisch gewachsene Oxidschicht (TGO).

Andere Schichten (10) sind denkbar.

Vorzugsweise beinhaltet die Sekundärphase 13 das Material der keramischen Schicht 10, beispielsweise Zirkonoxid (ZrO2, Y203 - Zr02,.....), so dass die keramische Schicht 10 besser auf der Schicht 7 bspw. kristallin aufwachsen kann, beispielsweise beim EB-PVD-Beschichten (electron beam physical vapour deposition).

Figur 2 zeigt eine Schicht 7, die an ihrer Oberfläche 5 be- handelt worden ist.

In einem ersten Verfahrensschritt wird die Schicht 7 wie bei Figur 1 beschrieben auf das Substrat 4 aufgebracht. Die Kon- zentration der Sekundärphase 13 kann an der Oberfläche 5 so erhöht werden, dass fast nur noch oder allein das Material der Sekundärphase 13 an der Oberfläche 5 vorhanden ist.

Es kann aber auch sein, dass die Sekundärphase 13 von dem Material der Schicht 7 umhüllt ist oder bedeckt ist.

In diesem Fall wird dieses Material teilweise abgetragen.

Dies kann beispielsweise durch chemisches Ätzen oder Plasma- ätzen erfolgen. Da beispielsweise das Material der Matrix metallisch ist und leichter abgetragen wird als die kerami- sche Sekundärphase, ragt die Sekundärphase aus der Oberfläche der Schicht 7 heraus.

Die Oberfläche 5 ist dann rau und bietet beste Voraussetzun- gen für eine gute Haftung einer noch aufzubringenden Schicht.

Die Oberfläche der Schicht 7 wird durch das Material der Matrix und der Sekundärphase 13 gebildet, letztere kann dann in vorteilhafter Weise als Keimzelle für eine weitere Be- schichtung dienen.

Alternativ kann die Oberfläche dann noch poliert werden, wo- bei die Sekundärphase 13, die aus der Oberfläche herausragt, abgetragen wird, aber weiterhin das Material der Sekundär- phase 13 einen Teil der äußeren Fläche bildet.

Alternativ kann aber auch so Material direkt durch Polieren abgetragen werden, also Material der Matrix und Sekundärphase 13, dass eine ebene, glatte Oberfläche aus Matrix und Sekun- därphase sich bildet.

Wichtig in diesem Fall ist nur, dass die Sekundärphase 13 einen Teil der Oberfläche 8 bildet.

Es ist außerdem bekannt metallische Werkstücke mit ein- kristalliner Struktur oder Strukturen als Bauteile von

Maschinen zu verwenden, die im Betrieb hohen mechanischen, thermischen und/oder chemischen Belastungen ausgesetzt sind.

Beispielsweise werden Schaufeln von Gasturbinen, insbesondere auch von Rotoren für Flugzeug-Triebwerke, aber auch solche für stationäre Gasturbinen, aus Einkristallen hergestellt.

Die Fertigung von derartigen einkristallinen Werkstücken er- folgt z. B. durch gerichtetes Erstarren aus der Schmelze. Es handelt sich dabei um Gießverfahren, bei denen die flüssige metallische Legierung zur einkristallinen Struktur, d. h. zum einkristallinen Werkstück, oder gerichtet erstarrt.

Dabei werden dendritische Kristalle entlang dem Wärmefluss ausgerichtet und bilden entweder eine stängelkristalline Kornstruktur (kolumnar, d. h. Körner, die über die ganze Länge des Werkstückes verlaufen und hier, dem allgemeinen Sprach- gebrauch nach, als gerichtet erstarrt bezeichnet werden) oder eine einkristalline Struktur, d. h. das ganze Werkstück be- steht aus einem einzigen Kristall. In diesen Verfahren muss man den Übergang zur globulitischen (polykristallinen) Er- starrung meiden, da sich durch ungerichtetes Wachstum notwen- digerweise transversale und longitudinale Korngrenzen ausbil- den, welche die guten Eigenschaften des gerichtet erstarrten oder einkristallinen Bauteiles zunichte machen.

Wenn in der vorliegenden Schrift von einkristalliner Struktur und einkristallinen Strukturen die Rede ist, so sind damit sowohl Einkristalle, die keine Korngrenzen aufweisen, als auch Kristallstrukturen, die wohl Korngrenzen, die longitudi- nal verlaufen, aber keine Korngrenzen, die in transversaler Richtung verlaufen, aufweisen. Bei diesen zweitgenannten % Ç kristallinen Strukturen spricht man auch von gerichtet er- starrten Gefügen (directionally solidified structures).

Ist allgemein von gerichtet erstarrten Gefügen die Rede, so sind damit sowohl Einkristal gemeint, die keine Korngrenzen oder höchstens Kleinwinkelkorngrenzen aufweisen, als auch Stängelkristallstrukturen, ;'d wohl in longitudinaler Rich- tung verlaufende Korngrenzen, ^aber keine transversalen Korn- grenzen aufweisen.

Solche Verfahren sind aus der US-PS 6,024, 792 und der EP 0 892 090 A1 bekannt.

Figur 3 zeigt beispielhaft die Mikrostruktur einer Schicht 7.

Die Schicht 7, die auch einkristallin oder kolumnar ausgebil- det sein könnte, ist hier polykristallin (granular). Die ein- kristalline Schicht 7 besteht aus einem Korn 22. In diesem Korn 22 ist die Sekundärphase 13 immer intrakristallin vor- handen.

Bei einer kolumnaren Struktur (nicht dargestellt) besteht die Schicht 7 aus mehreren stängelförmigen Körnern 22, die sich in eine Richtung erstrecken. Im letzteren Fall besteht die Schicht 7 aus vielen Körnern 22.

In den Körnern 22 ist intrakristallin die Sekundärphase 13 eingelagert.

Es können zusätzlich auch interkristalline Einlagerungen 19 vorhanden sein.

Die Anzahl, Größe und Lage der intrakristallinen 16 bzw. interkristallinen Einlagerungen 19 in einem und/oder um ein Korn 22 kann mit den Verfahrensparametern des gewählten Be- schichtungsprozesses eingestellt werden.

So können beim elektrolytischen Beschichten bspw. keramische Körner im Nanometerbereich (Nanokörner) im Elektrolyt vorhanden, d. h. suspendiert sein, die die intrakristallinen Einlagerungen 19 ergeben sollten. Die Matrix (metallisch) wird mittels gelöster Ionen im Elektrolyt elektrolytisch abgeschieden, die die Nanokörner umschliessen und so einen intrakristallinen Einschluss 19 ergeben.

Insbesondere wenn die Konzentration der Sekundärphase 13 zur Oberfläche hin ansteigt, stellt die Sekundärphase 13 den größten Volumenanteil in einem Korn 22 dar (Figur 4).

Eine solche Schicht 7 wird beispielsweise mit einem elektro- lytischen Verfahren hergestellt, wobei für die Sekundärphase 13,16, 19 sehr kleine Körner, insbesondere deutlich kleiner

als l) D. m verwendet werden. Es können aber auch noch Körner kleiner 0. Sum oder bis 50nm oder lnm vorhanden sein.

Die Sekundärphase 13 ist in dem Elektrolyten bei der elektro- lytischen Beschichtung enthalten (suspendiert, aufgelöst), wobei der Prozess so gesteuert wird, dass sich die Sekundär- phase 13 in dem Korn 22 intrakristallin und gegebenenfalls zusätzlich interkristallin einlagert.

Ebenso können aus einer polykristallinen Schicht 7 durch ent- sprechende schmelztexturierende Erstarrungsverfahren kolum- nare oder einkristalline Strukturen erzeugt werden, indem die granulare Schicht aufgeschmolzen und gerichtet erstarren ge- lassen wird.

Durch die Einlagerungen 16,19 kann beispielsweise die Re- kristallisation der Schicht 7, insbesondere einer metalli- schen Schicht 7, reduziert oder verhindert werden. In jedem Fall wird erfindungsgemäß eine hohe Phasenstabilität und thermische Stabilität erreicht, da sich die Mikrostruktur, die die Eigenschaften der Schicht 7 beeinflusst, gar nicht oder kaum ändert.

Ein weiterer positiver Effekt der Einlagerungen 16,19 in der Schicht 7 kann die Wirkung als Kristallisationskeime (Keim- zellen) für die Bildung weiterer Schichten auf der Schicht 7 sein.

Das Wachstumsverhalten einer noch aufzubringenden Schicht 10 auf die Schicht 7 wird beeinflusst durch die Mikrostruktur der Schicht 7. Bei einer Beschichtung auf die Einlagerungen 16,19 in der Schicht 7 mit ähnlicher oder gleicher Kristall- struktur an der Oberfläche 8 orientiert sich das Material der Schicht 10 beim Aufwachsen an der Kristallstruktur der Einla- gerungen 16,19.

Somit kann das Wachstumsverhalten einer noch aufzubringenden Schicht 10 durch die Einlagerungen 16,19 gesteuert werden.

Die Figur 5 zeigt eine Gasturbine 100 in einem Längsteil- schnitt.

Die Gasturbine 100 weist im Inneren einen um eine Rotations- achse 102 drehgelagerten Rotor 103 auf, der auch als Turbi- nenläufer bezeichnet wird. Entlang des Rotors 103 folgen auf- einander ein Ansauggehäuse 104, ein Verdichter 105, eine bei- spielsweise torusartige Brennkammer 110, insbesondere Ring- brennkammer 106, mit mehreren koaxial angeordneten Brennern 107, eine Turbine 108 und das Abgasgehäuse 109. Die Ring- brennkammer 106 kommuniziert mit einem beispielsweise ring- förmigen Heißgaskanal 111. Dort bilden beispielsweise vier hintereinandergeschaltete Turbinenstufen 112 die Turbine 108.

Jede Turbinenstufe 112 ist aus zwei Schaufelringen gebildet.

In Strömungsrichtung eines Arbeitsmediums 113 gesehen folgt im Heißgaskanal 111 einer Leitschaufelreihe 115 eine aus Laufschaufeln 120 gebildete Reihe 125.

Die Leitschaufeln 130 sind dabei am Stator 143 befestigt, wo- hingegen die Laufschaufeln 120 einer Reihe 125 mittels einer Turbinenscheibe 133 am Rotor 103 angebracht sind. An dem Rotor 103 angekoppelt ist ein Generator oder eine Arbeitsma- schine (nicht dargestellt).

Während des Betriebes der Gasturbine 100 wird vom Verdichter 105 durch das Ansauggehäuse 104 Luft 135 angesaugt und ver- dichtet. Die am turbinenseitigen Ende des Verdichters 105 be- reitgestellte verdichtete Luft wird zu den Brennern 107 ge- führt und dort mit einem Brennmittel vermischt. Das Gemisch wird dann unter Bildung des Arbeitsmediums 113 in der Brenn- kammer 110 verbrannt. Von dort aus strömt das Arbeitsmedium 113 entlang des Heißgaskanals 111 vorbei an den Leitschaufeln 130 und den Laufschaufeln 120. An den Laufschaufeln 120 ent- spannt sich das Arbeitsmedium 113 impulsübertragend, so dass die Laufschaufeln 120 den Rotor 103 antreiben und dieser die an ihn angekoppelte Arbeitsmaschine.

Die dem heißen Arbeitsmedium 113 ausgesetzten Bauteile unter- liegen während des Betriebes der Gasturbine 100 thermischen Belastungen. Die Leitschaufeln 130 und Laufschaufeln 120 der in Strömungsrichtung des Arbeitsmediums 113 gesehen ersten Turbinenstufe 112 werden neben den die Ringbrennkammer 106 auskleidenden Hitzeschildsteinen am meisten thermisch be- lastet. Um den dort herrschenden Temperaturen standzuhalten, werden diese mittels eines Kühlmittels gekühlt. Zum Teil weisen die Schaufeln 120,130 erfindungsgemäße Schichten 7 (Fig. 1, 2,3, 4) gegen Korrosion (MCrAlX ; M = Fe, Co, Ni, X=Y, Seltenen Erden) und Wärme (Wärmedämmschicht, beispiels- weise ZrO2, Y204-Zr02) auf.

Die Leitschaufel 130 weist einen dem Innengehäuse 138 der Turbine 108 zugewandten Leitschaufelfuß (hier nicht darge- stellt) und einen dem Leitschaufelfuß gegenüberliegendem Leitschaufelkopf auf. Der Leitschaufelkopf ist dem Rotor 103 zugewandt und an einem Befestigungsring 140 des Stators 143 festgelegt.

Die Figur 6 zeigt eine Brennkammer 110 einer Gasturbine.

Die Brennkammer 110 ist beispielsweise als so genannte Ring- brennkammer ausgestaltet, bei der eine Vielzahl von in Um- fangsrichtung um die Turbinenwelle 103 herum angeordneten Brennern 102 in einen gemeinsamen Brennkammerraum münden.

Dazu ist die Brennkammer 110 in ihrer Gesamtheit als ringför- mige Struktur ausgestaltet, die um die Turbinenwelle 103 herum positioniert ist.

Zur Erzielung eines vergleichsweise hohen Wirkungsgrades ist die Brennkammer 110 für eine vergleichsweise hohe Temperatur des Arbeitsmediums M von etwa 1000°C bis 1600°C ausgelegt. Um auch bei diesen, für die Materialien ungünstigen Betriebspa- rametern eine vergleichsweise lange Betriebsdauer zu ermög- lichen, ist die Brennkammerwand 153 auf ihrer dem Arbeitsme- dium M zugewandten Seite mit einer aus Hitzeschildelementen

155 gebildeten Innenauskleidung versehen. Jedes Hitzeschild- element 155 ist arbeitsmediumsseitig mit einer besonders hit- zebeständigen Schutzschicht, insbesondere mit einer Schicht 7 gemäß Figur 3, ausgestattet oder aus hochtemperaturbeständi- gem Material gefertigt. Aufgrund der hohen Temperaturen im Inneren der Brennkammer 110 ist zudem für die Hitzeschildele- mente 155 bzw. für deren Halteelemente ein Kühlsystem vorge- sehen.

Die Brennkammer 110 ist insbesondere für eine Detektion von Verlusten der Hitzeschildelemente 155 ausgelegt. Dazu sind zwischen der Brennkammerwand 153 und den Hitzeschildelementen 155 eine Anzahl von Temperatursensoren 158 positioniert.