Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE io 2020201482.5, die am 6. Februar 2020 beim Deutschen Patent- und Marken amt eingereicht wurde. Die deutsche Prioritätsanmeldung wird hiermit durch Bezug nahme in ihrer Gänze in die vorliegende Anmeldung aufgenommen.

1. Technisches Gebiet

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Reparieren zumindest eines Defekts einer optischen Komponente für den extrem ultravioletten (EUV)-Wellenlängenbereich, wobei die optische Komponente für den EUV- Wellenlängenbereich ein Substrat und eine auf dem Substrat angeordnete Mehr- Schichtstruktur umfasst.

2. Stand der Technik

Als Folge der wachsenden Integrationsdichte in der Halbleiterindustrie müssen Photo- lithographiemasken zunehmend kleinere Strukturen auf Wafer abbilden. Auf der Pho tolithographieseite wird dem Trend wachsender Integrationsdichte Rechnung getragen, indem die Belichtungswellenlänge von Photolithographiegeräten zu immer kleineren Wellenlängen verschoben wird. In Photolithographiegeräten oder Lithographiegeräten wird derzeit häufig ein ArF- (Argonfluorid) Excimerlaser als Lichtquelle eingesetzt, der bei einer Wellenlänge von etwa 193 nm emittiert.

Gegenwärtig befinden sich Lithographiesysteme in der Entwicklung, die elektromagne tische Strahlung im EUV- (extremen ultravioletten) Wellenlängenbereich (vorzugswei se im Bereich von 10 nm bis 15 nm) verwenden. Diese EUV-Lithographiesysteme basie- ren auf einem völlig neuen Strahlführungskonzept, das reflektierende optische Elemen te verwendet, da derzeit keine Materialien verfügbar sind, die im angegebenen EUV- Bereich optisch transparent sind. Die technologischen Herausforderungen bei der Ent- wicklung von EUV-Systemen sind enorm und riesige Entwicklungsanstrengungen sind notwendig, um diese Systeme bis zur industriellen Einsatzreife zu bringen.

Ein maßgeblicher Anteil an der Abbildung immer kleinerer Strukturen in den auf ei nem Wafer angeordneten Photolack kommt den photolithographischen Masken, Be- lichtungsmasken, Photomasken oder einfach Masken zu. Mit jeder weiteren Steigerung der Integrationsdichte wird es zunehmend wichtiger, die minimale Strukturgröße der Belichtungsmasken zu verringern. Der Herstellungsprozess photolithographischer Masken wird deshalb zunehmend komplexer und damit zeitaufwändiger und letztlich auch teurer. Aufgrund der winzigen Strukturgrößen der Pattern-Elemente können Feh ler bei der Maskenherstellung nicht ausgeschlossen werden. Diese müssen - wann im mer möglich - repariert werden.

Die Reparatur von Maskendefekten wird derzeit häufig durch Elektronenstrahl induzierte lokale Abscheide- und/ oder Ätzprozess ausgeführt. Die nachfolgend bei spielhaft angegebenen Dokumente beschäftigen sich mit der Reparatur von EUV- Masken: L. Pang et ab: „Compensation of EUV multilayer defects within arbitrary lay- out by absorber pattern modification“, in „Extreme Ultraviolet Lithography“, herausge geben von B.M. Fontaine und P.P. Naulleau, Proc. of SPIE Vol. 7969, 79691E-1 - 79691E-14; WO 2016 / 037851 Ai; M. Waiblinger et ab: „The door opener for EUV mask repair“, in „Photomask and Next Generation Lithography Mask Technology XIV“, herausgegeben von K. Kato, Proc. of SPIE, Vol. 84441, 84410F-1 - 84410F-10; WO 2011 / 161243 Ai; WO 2013 / 010976 Ai; WO 2015 / 144700 Ai; G. Mclntyre et ab: „Through-focus EUV multilayer defect repair with micromachining“, in „Extreme Ult raviolet (EUV) Lithography IV, herausgegeben von P.P. Naulleau, Proc. of SPIE, Vol. 8679, 86791I-1 - 86791I-4.

Aufgrund der abnehmenden Strukturgrößen der Pattern-Elemente wird das Kontrollie ren der lokalen Abscheide- bzw. Ätzprozesse immer herausfordernder. Darüber hinaus müssen die Reparaturstrategien individuell an die Anforderungen der einzelnen Ferti gungsumgebungen angepasst werden. Jede Technologie-getriebene Anpassung der der EUV-Masken (beispielsweise deren Materialzusammensetzung, Abmessungen oder Aufbau) erfordert eine Neubewertung der etablierten Reparaturprozesse, was in man chen Fällen zu deren zeitaufwändiger Umgestaltung führt. Die nachfolgend genannten beispielhaften Dokumente beschreiben kohärente Licht quellen für den EUV-Wellenlängenbereich: S. Hädrich et al.: „High photon flux table- top coherent extreme ultraviolet source“, DOI: io.i038/nphoton.20i4.2i4, arXiv: 1403.4631; https://kmlabs.com/wp-content/uploads/2017/02/KML_XUUSTM.pdf ;

H. Carstens et al.: „High-harmonic generation at 250 MHz with photon energies excee- ding 100 eV“, Optica, Vol. 3, No. 4 / April 2016, S. 366-369, Nature Photonics, Vol. 8, S. 779-783 (2014).

In dem Artikel „Understanding thin film laser ablation: The role of the effective Penet ration depth and film thickness“, Physics Procedia, Vol 56, S. 1007-1014 (2014) unter suchen die Autoren M. Domke et al. das Abtragen von einer dünnen Metallschicht von einem optisch transparenten Material mit Hilfe von Laser-Pulsen. Die Autoren J. Na et al. beschreiben in dem Artikel „Application of actinic mask review System for the pre- paration of HVM EUV lithography with defect free mask“, BACUS, Vol. 33, Juli 2017, S. 1-8, das Untersuchen einer EUV-Maske mit einem HHG (High Harmonie Generation) Laser-System.

Der vorliegenden Erfindung liegt das Problem zu Grunde, eine Vorrichtung und ein Verfahren anzugeben, die es ermöglichen, das Reparieren von Defekten von optischen Komponenten für den extrem ultravioletten Wellenlängenbereich zu verbessern.

3. Zusammenfassung der Erfindung

Gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird dieses Problem durch eine Vorrichtung nach Anspruch 1 und ein Verfahren nach Anspruch 15 gelöst. In einer Ausführungsform weist die Vorrichtung zum Reparieren zumindest eines Defekts einer optischen Komponente für den extrem ultravioletten (EUV) Wellenlängenbe reich, wobei die optische Komponente ein Substrat und eine auf dem Substrat ange ordnete Mehrschichtstruktur umfasst, auf: (a) zumindest eine Lichtquelle, die ausge bildet ist, einen Photonenstrahl im EUV-Wellenlängenbereich und/oder im Wellenlän genbereich weicher Röntgenstrahlung zu erzeugen; und (b) wobei die zumindest eine Lichtquelle ferner ausgebildet ist, um durch ein lokales Verändern der optischen Kom ponente den zumindest einen Defekt zu reparieren. Die erfindungsgemäße Vorrichtung stellt einen Paradigmenwechsel in der Reparatur von Komponenten für den EUV-Wellenlängenbereich dar. Bei den bisherigen indirek ten Prozessen aktiviert ein Elektronenstrahl einen lokalen Abscheideprozess zum Ab- scheiden von fehlendem Material oder einen lokalen Ätzprozess zum Entfernen von überschüssigem Material durch Bereitstellen eines Präkursor-Gas am Reaktionsort. Eine erfindungsgemäße Vorrichtung benutzt hingegen einen Photonenstrahl im EUV- Wellenlängenbereich und/oder im Wellenlängenbereich weicher Röntgenstrahlung, um direkt einen Defekt zu reparieren. Dadurch überwindet eine erfindungsgemäße Vorrichtung die laterale Auflösungsbegrenzung herkömmlicher Reparaturvorrichtun gen, die durch den Einsatz eines Präkursor-Gases bewirkt wird. Aufgrund der kleinen Wellenlänge elektromagnetischer Strahlung im EUV-Bereich stößt eine erfindungsge mäße Vorrichtung in neue Dimensionen lateraler Ortsauflösung bei der Defektrepara tur von optischen Komponenten für den EUV-Wellenlängenbereich vor. Überdies wird eine Verschmutzung der optischen Komponente bei einer Defektreparatur durch ein Präkursor-Gas und/ oder dessen Bestandteile vermieden.

Der EUV-Spektralbereich umfasst Wellenlängen von 10 nm bis 121 nm. Dies entspricht Photonenenergien zwischen 124 eV (Elektronenvolt) und 10,3 eV. Unter dem Bereich weicher Röntgenstrahlung wird in dieser Anmeldung der Wellenlängenbereich von 0,1 nm bis 10 nm verstanden. Die zugehörigen Photonenenergien erstrecken sich über den Bereich von 12400 eV bzw. 12,4 keV bis 124 eV. Die aktinische Wellenlänge, d.h. die Wellenlänge, bei der die optische Komponente betrieben wird, umfasst vorzugsweise den Wellenlängenbereich von 10 nm bis 15 nm bzw. den Energiebereich von 124 eV bis 82,7 eV.

Die zumindest eine Lichtquelle kann einen Photonenstrahl mit einer Wellenlänge im Bereich der aktinischen Wellenlänge erzeugen. Einerseits weist ein fokussierter Photonenstrahl im Bereich der aktinischen Wellenlän ge eine hohe laterale Ortsauflösung auf, wodurch das Ausführen einer sehr präzisen Reparatur eines Defekts ermöglicht und gleichzeitig die Gefahr einer Beschädigung der optischen Komponente während des Reparaturprozesses verringert wird. Andererseits kann eine Lichtquelle, die einen Photonenstrahl im Bereich der aktinischen Wellenlän- ge generiert, zum Aufnehmen eines Luftbildes einer defekten Stelle und/oder einer reparierten Stelle eingesetzt werden.

Das lokale Verändern der optischen Komponente kann eine lokale Änderung einer Re- flektivität der optischen Komponente im Bereich einer aktinischen Wellenlänge umfas sen.

Defekte einer reflektierenden optischen Komponente für den EUV-Wellenlängenbe- reich äußern sich typischerweise in einer ungleichmäßigen Verteilung der reflektierten optischen Intensität. Dabei kann es Bereiche der optischen Komponente geben, aus denen mehr bzw. weniger Licht, wie vom Design vorgesehen, reflektiert wird. Indem der EUV-Photonenstrahl eingesetzt wird, lokal die Reflektivität der optischen Kompo nente zu ändern, kann die ungleichmäßige Verteilung der von der optischen Kompo nente reflektierten optischen Intensität beseitigt werden oder zumindest deutlich ver- ringert werden.

Das lokale Verändern der optischen Komponente kann ein lokales Entfernen von Mate rial von der optischen Komponente mit dem Photonenstrahl umfassen. Das Material wird von der optischen Komponente mit Hilfe des Photonenstrahls durch Verdampfen entfernt. Zum Verdampfen von Material muss dieses zum einen auf die materialspezifische Verdampfungstemperatur aufgeheizt werden, hierfür ist eine von der Dichte und der Wärmekapazität des Materials abhängige Energiemenge notwendig. Zum anderen muss die ebenfalls Material-spezifische Verdampfungswärme dem Mate- rial bereitgestellt werden. Ein fokussierter EUV-Photonenstrahl kann lokal diese spezi fischen Energiedichten, d.h. Energie pro Volumen aufbringen. Dies beruht im Wesent lichen auf zwei Eigenschaften eines EUV-Photonenstrahls. Dieser kann zum einen auf eine sehr kleine beugungsbegrenzte Fläche fokussiert werden und zum anderen können Pulse von EUV-Photonenstrahlen im Sub-Femtosekundenbereich erzeugt werden, die eine sehr große Leistungsdichte aufweisen.

Eine optische Komponente kann eine photolithographische Maske für den EUV- Wellenlängenbereich oder einen Spiegel für den EUV-Wellenlängenbereich umfassen. Das lokale Entfernen von Material kann zumindest ein Element aus der Gruppe umfas sen: Entfernen von überschüssigem Material zumindest eines Elements eines Absor ber-Patterns einer photolithographischen Maske, Entfernen von Material der Mehr schichtstruktur der optischen Komponente, und Entfernen zumindest eines Partikels von der optischen Komponente.

Die Lichtquelle einer eründungsgemäßen Vorrichtung ermöglicht sowohl das Reparie ren oder Korrigieren von Defekten überschüssigen Materials als auch von Defekten fehlenden Materials. Ein Defekt fehlenden Absorber-Materials eines oder mehrerer Pattern-Elemente einer photolithographischen Maske wird durch ein lokales Entfernen eines Teils der Mehrschichtstruktur kompensiert. Dadurch werden aus dem bearbeite ten Teil der photolithographischen Maske im Wesentlichen keine Photonen mehr re flektiert und in einem Luftbild oder in einem Bild in einem Photolack ist die reparierte Stelle nicht von einer defektfreien Stelle zu unterscheiden.

Nach dem gleichen Prinzip kann eine ungleichmäßige Reflexion eines EUV-Spiegels repariert werden. Zudem kann ein auf der optischen Komponente vorhandenes Parti kel, der in einem Luftbild der optischen Komponente sichtbar ist, durch Verdampfen mittels eines fokussierten EUV-Photonenstrahls von einer Oberfläche der optischen Komponente entfernt werden.

Der Ausdruck „im Wesentlichen“ bedeutet hier, wie auch an anderen Stellen der vorlie genden Anmeldung, eine Messung einer physikalischen Größe innerhalb ihrer Fehler grenzen, wenn Messgeräte gemäß dem Stand der Technik für die Messung verwendet werden.

Die zumindest eine Lichtquelle kann ferner ausgebildet sein, eine Energiedichte des Photonenstrahls zum Reparieren des zumindest einen Defekts der optischen Kompo nente einzustellen.

Die Energiedichte des Photonenstrahls durch zumindest zwei Parameter eingestellt werden. Zum einen kann die Fokusbedingung und dadurch die Fleckgröße eingestellt werden, mit der der Photonenstrahl der Lichtquelle auf den Defekt bzw. die optische Komponente auftrifft. Zum anderen kann die mittlere Leistung und damit auch die Pulsleistung des Photonenstrahls variiert werden.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung kann ferner einen Detektor aufweisen zum Detek- tieren von der optischen Komponente reflektierten Photonen, und/oder einen Energie sensor zum Nachweisen von der optischen Komponente und/oder von dem zumindest einen Defekt während einer Reparatur reflektierten Photonen zum Überwachen der Reparatur.

Falls die Vorrichtung einen Detektor aufweist, kann dieser vor, während und nach ei nem Reparaturvorgang eines Defekts eingesetzt werden, um die Auswirkung des De fekts oder eines verbliebenen Defektteils zu untersuchen. Insbesondere kann der De tektor in Kombination mit dem Photonenstrahl zum Überprüfen des Erfolgs einer De fektreparatur benutzt werden.

Ein Energiesensor kann eingesetzt werden, um von der reparierten Stelle während ei nes Reparaturvorgangs reflektierte Photonen zu detektieren und dadurch eine Ände rung der Photonenflussdichte, insbesondere eine Abnahme der Photonenflussdichte während des Reparaturprozesses zu bestimmen.

Der Detektor kann eine CCD- (Charge Coupled Device) Kamera für den EUV- Wellenlängenbereich umfassen. Der Energiesensor kann ein Element bzw. ein Detekto relement einer CCD-Kamera sein.

Ferner kann die erfindungsgemäße Vorrichtung einen energiedispersiven Röntgen strahldetektor umfassen. Der energiedispersive Röntgenstrahldetektor kann von der optischen Komponente und/oder dem Defekt der optischen Komponente als Folge der Bestrahlung mit dem Photonenstrahl erzeugte Photonen nachweisen. Dadurch wird es möglich, eine Materialzusammensetzung das Material, das der Photonenstrahl bearbei tet, zu bestimmen.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung kann ausgebildet sein, die zumindest eine Licht quelle und den Energiesensor in einer geschlossenen Rückkopplungsschleife zu betrei ben. Dadurch wird es möglich, einen Reparaturprozess in Echtzeit zu überwachen. Die Wahrscheinlichkeit für das Fehlschlagen eines Reparaturvorgangs kann deutlich ver ringert werden. Insbesondere kann das Beschädigen der optischen Komponente weit- gehend verhindert werden, kann doch in Realzeit festgestellt werden, ob Material eines Defekts oder der optischen Komponente abgetragen wird.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung kann ferner zumindest einen ersten Spiegel zum Scannen des Photonenstrahls über den zumindest einen Defekt der optischen Kompo nente aufweisen, und kann zumindest einen zweiten Spiegel zum Richten des Photo- nenstrahls auf einen Bereich der optischen Komponente, der den zumindest einen De fekt umfasst, aufweisen.

Eine Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung mit zwei Spiegeln erleich tert ein Umschalten der Vorrichtung von einem Untersuchungsmodus der optischen Komponente bzw. des Defekts der optischen Komponente in einen Reparaturmodus zum Reparieren des Defekts und umgekehrt.

Der zumindest eine erste Spiegel kann ausgebildet sein, den Photonenstrahl auf den zumindest einen Defekt der optischen Komponente zu fokussieren. Ferner kann der zumindest eine erste Spiegel ausgebildet sein, den fokussierten Photonenstrahl über die optische Komponente und/oder den zumindest einen Defekt der optischen Komponen te zu rastern.

Die zumindest eine Lichtquelle kann ausgebildet sein, einen kohärenten Photonen- strahl im EUV-Wellenlängenbereich und/ oder im Wellenlängenbereich weicher Rönt genstrahlung zu erzeugen.

Die zumindest eine Lichtquelle kann einen High Harmonie Generation (HHG)-Laser umfassen. Das Spektrum hoher Harmonischer eines fokussierten Femtosekunden- Lasersystems reicht bis in den EUV-Wellenlängenbereich und teilweise darüber hinaus in den noch kurzwelligeren Spektralbereich. Ein HHG- Laser erzeugt ultrakurze EUV- bzw. Röntgenpulse mit einer kleinen Strahldivergenz. Ein Photonenstrahl kann einen Fleckdurchmesser von 0,5 nm bis 200 nm, bevorzugt 1 nm bis 100 nm, mehr bevorzugt 1 nm bis 50 nm, und am meisten bevorzugt 1 nm bis 20 nm aufweisen. Der Fleckdurchmesser bezeichnet die FWHM- (Full Width Half Maxi mum) Halbwertsbreite des Photonenstrahls.

Ein Photonenstrahl kann Pulse mit einer Pulslänge im Bereich von 0,5 fs bis 200 fs, bevorzugt 1 fs bis 100 fs, mehr bevorzugt 2 fs bis 50 fs und am meisten bevorzugt von 3 fs bis 30 fs umfassen. Die Abkürzung „fs“ steht für Femtosekunde. Die Pulse des Photonenstrahls können eine Pulsleistung im Bereich von 0,5 nW bis 2 nW, bevorzugt 0,2 nW bis 5 nW, mehr bevorzugt 0, 1 nW bis 10 nW, und am meisten bevorzugt 0,05 nW bis 20 nW aufweisen.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung kann ferner eine Steuereinrichtung aufweisen, die ausgebildet ist, den zumindest einen ersten Spiegel und/oder den zumindest einen zweiten Spiegel über eine makroskopische Distanz zu bewegen.

Indem der zumindest eine erste oder der zumindest eine zweite Spiegel in den Photo nenstrahl der zumindest einen Lichtquelle gebracht wird, kann zwischen dem Repara- tur- und dem Untersuchungsmodus hin und her geschaltet werden, ohne die optische Komponente zu bewegen.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung kann eine Fresnel-Zonenplatte umfassen, und/oder die Steuereinrichtung kann ausgebildet sein, die Fresnel-Zonenplatte in den Photonen- strahl hinaus und aus dem Photonenstrahl heraus zu bewegen.

In einer zweiten Ausführungsform weist die oben definierte Vorrichtung eine Fresnel- Zonenplatte auf, die es ermöglicht, zwischen einer Reparaturbetriebsart und einer Un tersuchungsbetriebsart zu wechseln.

Die Steuereinrichtung kann ferner ausgebildet sein, die Vorrichtung für einen Untersu chungsmodus mit dem Photonenstrahl zu konfigurieren, und/ oder die Steuereinrich tung kann zudem ausgebildet sein, die Vorrichtung zwischen dem Untersuchungsmo dus und einem Reparaturmodus zu schalten. Es ist ein entscheidender Vorteil einer erfindungsgemäßen Vorrichtung, dass diese ei nerseits ein Untersuchen der optischen Komponente bzw. eines Defekts der optischen Komponente ermöglicht und andererseits das Reparieren des Defekts erlaubt, ohne dass die optische Komponente vom Reparatur-Tool zu einem Review-Tool bewegt und damit neu ausgerichtet werden muss. Überdies bedingt der Transport der optischen Komponente von einem ersten Tool zu einem zweiten Tool typischerweise ein Brechen des Vakuums, was den Prozessablauf zusätzlich verlangsamt. Aus den genannten Gründen beschleunigt eine erfindungsgemäße Vorrichtung einen Reparaturprozess gegenüber dem Stand der Technik drastisch.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung kann ferner einen Probenhalter zum Fixieren der optischen Komponente aufweisen, der ausgebildet ist, die optische Komponente um zumindest eine Achse zu rotieren, und/ oder der Probenhalter kann ferner ausgebildet sein, die optische Komponente in zumindest einer lateralen Richtung zu verschieben, um einen im Wesentlichen defektfreien Bereich der optischen Komponente mit dem Photonenstrahl zu untersuchen.

Das Reparieren eines Defekts kann durch einen im Wesentlichen senkrechten Einfall des Photonenstrahls auf die optische Komponente ausgeführt werden. Zum Untersu chen der optischen Komponente, etwa zum Überprüfen des Erfolgs des Reparaturpro zesses ist es notwendig, dass der Photonenstrahl unter dem Winkel gegenüber der Normalenrichtung auf der optischen Komponente auftrifft, der vom Design hierfür vorgesehen ist. Durch das Rotieren der optischen Komponente kann diese Bedingung hergestellt werden. Dadurch kann im Untersuchungsmodus ein bestmögliches Luftbild des reparierten Bereichs der optischen Komponente erhalten werden.

In einem alternativen Ausführungsbeispiel der zweiten Ausführungsform wird anstelle der optischen Komponente zumindest ein Spiegel der Vorrichtung bewegt, um die Bragg-Bedingung für die optische Komponente zu erfüllen.

Die zumindest eine Lichtquelle kann eine erste Lichtquelle umfassen, die ausgebildet ist, einen fokussierten Photonenstrahl über den zumindest einen Defekt zu rastern zum Reparieren des zumindest einen Defekts, und kann eine zweite Lichtquelle umfassen, die ausgebildet ist, einen Photonenstrahl auf den Bereich der optischen Komponente zu richten, der zumindest den zumindest einen Defekt umfasst.

In einer dritten Ausführungsform umfasst eine erfindungsgemäße Vorrichtung zwei getrennte Lichtquellen, die für Ihre jeweilige Aufgabe optimiert sind. Die Anordnung der beiden Lichtquellen kann so gewählt werden, dass zum Umschalten zwischen ei nem Reparaturmodus und einem Untersuchungsmodus keine Teile über makroskopi sche Entfernungen bewegt werden müssen. Die erste und die zweite Lichtquelle können einen Photonenstrahl im aktinischen Wel lenlängenbereich der optischen Komponente erzeugen. Die erste Lichtquelle kann ei nen Photonenstrahl außerhalb des aktinischen Wellenlängenbereichs generieren und die zweite Lichtquelle kann einen Photonenstrahl innerhalb des aktinischen Wellenlän genbereichs erzeugen.

Die optische Komponente kann während der Reparatur und/oder während einer Un tersuchung ein Pellikel umfassen, das der Photonenstrahl durchstrahlt.

Es ist ein Vorteil einer erfindungsgemäßen Vorrichtung, dass diese sowohl einen Repa- raturprozess als auch einen Untersuchungsprozess der optischen Komponente ausfüh ren kann, bei der die optische Komponente ein Pellikel aufweist. Dadurch wird ein De fekt so untersucht, wie er sich im Betrieb der optischen Komponente manifestiert. Fer ner wird der Reparaturprozess unter einsatznahen Bedingungen der optischen Kompo nente ausgeführt. Es ist ein weiterer Vorteil, dass Reparaturen durch ein Pellikel hin- durch ausgeführt werden können, wobei das Pellikel nach Beendigung des Reparatur prozesse voll funktionsfähig bleibt und deshalb nicht gewechselt werden muss. Über dies verhindert ein auf einer optischen Komponente montiertes Pellikel, dass sich das von der optischen Komponente entfernte Material in der Vorrichtung oder an entfern ten Stellen der optischen Komponente niederschlägt und diese dadurch verunreinigt. Ein Absetzen des von der Maske entfernten Materials auf dem Pellikel ist dem von der Maske auszuführenden Belichtungsprozess nicht oder nur in sehr geringem Maße ab träglich. Ein Verfahren zum Reparieren zumindest eines Defekts einer optischen Komponente für den extrem ultravioletten (EUV) Wellenlängenbereich, wobei die optische Kompo nente ein Substrat und eine auf dem Substrat angeordnete Mehrschichtstruktur um fasst, weist die Schritte auf: (a) Erzeugen eines Photonenstrahls im EUV-Wellenlängen- bereich und/ oder im Wellenlängenbereich weicher Röntgenstrahlung; und (b) Einstel len des Photonenstrahls, so dass durch ein lokales Verändern der optischen Kompo nente der zumindest eine Defekt repariert wird.

Das Einstellen des Photonenstrahls kann zumindest ein Element aus der Gruppe um- fassen: Fokussieren des Photonenstrahls, Ändern einer Pulsleistung des Photonen strahls, Ändern einer Polarisation des Photonenstrahls, und Ändern eines Einfallswin kes des Photonenstrahls bezüglich einer Normalenrichtung der optischen Komponente.

Das erfindungsgemäße Verfahren kann ferner den Schritt aufweisen: Umschalten zwi- sehen einem Reparieren des zumindest einen Defekts der optischen Komponente mit dem Photonenstrahl und einem Untersuchen der optischen Komponente und/oder des zumindest einen Defekts der optischen Komponente mit dem Photonenstrahl.

Das erfindungsgemäße Verfahren kann ferner zumindest einen der Schritte aufweisen: (a) Untersuchen des zumindest einen Defekts mit dem Photonenstrahl, und/oder Un tersuchen einer im Wesentlichen defektfreien Referenzposition mit dem Photonen strahl; (b) Bestimmen einer Reparaturform für den zumindest einen untersuchten De fekt, falls der zumindest eine untersuchte Defekt eine vorgegebene Schwelle übersteigt; (c) Reparieren des zumindest einen Defekts mit dem Photonenstrahl; (d) Untersuchen einer reparierten Stelle der optischen Komponente mit dem Photonenstrahl; und (e) Wiederholen der Schritte a. und b., falls ein verbleibender Rest des zumindest einen Defekts die vorgegebene Schwelle übersteigt.

Die Vorrichtung nach einem der oben beschriebenen Aspekte kann ausgebildet sein, die Verfahrensschritte eines der oben angegebenen Verfahren auszuführen.

Schließlich umfasst ein Computerprogramm Anweisungen, die, wenn sie von einem Computersystem ausgeführt werden, das Computersystem veranlassen, die Verfah rensschritte der oben beschriebenen Aspekte auszuführen. 4. Beschreibung der Zeichnungen

In der folgenden detaillierten Beschreibung werden derzeit bevorzugte Ausführungs- beispiele der Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben, wobei

Fig. l im oberen Teilbild schematisch einen Ausschnitt eines Schnitts einer Seiten ansicht einer Maske für den extrem ultravioletten Wellenlängenbereich (EUV) zeigt, mit einem Pattern-Element, das einen Defekt inForm überschüssigen Absorber-Materials aufweist, und im unteren Teilbild eine Aufsicht auf die Sei tenansicht des oberen Teilbildes wiedergibt;

Fig. 2 schematisch die Änderung der normierten Intensität während der Reparatur des Defekts überschüssigen Absorber-Materials der EUV-Maske der Fig. l veranschaulicht;

Fig. 3 im oberen Teilbild schematisch einen Ausschnitt eines Schnitts einer Seiten ansicht eine EUV-Maske darstellt, mit einem Pattern-Element, das einen De fekt inForm fehlenden Absorber-Materials aufweist, und im unteren Teilbild eine Aufsicht auf die Seitenansicht des oberen Teilbildes präsentiert;

Fig. 4 schematisch die Änderung der normierten Intensität während der Reparatur des Defekts fehlenden Absorber-Materials der EUV-Maske der Fig. 3 veran schaulicht;

Fig. 5 im oberen Teilbild schematisch einen Ausschnitt eines Schnitts einer Seiten ansicht eine EUV-Maske zeigt, die einen Defekt inForm eines Partikels auf weist, und im unteren Teilbild eine Aufsicht auf die Seitenansicht des oberen Teilbildes wiedergibt;

Fig. 6 schematisch einen Schnitt durch eine EUV-Maske mit einem Defekt und ein erstes Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung zur Reparatur des Defekts prä sentiert, wobei die Vorrichtung im Reparaturmodus arbeitet; Fig. 7 die Fig. 6 reproduziert, wobei jedoch die Vorrichtung im Untersuchungsmo dus arbeitet;

Fig. 8 die EUV-Maske der Fig. 6 mit einem zweiten Aufführungsbeispiel der Vorrich tung zur Reparatur des Defekts darstellt, wobei die Vorrichtung im Repara turmodus arbeitet;

Fig. 9 die Fig. 8 reproduziert, wobei jedoch die Vorrichtung im Untersuchungsmodus betrieben wird;

Fig. io die EUV-Maske der Fig. 6 mit einem dritten Aufführungsbeispiel der Vorrich tung zur Reparatur des Defekts wiedergibt, wobei die Vorrichtung im Repara turmodus arbeitet; Fig. 11 die Fig. 10 reproduziert, wobei jedoch die Vorrichtung im Untersuchungsmo dus arbeitet;

Fig. 12 die Vorrichtung der Figuren io und n wiedergibt, wobei die Vorrichtung gleichzeitig im Reparaturmodus und im Untersuchungsmodus arbeitet;

Fig. 13 die Konfiguration der Fig. 6 zeigt, wobei während des Reparaturprozesse ein Pellikel auf die EUV-Maske montiert ist;

Fig. 14 im linken Teilbild eine Streifenstruktur einer EUV-Maske mit einem Defekt und rechten Teilbild eine defektfreie Referenz-Streifenstruktur präsentiert, wobei beide Teilbilder mit EUV-AIMS™ aufgenommen wurden;

Fig. 15 in den oberen Teilbildern die Streifenstrukturen der EUV-Maske der Teilbilder der Fig. 14 darstellt, wie diese in Bildern erscheinen, die eine Reparaturvor richtung im Untersuchungsmodus erzeugt, das untere linke Teilbild das obere linke Teilbild nach Abschluss des Defektreparaturprozesses präsentiert und das untere rechte Teilbild die Referenz-Streifenstruktur des oberen rechten

Teilbildes reproduziert; Fig. 16 die Bilder der Fig. 14 nach der Defektreparatur wiedergibt;

Fig. 17 ein Flussdiagramm einen Reparaturprozess einer optischen Komponente für den EUV-Wellenlängenbereich zeigt; und

Fig. 18 ein Flussdiagramm eines erfindungsgemäßen Verfahrens zum Reparieren ei nes Defekts einer optischen Komponente für den EUV-Wellenlängenbereich darstellt. 5. Detaillierte Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele

Im Folgenden werden derzeit bevorzugte Ausführungsformen einer erfindungsgemä ßen Vorrichtung sowie eines erfindungsgemäßen Verfahrens zum Reparieren eines 0- der mehrerer Defekte einer photolthographischen Maske für den extrem ultraviolet- ten(EUV)-Wellenlängenbereich genauer erläutert. Die erfindungsgemäße Vorrichtung und das erfindungsgemäße Verfahren sind jedoch nicht auf die im Folgenden diskutier ten Beispiele beschränkt. Vielmehr können diese allgemein zum Reparieren von Defek ten optischer Komponenten für den extrem ultravioletten (EUV)-Wellenlängenbereich benutzt werden. Beispiele für optische Komponenten für den EUV-Wellenlängenbe- reich sind neben EUV-Photomasken auch EUV-Spiegel, d.h. Spiegel für den EUV- Wellenlängenbereich.

Die Fig. 1 präsentiert schematisch im oberen Teilbild 105 eine Seitenansicht auf einen Ausschnitt einer photolithographischen Maske 100 für den EUV-Wellenlängenbereich. Eine photolithographische Maske 100 für den EUV-Wellenlängenbereich wird im Fol genden auch EUV-Maske 100 oder EUV-Photomaske 100 genannt. Die beispielhafte EUV-Maske 100 der Fig. 1 ist für eine Belichtungswellenlänge bzw. eine aktinische Wel lenlänge im Bereich von 13,5 nm ausgelegt. Die EUV-Maske 100 weist ein Substrat 110 aus einem Material mit einem niedrigen thermischen Ausdehnungskoeffizienten auf, wie beispielsweise Quarz. Andere Dielektrika, Glasmaterialien oder halbleitende Mate rialien können ebenfalls als Substrate für EUV-Masken eingesetzt werden, wie etwa ZERODUR®, ULE® oder CLEARCERAM®. Die Rückseite bzw. die rückseitige Oberflä che des Substrats 110 der EUV-Maske 100 dient zum Halten des Substrats 110 während der Herstellung der EUV-Maske 100 und während ihres Betriebs in einer EUV- Photolithographievorrichtung. Auf der Rückseite des Substrats 110 ist vorzugsweise eine dünne elektrisch leitfähige Schicht zum Halten des Substrats auf einer elektrosta tischen Ansaugvorrichtung (englisch: electrostatic chuck (ESC)) aufgebracht (in der Fig. l nicht dargestellt). In einer alternativen Ausführungsform weist die EUV-Maske loo keine elektrisch leitfähige Schicht auf der Rückseite des Maskensubstrats no auf und die EUV-Maske 100 wird mit Hilfe einer Unterdrück- Ansaugvorrichtung (englisch: vacuum chuck (VC)) während ihres Betriebs in einer EUV- Photolithographievorrichtung fixiert. Auf die Vorderseite des Substrats no wird ein Mehrschichtfilm oder eine Mehr schichtstruktur 120 abgeschieden, die 20 bis 80 Paare alternierender Molybdän- (Mo) und Silizium- (Si) Schichten umfasst, die im Folgenden auch als MoSi-Schichten be zeichnet werden. Die Dicke der Mo-Schichten beträgt 4,15 nm und die Si-Schichten weisen eine Dicke von 2,80 nm auf. Um die Mehrschichtstruktur 120 zu schützen, wird eine Deckschicht 130, beispielsweise aus Siliziumdioxid, typischerweise mit einer Dicke von etwa 7 nm auf der obersten Silizium-Schicht aufgebracht. Andere Materialien wie beispielsweise Ruthenium (Ru) können ebenfalls zum Bilden einer Deckschicht 130 eingesetzt werden. Anstelle von Molybdän können für die MoSi-Schichten auch Schich ten aus anderen Elementen mit hoher Nukleonenzahl, wie etwa Kobalt (Co), Nickel (Ni), Wolfram (W), Rhenium (Re), Zirconium (Zn) oder Iridium (Ir) verwendet wer den. Das Abscheiden der Mehrschichtstruktur 270 kann beispielsweise durch Ionen- strahl-Abscheiden (IBD, Ion Beam Deposition) erfolgen.

Auf die Deckschicht 130 der EUV-Maske 100 wird eine Absorptionsschicht abgeschie- den. Für die Absorptionsschicht geeignete Materialien sind unter anderem Cr, Titan nitrid (TiN) und/oder Tantalnitrid (TaN). Auf die Absorptionsschicht kann eine Antire flexionsschicht aufgebracht werden, beispielsweise aus Tantaloxynitrid (TaON) (in der Fig. 1 nicht dargestellt). Die Absorptionsschicht wird beispielsweise mit Hilfe eines Elektronenstrahls oder eines Laserstrahls strukturiert, so dass aus der ganzflächigen Absorptionsschicht eine Struktur aus absorbierenden Pattern-Elementen erzeugt wird. In dem Ausschnitt der Fig. 1 ist ein Pattern-Element 140 dargestellt, das breiter ist als vom Design vorgesehen. Das überschüssige Material 150 ist ein Defekt 150 der EUV- Maske 100. Aufgrund des Defekts 100 werden aus dem Bereich überschüssigen Materi- als 150 keine oder zumindest sehr viel weniger EUV-Photonen reflektiert als vom De sign vorgesehen.

Der Defekt 150 überschüssigen Absorber-Materials kann mit Hilfe eines EUV- Laserstrahls 160 oder eines EUV-Photonenstrahls 160 entfernt werden. Ein EUV- Photonenstrahl kann beispielsweise erzeugt werden, indem ultrakurze Pulse eines Pumplasers fokussiert werden und im Fokus bzw. in der Nähe des Fokus einem Gasstrom ausgesetzt werden. Als Pumplaser kann zum Beispiel ein Titan:Saphir-Laser eingesetzt werden, der vorzugsweise Femtosekungen-Lichtpulse bei einer Wellenlänge von 800 nm emittiert. Als Gase zum Erzeugen von EUV-Photonenstrahlen 160 werden derzeit bevorzugt Edelgase, wie etwa Krypton oder Xenon eingesetzt. Ab einer zweidi mensionalen Leistungsdichte von etwa 10 ¹⁴ W/cm ² oder einer Photonenflussdichte von etwa 10 ¹⁴ J/(cm ² -s) des Pumplaser-Strahls werden in dem Gasstrom hohe Harmonische erzeugt. Die Erzeugung hoher Harmonischer wird im Fachgebiet als High Harmonie Generation (HHG) bezeichnet. Bei den oben angegebenen extrem hohen Intensitäten erreicht das elektrische Feld des Pumpstrahls eine Feldstärke, die vergleichbar dem elektrischen Feld in einzelnen Atomen ist. Das inneratomare elektrische Feld wird durch das elektrische Feld im Fokus des Pumplaser-Strahls so deformiert oder gestört, dass Elektronen die Bindung an das Atom überwinden können und ins Kontinuum tunneln können. Die freien Elektronen werden dann im Laserfeld durch Absorption von mehreren oder vielen (bis zu mehreren Hundert) Photonen beschleunigt. Beim Vorzeichenwechsel des elektrischen Laser-Feldes wird ein Teil der Elektronen im elektrischen Feld des Atoms, von dem das Elektron stammt, gebremst und gibt seine Energie in Form eines hochenergetischen oder einiger weniger hochenergetischer Pho- tonen ab. Die höchste mit diesem Prinzip erzeugbare Photonenenergie ist durch die maximale Anzahl der von einem Elektron in der Beschleunigungsphase aufgenommen Photonen begrenzt. Während einer Schwingungsdauer des Pumplaser- Lichts werden zwei kohärente ultrakurze Sub-Femtosekundenpulse mit einer kleinen Strahl divergenz erzeugt.

Aus der Vielzahl der erzeugten Harmonischen kann mit Hilfe eines EUV-Spektrometers eine Harmonische ausgewählt werden, die im Bereich der aktinischen Wellenlänge liegt, beispielsweise bei 13,5 nm, oder dem Bereich der aktinischen Wellenlänge am nächsten kommt. Derzeit erreichen HHG- Lasersysteme in aktinischen Wellenlängen- bereich eine mittlere Leistung etwa 1 pW, dies entspricht bei einer angenommenen Photonenenergie von 100 eV pro Photon einem Photonenstrom von etwa 7·io ¹⁰ Photo- nen/s. Es wird nun angenommen, dass 10% der EUV-Photonen in einen Fleckdurchmesser von 100 nm konzentriert werden können. Dies entspricht einer Photonenflussdichte von ungefähr 7·io ⁶ Photonen/(nm ² -s). Dies entspricht einer Energieflussdichte von etwa 10 ³ J/cm ² und ist damit sehr deutlich über der Schwellenenergiedichte für Femto- sekunden-Laserpulse. Wie bereits oben ausgeführt, tragen zwei sich verstärkende Fak- toren zu der enormen Energieflussdichte eines Photonenstrahls eines EUV-Lasers, bei spielsweise eines HHG- Lasersystem, bei. Zum einem können die EUV-Photonen auf grund ihrer sehr kurzen Wellenlänge auf kleine Flächen fokussiert werden. Zum ande ren trägt ein einzelnes EUV-Photon verglichen mit einem Photon aus dem sichtbaren Spektralbereich eine große Energiemenge.

Die Autoren K.H. Leitz et al. untersuchen in dem Artikel „Metal Ablation with Short and Ultrashort Laser Pulses“, Physics Procedia 12 (011), S. 230-238), den Materialab trag mit Hilfe von Mikrosekunden-, Nanosekunden-, Pikosekunden- und Femtosekun- den-Laserpulsen. Für Femtosekunden-Laserpulse geben die Autoren eine Schwellener- giedichte von 1,25 J / cm ² für Laser-Strahlung in der Nähe des sichtbaren Spektralbe reichs an.

Die Wechselwirkungszone des EUV-Photonenstrahls 160 ist in der Fig. 1 durch das Be zugszeichen 170 illustriert. Die Wechselwirkung der Photonen von Femtosekunden- Pulsen mit Materie kann nicht mehr durch das klassische Ablationsmodell beschrieben werden, das die Prozesse Wärmeleitung, Schmelzen, Verdampfen und Plasmabildung berücksichtigt. Das nicht-klassische Ablationsmodell, das die ultraschnelle Wechsel wirkung zwischen einem Photonenstrahl und Materie beschreibt, basiert auf der An nahme, dass beim Einwirken ultrakurzer Laserpulse auf Materie die Elektronen, bzw. in einem Metall das Elektronengas nicht mehr im thermischen Gleichgewicht mit den Atomrümpfen sind. Auf einer Femtosekunden-Zeitskala kann das Elektronengas seine Energie nicht instantan an das Gitter aus Atomrümpfen abgeben. Unter der Einwir kung von Femtosekunden-Laserpulsen entstehen lokal sehr hohe Drücke, Dichten und Temperaturen, die das ionisierte Material des Defekts 150 auf hohe Geschwindigkeiten beschleunigen. Wegen der kurzen Wechselwirkungszeit kann das Material des Defekts 150 nicht kontinuierlich verdampfen, sondern wird in den Zustand einer überhitzen Flüssigkeit überführt. Diese verschmilzt in ein Hochdruckgemisch aus Flüssigkeit ströpfchen und Dampf, das sich schnell ausbreitet. Die Flüssigkeitströpfchen sind in der Fig. 1 durch das Bezugszeichen 180 veranschaulicht.

Die ultrakurzen Pulse des EUV-Photonenstrahls 160 werden über den Defekt 150 ge rastert. Dabei können ein, mehrere oder viele, beispielsweise mehrere Hundert Pulse auf die gleiche Stelle des Defekts 150 gerichtet werden, bevor der Photonenstrahl 160 auf eine neue Position des Defekts 150 fokussiert wird. Um den Defekt 150 besser bear beiten zu können, kann der Photonenstrahl 160 und/oder die EUV-Maske 100 bei Be darf aus der Normalenrichtung gekippt werden.

Die Fig. 2 zeigt schematisch das Anwachsen der aus dem Bereich des Defekts 150 der EUV-Maske 100 reflektierten EUV-Photonen. Als Referenz wird eine Stelle der EUV- Maske 100 betrachtet, die eine identische Anordnung von Pattern-Elementen 140 auf weist, ohne jedoch eine defekte Stelle 150 oder eine defekte Position 150 zu haben. Auf diese Referenzposition wird der defektbehaftete Bereich der EUV-Maske 100 bezogen. Indem das überschüssige Absorber-Material des Defekts 150 mit Hilfe des EUV- Photonenstrahls 160 von der Deckschicht 130 der EUV-Maske entfernt wird, steigt lo kal die von der EUV-Maske reflektierte optische Intensität an. Nachdem die aus dem Bereich des Defekts 150 reflektierte Strahlung, das Niveau des Referenzbereichs er reicht, wird der Reparaturprozess gestoppt, indem der EUV-Photonenstrahl 160 ausge schaltet bzw. unterbrochen wird.

Das Überwachen des Reparaturprozesses kann auf mehrere Arten erfolgen. Zum einen kann mittels eines Energiesensors während des Reparaturvorgangs permanent die aus dem defektbehafteten Bereich reflektierte optische Intensität im EUV- Wellenlängenbereich gemessen werden. Dies ist in der Fig. 2 veranschaulicht. Es ist aber auch möglich, den Reparaturprozess von Zeit zu Zeit zu unterbrechen und mit

Hilfe eines großflächigen EUV-Photonenstrahls und einem Detektor die optische Refle xion aus dem Bereich des Defekts 150 zu kontrollieren. Schließlich ist es auch möglich, einen energiedispersiven Röntgenstrahl-Detektor einzusetzen, um die während des Reparaturprozesses von dem Defekt 150 erzeugten Röntgen-Photonen energieselektiv zu analysieren. Dadurch kann die Materialzusammensetzung des Defekts 150 analysiert werden und festgestellt werden, wenn der EUV-Photonenstrahl 160 die Deckschicht 130 der EUV-Maske erreicht. Das obere Teilbild 305 der Fig. 3 zeigt eine Seitenansicht eines Ausschnitts einer EUV- Maske 300, die einen Defekt 350 fehlenden Absorber-Material eines Pattern-Elements 340 aufweist. Die untere Teilbild 355 präsentiert die dazugehörige Aufsicht. Der Defekt 350 zeichnet sich dadurch aus, dass aus einem Bereich der EUV-Maske 300 EUV- Photonen reflektiert werden, der dunkel erscheinen sollte. Der Defekt 350 fehlenden Absorber-Materials kann auf verschiedene Arten repariert werden. Zum einen kann die Mehrschichtstruktur 120 unterhalb des defekten Bereiches 350 mit einem fokussierten EUV-Photonenstrahl 360 abgetragen werden. Dadurch wird sichergestellt, dass aus dem Bereich des Defekts 350 keine EUV-Photonen mehr reflektiert werden können.

Das Bezugszeichen 370 illustriert die lokale Wechselwirkungszone des EUV- Photonenstrahls 360 mit dem Material der Mehrschichtstruktur 120 der EUV-Maske 300.

Zur Reparatur des Defekts 350 kann es auch ausreichend sein, nur einen Teil der Mehrschichtstruktur 120 im Bereich des Defekts 350 zu entfernen. Typischerweise tra- gen die obersten Schichten einer Mehrschichtstruktur 120 den Großteil zur Reflexion von EUV-Photonen bei. Ferner kann es, insbesondere für kleinflächige Defekte 350 fehlenden Absorber-Materials bereits ausreichend sein, die Oberfläche der Mehr sichtstruktur 120 im Bereich des Defekts lokal aufzuschmelzen, so dass die Ebenheit der Deckschicht 130 und ggf. der obersten Schichten der Mehrschichtstruktur 120 lokal gestört bzw. zerstört sind.

Der anhand der Fig. 3 erläuterte Reparaturprozess kann auch zum Reparieren eines lokalen Überschusses optischer Intensität eines Spiegels für den EUV-Wellenlängen- bereich eingesetzt werden (in der Fig. 3 nicht dargestellt). Eine lokale erhöhte Reflekti- vität eines EUV-Spiegels kann durch einen Defekt der Mehrschichtstruktur 120 und/oder des Substrats 110 bewirkt werden.

Die Fig. 4 veranschaulicht schematisch die Änderung der lokal reflektierten optischen Intensität der EUV-Maske 300 als Folge des Ausführens des in der Fig. 3 beschriebe- nen Reparaturprozesses. Die aus dem Bereich des Defekts 350 reflektierte Intensität ist, ähnlich wie in der Fig. 2, auf einen defektfreien Bereich der EUV-Maske 300 mit identischem Pattern normiert. Aufgrund des Defekts 350 fehlenden Absorber-Materials werden aus einem Bereich der EUV-Maske 300 EUV-Photonen reflektiert, der eigent- lieh dunkel sein sollte. Dadurch führt der Defekt 350 zu einer lokal erhöhten Reflektivi- tät der EUV-Maske 300. Das Reparieren des Defekts 350 mit dem EUV-Photonenstrahl 360 verringert den lokalen Überschuss an optischer Intensität. Sobald die aus dem Be reich des Defekts reflektierte Strahlung das Referenzniveau erreicht, wird Reparatur prozess der EUV-Maske 300 beendet.

Das obere Teilbild 505 der Fig. 5 präsentiert eine Seitenansicht eines Schnitts eines Ausschnitts einer EUV-Maske 500, die einen Partikel 550 auf der Deckschicht 130 der Mehrschichtstruktur 120 aufweist. Die untere Teilbild 555 gibt wiederum die dazuge hörige Aufsicht wieder. Das Partikel 550 schattet einen Teil der Mehrschichtstruktur 120 für einfallende EUV-Photonen ab, was dazu führt, dass die EUV-Maske 500 aus dem Bereich des Defekts 550, d.h. des Partikels 550 weniger Photonen reflektiert als aus einem defektfreien Referenzbereich. Das Partikel 550 kann mittels des fokussierten Photonenstrahls 560 von der Deckschicht 130 der EUV-Maske 500 abgetragen werden. Das Bezugszeichen 570 veranschaulicht wiederum die Wechselwirkungszone des EUV- Photonenstrahls 560 mit dem Partikel 550.

Beim Entfernen eines Partikels 550 ist es günstig, während des Ablationsprozesses ei nen energiedispersiven Röntgenstrahlungs-Detektor einzusetzen, um die Materialzu sammensetzung des Partikels 550 in situ zu analysieren (in der Fig. 5 nicht dargestellt). Dadurch kann das Ende des Ablationsprozesses für das Partikel 550 überwacht werden. Zudem kann aus der Materialzusammensetzung des Partikels 550 oftmals dessen Quel le erschlossen werden. Falls dies gelingt, kann die Quelle der Verunreinigung beseitigt oder zumindest drastisch reduziert werden, so dass zukünftige Reparaturvorgänge vermieden werden können.

Das Diagramm 695 der Fig. 6 zeigt eine Seitenansicht eines Ausschnittes einer EUV- Maske 600. Die EUV-Maske 600 kann eine der defektbehafteten EUV-Masken 100,

300 oder 500 sein. D.h. der Defekt 650 der Maske 600 kann einer der Defekte 150, 350 oder 550 sein und das Absorber-Pattern 640 kann eines der Pattern-Elemente 140, 340, 540 der EUV-Masken 100, 300 oder 500 umfassen. Ferner kann die Wechselwir kungszone 670 eine der Wechselwirkungszonen 170, 370, 570 sein. Darüber hinaus veranschaulicht die Fig. 6 ein erstes Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung 700 zum Reparieren des Defekts 650 und zum Untersuchen der EUV-Maske 600 oder allgemein einer optischen Komponente 100, 300, 500 für den EUV-Wellenlängenbereich.

Die Fig. 6 illustriert schematisch den Teilprozess des Reparierens des Defekts 650. Die Vorrichtung 700 umfasst eine Lichtquelle 610 für den EUV-Wellenlängenbereich, die einen kollimierten EUV-Photonenstrahl 605 erzeugt. Ferner weist die Vorrichtung 700 eine Steuervorrichtung 750 auf, die über die Verbindung 710 mit der EUV-Lichtquelle 610 verbunden ist. Der von der EUV-Lichtquelle 610 generierte EUV-Photonenstrahl 605 wird von einem ersten abbildendenden EUV-Spiegel 620 auf den Defekt 650 der EUV-Maske 600 fokussiert. Der erste abbildende EUV-Spiegel 620 ist über die Verbin dung 730 mit der Steuervorrichtung 750 der Vorrichtung 700 verbunden.

Der Energiesensor 690 detektiert, die aus dem Bereich des Defekts 650 reflektierten EUV-Photonen 680 während der fokussierte EUV-Photonenstrahl 630 von der Steuer vorrichtung 750 über den Defekt 650 gerastert wird. Der Energiesensor 690 ist über die Verbindung 720 ebenfalls mit der Steuervorrichtung 750 der Vorrichtung 700 verbun- den. Mit Hilfe des Energiesensors 690 kann die Steuervorrichtung 750 das EUV-

Lasersystem 610 oder die EUV-Lichtquelle 610 in einer geschlossenen Rückkopplungs schleife betreiben. Wie in den Figuren 2 und 4 schematisch dargestellt, kann auf der Basis der von dem Energiesensor 690 als Funktion der Zeit detektierten Änderung der reflektierten optischen Intensität auf den Fortschritt der Defektbeseitigung geschlossen werden.

Die Fig. 7 zeigt schematisch das Ausführen des Teilprozesses des Untersu chens der EUV-Maske 600 für das in der Fig. 6 dargestellte erste Ausführungsbeispiel durch die Vorrichtung 700. Zum Untersuchen des defekten Bereichs 650 der EUV-Maske 600 bewegt die Steuereinrichtung 750 der Vorrichtung 700 den ersten abbildenden EUV- Spiegel 620 aus dem kollimierten EUV-Photonenstrahl 605 der EUV-Lichtquelle 610. Dadurch kann der EUV-Photonenstrahl 605 auf den zweiten abbildenden EUV-Spiegel 650 auftreffen. Der zweite abbildende EUV-Spiegel 650 richtet den EUV- Photonenstrahl 605 als aufgeweiteten Photonenstrahl 760 auf einen Bereich der EUV- Maske 600, der den Bereich umfasst, der den Defekt 650 enthält. In dem in den Figu ren 6 und 7 dargestellten beispielhaften Ausführungsbeispiel umfasst der Defekt 650 das Partikel 550. Die Mehrschichtstruktur 120 EUV-Maske 600 reflektiert einen Teil der auftreffenden EUV-Photonen des Strahls 760 in Richtung des Detektors 780. In dem in der Fig. 7 dargestellten beispielhaften Ausführungsform umfasst der Detektor 780 eine CCD-Kamera.

Die Fig. 8 präsentiert ein zweites Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Vor richtung 700. Das zweite Ausführungsbeispiel wird am Beispiel des Reparierens einer der Defekte 650 der EUV-Maske 600 erläutert. Die Vorrichtung 700 zum Reparieren des Defekts 650 umfasst die EUV-Lichtquelle 610 des ersten Aufführungsbeispiels. Diese ist wiederum über die Verbindung 710 mit der Steuervorrichtung 750 verbunden. Die Steuervorrichtung 750 ist ferner über die Verbindung 810 mit einem nicht abbil denden EUV-Spiegel 820, über die Verbindung 855 mit einer Fresnel-Zonenplatte 850 und über die Verbindung 865 mit einem Energiesensor 680 verbinden. Der von der

EUV-Lichtquelle erzeugte EUV-Photonenstrahl 605 wird von dem EUV-Spiegel 820 als EUV-Photonenstrahl 830 auf die Fresnel-Zonenplatte 850 gerichtet. Die Fresnel- Zonenplatte 850 fokussiert den durch sie hindurchtretenden EUV-Photonenstrahl 840 auf den Defekt 650 der EUV-Maske 600. Das während der Reparatur von dem defekten Bereich 650 der EUV-Maske 600 reflektierte EUV-Licht 860 wird von dem Energie sensor 680 detektiert. Auf der Basis der von dem Energiesensor detektierten EUV- Strahlung 860 kann die Steuervorrichtung 750 der Vorrichtung 700 die EUV- Lichtquelle 610, ähnlich wie im ersten Ausführungsbeispiel, in einer geschlossenen Rückkopplungsschleife betreiben (in der Fig. 8 nicht dargestellt).

Die Fig. 9 zeigt den zweiten Teilprozess des zweiten Ausführungsbeispiels, nämlich das Untersuchen der EUV-Maske 600 mit dem EUV-Photonenstrahl 605 der EUV- Lichtquelle 610. Zum Untersuchen der EUV-Maske 600 fährt die Steuervorrichtung 750 die Fresnel Zonenplatte 850 aus dem Strahlengang des EUV-Photonenstrahls 920. Der nicht länger fokussierte Photonenstrahl 830 trifft im Bereich des Defekts 650 die Mehrschichtstruktur 120 der EUV-Maske 600. Damit der auftreffende EUV- Photonenstrahl 830 die Bragg Reflexionsbedingung der Mehrschichtstruktur 120 der EUV-Maske 600 bestmöglich erfüllt, veranlasst die Steuervorrichtung 750 eine Rotati on des Probenhalters, auf dem die EUV-Maske 600 angeordnet ist. Die Rotation der EUV-Maske 600 ist in der Fig. 9 durch das Bezugszeichen 910 veranschaulicht. Der Probenhalter (englisch: stage) ist in der Fig. 9 nicht dargestellt.

Falls - wie in der Fig. 9 durch einen verbliebene Defektrest 650 symbolisiert - ein weite- rer Reparaturschritt notwendig ist, dreht die Steuervorrichtung 750 die EUV-Maske 600 wieder in ihre Ausgangsposition zurück und führt die Fresnel Zonenplatte 850 wieder in den Strahlengang der EUV-Photonen 830 ein, so dass die Reparatur des ver bliebenen Defektrestes 650 fortgesetzt werden kann. Das Diagramm 100 der Fig. 10 stellt ein drittes Ausführungsbeispiel der erfindungsge mäßen Vorrichtung 700 dar. Das dritte Ausführungsbeispiel der Fig. 10 umfasst eine erste EUV-Lichtquelle 1010 und eine zweite EUV-Lichtquelle 1020, die beide über die Verbindungen 1015 und 1025 mit der Steuervorrichtung 750 verbunden sind. Ferner ist die Steuervorrichtung 750 mit dem Detektor 690 über die Verbindung 695 verbunden. Das dritte Ausführungsbeispiel wir ebenfalls anhand des Reparierens der Defekte 650 der EUV-Maske 600 erläutert.

In der Fig. 10 ist schematisch der Reparaturteil des dritten Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen Vorrichtung 700 wiedergegeben. Zum Reparieren des Defekts 650 strahlt die zweite EUV-Lichtquelle 1020 einen fokussierten Photonenstrahl 1030 auf den Defekt 650 der EUV-Maske 600 bzw. rastert den fokussierten Photonenstrahl 1030 über den Defekt 650.

Nach einer vorgegebenen Zeit wird der Reparaturvorgang unterbrochen und die be- handelte oder repartierte Stelle 650 der EUV-Maske 600 wird untersucht. Hierzu wird - wie in der Fig. 11 schematisch dargestellt - der fokussierte Photonenstrahl 1030 der zweiten EUV-Lichtquelle gestoppt. Danach wird die erste EUV-Lichtquelle 1010 einge schaltet, die einen kollimierten EUV-Photonenstrahl 1130 auf den Bereich der EUV- Maske 600 richtet, der den Defekt 650 enthält. Dabei wird die Fläche des Strahlfleckes so groß gewählt, dass die Schwellendichte für das Aufschmelzen der Mehrschichtstruk tur 120 der EUV-Maske 600 nicht erreicht wird. Nach der oben angegebenen Abschät zung erfordert dies einen Fleckdurchmesser von etwa 5 um oder mehr. In den Figuren 10, 11 sowie der nachfolgenden Fig. 12 sind die erste EUV-Lichtquelle 1010 und der Detektor 690 so bezüglich der Normalenrichtung der EUV-Maske 600 angeordnet, dass die Bragg Reflexionsbedingung für den aktinischen Wellenlängenbe reich der EUV-Maske 600 bestmöglich erfüllt ist. Die dritte Ausführungsform weist den besonderen Vorteil auf, dass zum Umschalten zwischen dem Reparaturmodus und dem Untersuchungsmodus der Vorrichtung 700 keine Teile der Vorrichtung 700 über mak roskopische Entfernungen bewegt werden müssen. Die erste EUV-Lichtquelle 1010 und die zweite EUV-Lichtquelle können so ausgebildet werden, dass eine einzige EUV- Lichtquelle sowohl den fokussierten EUV-Photonenstrahl 1030 als auch den EUV- Photonenstrahl 1130 erzeugt. In dieser Ausführungsform stellen die erste 1010 und die zweite EUV-Lichtquelle 1020 lediglich eine Strahlformungsvorrichtung und/oder eine Strahlführungsvorrichtung bereit.

Die Fig. 12 zeigt ein Ausführungsbeispiel der Vorrichtung 700, bei der beide Lichtquel- len 1010 und 1020 gleichzeitig Photonen 1030 und 1130 auf den Defekt 650 bzw. in einem Bereich um den Defekt 650 einstrahlen. In diesem Ausführungsbeispiel ist es günstig, wenn die erste EUV-Lichtquelle 1010 einen EUV-Photonenstrahl 1130 im Be reich der aktinischen Wellenlänge auf die EUV-Maske 600 einstrahlt und die zweite EUV-Lichtquelle 1020 Photonen außerhalb des aktinischen Wellenlängenbereichs der EUV-Maske 600 erzeugt. Dadurch wird sichergestellt, dass im Wesentlichen keine

EUV-Photonen der zweiten EUV-Lichtquelle 1020 auf den Detektor 690 gelangen kön nen. Dies verhindert ein Verfälschen der von dem Detektor 690 nachgewiesenen loka len reflektierten optischen Intensität. Die Fig. 13 reproduziert die Fig. 6 mit dem Unterschied, dass auf der EUV-Maske 600 ein Pellikel 1310 angebracht ist. Der Abstand des EUV-Pellikel 1310 von der Decksicht 130 der EUV-Maske liegt im Bereich von 2 bis 3 mm. Sowohl der Reparaturprozess als auch der Untersuchungsprozess der EUV-Maske 600 erfolgt durch das Pellikel 1310 hindurch. Dadurch ist es möglich, die Auswirkung eines Defekts 650 der EUV-Maske 600 unten den Bedingungen zu untersuchen, die im realen Betrieb der EUV-Maske

600 vorherrschen. Ferner kann die Demontage des Pellikel 1310 zur Defektkorrektur sowie die erneute Montage des Pellikel 1310 nach der Defektreparatur und eine damit einhergehende mögliche Beschädigung der Maske 600 vermieden werden. Die anhand der Figuren 8 bis 12 beschriebenen Reparaturprozesse und/oder Untersu chungsprozesse der EUV-Maske 6oo können ebenfalls mit einem auf der EUV-Maske montierten Pellikel 1310 ausgeführt werden. Dies hat zwei Vorteile. Zum einen kann die Reparatur unter den Betriebsbedingungen der Maske ausgeführt werden und zum an- deren kann eine Verunreinigung der optischen Komponenten der Reparaturvorrich tung verhindert werden. Von der Maske entferntes Material, das sich auf dem auf der Maske montierten Pellikel absetzt, stört den von der Maske auszuführenden Belich tungsprozess hingegen kaum. Anhand der Figuren 14 bis 16 wird nachfolgend die Einbettung eines mit der Vorrich tung 700 ausgeführten Reparaturprozesses in den Arbeitsablauf der Defektanalyse und Defektkorrektur von EUV-Masken 100, 300, 500 erläutert. Bevor ein Defekt 150, 350, 550 repariert werden kann, muss dieser zunächst identifiziert und anschließend analy siert werden. Zur Analyse eines Defekts 150, 350, 550 kann beispielsweise ein EUV- AIMS™ (Aerial Image Measurement System) eingesetzt werden. Die Fig. 14 zeigt im linken Teilbild 1410 eine Aufsicht auf einen Ausschnitt einer Streifenstruktur 1420, die einen Defekt 1450 aufweist. Das rechte Teilbild 1415 der Fig. 14 präsentiert eine Auf sicht eines Ausschnittes auf eine defektfreie Referenz-Streifenstruktur 1425. Beide Bil der wurden mit einem EUV-AIMS™ aufgenommen. Aus dem linken Teilbild kann der Defekt 1450 im Detail analysiert werden. Die Analyse des Defekts 1450 kann ein Ver gleichen der defektbehafteten Streifenstruktur 1420 mit der defektfreien Referenz- Streifenstruktur 1425 umfassen. Aus der detaillierten Analyse des Defekts 1450 wird eine Reparaturform für den Defekt 1450 erstellt. Die Reparaturform gibt beispielsweise die Art des Defekts, die Größe des Defekts, die Lage des Defekts bezüglich eines oder mehrerer Pattern-Elemente, den Pattern-Typ der EUV-Maske, und die Belichtungsein stellung des Scanners während des Betriebs der Maske. Ferner beschreibt die Repara turform die Koordinaten der Abmessungen des Defekts auf einer EUV-Maske und gibt zu den Defektkoordinaten, die zur Reparatur des Defekts zu applizierende Energiedosis an. Die für den Defekt 1450 bestimmte Reparaturform wird an die Vorrichtung 700 zum Reparieren des Defekts übergeben.

Die Fig. 15 präsentiert schematisch das Reparieren des Defekts 1450 der Fig. 14 durch eine Ausführungsform der Vorrichtung 700. Das linke obere Teilbild 1510 der Fig. 15 zeigt im Wesentlichen den Ausschnitt des linken Teilbildes der Fig. 14 wie er von dem EUV-Photonenstrahl 750, 830, 1130 der Vorrichtung 700 im Untersuchungsmodus abgebildet wird. Die Vorrichtung 700 „sieht“ im Untersuchungs- oder Abbildungsmo dus den Defekt 1450 der Fig. 14. Das linke obere Teilbild 1515 zeigt die Referenz- Streifenstruktur 1525 der Fig. 14, aufgenommen mit dem EUV-Photonenstrahl 750, 830, 1130 der Vorrichtung 700.

Durch den Pfeil 1580 ist in der Fig. 15 der Reparaturprozess des Defekts 1450 durch den EUV-Photonenstrahl 630, 840, 1030 der Vorrichtung symbolisiert. Die Vorrich tung 700 erhält, wie oben bereits ausgeführt, von dem Defekt-Review-Tool, beispiels- weise einem EUV-AIMS™ eine Reparaturform für den Defekt 1450. Zur Reparatur des Defekts 1450 wird der EUV-Photonenstrahl 630, 840, 1030, wie von der Reparatur form vorgegeben, über den Defekt 150, 350, 550, 1450 gescannt.

Die Reparatur des Defekts 1450 kann von Zeit zu Zeit unterbrochen werden, um den verbliebenen Defektrest zu analysieren. Das Unterbrechen der Reparatur kann perio disch erfolgen oder kann durch die Reparaturform vorgegeben werden.

Das untere linke Teilbild 1550 der Fig. 15 zeigt den Ausschnitt der Streifenstruktur 1530 des oberen linken Teilbildes 1510 nach Abschluss der Defektreparatur. Die reparierte Stelle ist in der Streifenstruktur 1530 des Teilbildes 1550 durch das Bezugszeichen 1560 illustriert. Das rechte untere Teilbild 1555 reproduziert nochmals die Referenz- Streifenstruktur 1525 des oberen rechten Teilbildes 1515.

Die Fig. 16 zeigt das Luftbild eines Abbildes des reparierten Ausschnittes 1530 des lin- ken unteren Teilbildes 1550 der Fig. 15 aufgenommen mit dem EUV-AIMS™. Die repa rierte Stelle 1560, die reparierte Position 1560 oder der reparierte Bereich 1560 ist in dem Teilbild 1610 gekennzeichnet. Zu Vergleichszwecken gibt das rechte Teilbild 1615 die Referenz-Streifenstruktur 1425 des Teilbildes 1415 wieder. Der Zusammenschau der Fig. 16 ist zu entnehmen, dass die Vorrichtung 700 den Defekt 1450 soweit repariert hat, dass dieser in einem Luftbild eines EUV-AIMS™ nicht mehr sichtbar ist.

Die Fig. 17 gibt ein Flussdiagramm 1700 eines Gesamtablaufs einer Defektreparatur einer optischen Komponente 100, 300, 500 für den EUV-Wellenlängenbereich wieder. Das Verfahren beginnt bei Block 1705. Im ersten Schritt 1710 wird ein Bild einer De- fekts 150, 350, 550, 1450 oder einer defekten Position 150, 350, 550, 1450 der opti schen EUV-Komponente 100, 300, 500 aufgenommen. Dieser Schritt wird typischer weise mit einem Review-Tool, wie etwa einem EUV-AIMS™ ausgeführt. In einer alter nativen Ausführungsform verwendet das Review-Tool einen geladenen Teilchenstrahl, beispielsweise einen Elektronenstrahl. Sodann wird bei Schritt 1715 ein Referenzbild einer defektfreien Referenzposition ebenfalls mit einem Review-Tool aufgenommen. Der Schritt 1715 ist ein optionaler Schritt. Dies ist in der Fig. 17 durch die gestrichelte Umrandung symbolisiert. Bei Entscheidungsblock 1720 wird dann auf der Basis des bestimmten Bildes des De fekts 150, 350, 550, 1450 ggf. unter Zuhilfenahme eines Referenzbildes bestimmt, ob eine Reparatur des Defekts 150, 350, 550, 1450 notwendig ist oder nicht. Falls eine Re paratur nicht notwendig ist, springt das Verfahren zu Block 1775, bei dem entschieden wird, ob die EUV-Maske 100, 300, 500 weitere Defekte 150, 350, 550, 1450 aufweist. Falls dies nicht der Fall ist, endet das Verfahren bei Block 1780 und die optische EUV- Komponente 100, 300, 500 ist einsatzbereit. Falls die optische EUV-Komponente 100, 300, 500 eine EUV-Maske 100, 300, 500 umfasst, ist diese zum Verwenden in einem Scanner bereit. Falls weitere Defekte 150, 350, 550, 1450 auf der EUV-Maske 100, 300, 500 vorhanden sind, springt das Verfahren zu Block 1710, bei dem ein Bild des nächs- ten Defekts 150, 350, 550, 1450 mit einem EUV-AIMS™ aufgenommen wird.

Falls eine Reparatur der defekten Position 150, 350, 550, 1450 notwendig ist, schreitet das Verfahren zu Block 1725 fort, bei dem mit der Vorrichtung 700 oder der Reparatur vorrichtung 700 ein Bild der defekten Position 150, 350, 550, 1450 bzw. des Defekts 150, 350, 550, 1450 im Untersuchungsmodus aufgenommen wird. Sodann wird bei

Block 1730 eine Reparaturform für die defekte Position 150, 350, 550, 1450 ermittelt. Die Reparaturform für den Defekt 150, 350, 550, 1450 kann mit dem bei Schritt 1710 mit einem Review-Tool aufgenommenen Bild ggf. in Kombination mit dem Referenz bild bestimmt werden. Alternativ kann die Reparaturform aus dem oder den mit der Vorrichtung 700 oder Reparaturvorrichtung 1700 m Untersuchungsmodus aufgenom menen Bild bzw. Bildern ermittelt werden. Alternativ ist es auch möglich, die Repara turform für den Defekt 150, 350, 550, 1450 aus der kombinierten Betrachtung der bei Schritt 1710 und 1725 gemessenen Bildern der defekten Position 150, 350, 550, 1450 zu bestimmen. Bei Entscheidungsblock 1735 wird entschieden, ob die Bearbeitung oder Reparatur des Defekts 150, 350, 550, 1450 zu einer der lokalen Zunahme 1740 oder einer lokalen Ab nahme 1755 der Reflektivität der EUV-Maske 100, 300, 500 führen soll. Falls der De- fekt 150, 350550, 1450 ein Defekt 150, 550 überschüssigen Materials ist, wird bei Block 1750 mit dem Photonenstrahl 630, 840, 1030 überschüssiges Absorber-Material eines oder mehrerer Pattern-Elemente 140 oder das überschüssige Material des Partikels 550 durch Ablation von der EUV-Maske 100, 500 entfernt. Falls die beabsichtigte Änderung der Defektreparatur eine lokale Abnahme der reflek tierten optischen Intensität ist, wird bei Block 1755 die Mehrschichtstruktur 120 der EUV-Maske 300 mit dem Photonenstrahl 630, 840, 1030 bearbeitet, um einen Teil der Mehrschichtstruktur 120 der EUV-Maske 100, 300, 500 abzutragen oder zumindest den Planarität zu verringern.

Beide Bearbeitungsprozesse 1750 und 1755 leiten das Verfahren zu Block 1765 weiter, bei dem ein Bild der reparierten Position 150, 350, 550, 1450 der EUV-Maske 100, 300, 500 mit dem Untersuchungsmodus der Vorrichtung 700 aufgenommen wird. Bei Ent scheidungsblock 1770 wird entschieden, ob die Reparatur des Defekts 150, 350, 550, 1450 abgeschlossen ist. Falls dies nicht der Fall ist, springt das Verfahren zu Block

1725, bei dem mit der Reparaturvorrichtung 700 im Untersuchungsmodus ein Bild des verbliebenen Defektrestes aufgenommen wird. Wenn bei Entscheidungsblock 1770 be stimmt wird, dass die Reparatur des Defektes 150, 350, 550, 1450 abgeschlossen ist, schreitet das Verfahren zu Entscheidungsblock 1775 fort. Bei Entscheidungsblock 1775 wird festgestellt, ob die EUV-Maske 100, 300, 500 weitere Defekte 150, 350, 550, 1450 aufweist. Falls dies der Fall ist, springt das Verfahren zu Block 1710 und misst ein Bild des nächsten Defekts. Falls keine weiteren Defekte 150, 350, 550, 1450 auf der Maske 100, 300, 500 vorhanden sind, endet das Verfahren bei Block 1780. Schließlich zeigt das Flussdiagramm 1800 der Fig. 18 wesentliche Schritte eines erfin dungsgemäßen Verfahrens zum Reparieren zumindest eines Defekts 150, 350, 550,

1450 einer optischen Komponente 100, 300, 500 für den extrem ultravioletten Wellen längenbereich, die ein Substrat 110 und eine Mehrschichtstruktur 120 aufweist. Das Verfahren beginnt bei Schritt 1810. Im ersten Schritt 1820 wird ein Photonenstrahl 610, 1010, 1020 im EUV-Wellenlängenbereich und/oder im Wellenlängenbereich wei cher Röntgenstrahlung erzeugt. Bei Block 1830 wird der Photonenstrahl 610, 1030, 1130 eingestellt, so dass durch ein lokales Verändern der optischen Komponente 100, 300, 500 der zumindest eine Defekt 150, 350, 550, 1450 repariert wird. Schließlich en det das Verfahren bei Block 1840.