Login| Sign Up| Help| Contact|

Patent Searching and Data


Title:
広角イオンビームのための可変抽出アセンブリ
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2023534240
Kind Code:
A
Abstract:
プラズマチャンバと、プラズマチャンバと並置されたプラズマ板であって、第１の抽出開孔を画定する、プラズマ板と、プラズマチャンバ内に配設されかつ抽出開孔に面するビーム遮蔽部と、プラズマチャンバの外側のビーム遮蔽部の表面上に配設された遮蔽電極と、プラズマチャンバの外側のプラズマ板の表面上に配設された抽出電極と、を含むイオンビーム処理システムが提供される。【選択図】図１

More Like This:
JPH0815062[Title of Invention] Semiconductor Substrate Ion Implantor
JPH06310082BEAM ORBIT RESTORING METHOD IN ION IMPLANTING DEVICE
JP2007524760A device for nitriding aluminum alloy parts by ion implantation and a method using such a device.
Inventors:
Wallace, JR.
Biroiu, Costel
Daniels, Kevin M.
Application Number:
JP2023501883A
Publication Date:
August 08, 2023
Filing Date:
June 09, 2021
Export Citation:
Click for automatic bibliography generation   Help
Assignee:
APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
International Classes:
H01J37/317; H01J27/14; H01J37/08; H05H1/46
Attorney, Agent or Firm:
Sonoda & Kobayashi Patent Attorneys Corporation



 
Previous Patent: Improved entity resolution for master data with qualified relationship scores

Next Patent: HLA class II-restricted DRB T-cell receptor for RAS with G12D mutation