2022PF00143 - 1 – OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT, VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS BESCHREIBUNG Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement, ein Verfahren zum Betreiben eines optoelektroni- schen Bauelements sowie ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements. Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 102022 123 582.3, deren Offenbarungsge- halt hiermit durch Bezugnahme aufgenommen wird. Es ist bekannt, optoelektronische Bauelemente, beispielsweise Leuchtdiodenbauelemente, mittels Transistoren zu schalten. Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfah- ren zum Betreiben eines optoelektronischen Bauelements anzu- geben. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung be- steht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektro- nischen Bauelements anzugeben. Diese Aufgaben werden durch ein optoelektronisches Bauelement, durch ein Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Bauelements und durch ein Verfahren zum Herstellen eines optischen Bauelements mit den Merkmalen der unabhängigen Ansprüche gelöst. In den abhängi- gen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben. Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen in einem ers- ten Teilchip ausgebildeten Feldeffekttransistor mit einer Quelle und einer Senke. Dabei ist der Feldeffekttransistor als Floating-Gate-Transistor mit einer Kontrollelektrode und einer isolierten Steuerelektrode ausgebildet. Das optoelekt- ronische Bauelement umfasst weiter eine in einem zweiten Teilchip ausgebildete Leuchtdiode mit einer Anode und einer 2022PF00143 - 2 – Kathode. Der zweite Teilchip ist an einer Oberseite des ers- ten Teilchips angeordnet. Die Leuchtdiode und ein Kanal des Feldeffekttransistors sind elektrisch in Reihe geschaltet. Die Anordnung des zweiten Teilchips an der Oberseite des ers- ten Teilchips kann als monolithische Integration bezeichnet werden. Durch die monolithische Integration des ersten Teil- chips und des zweiten Teilchips kann dieses optoelektronische Bauelement äußerst kompakte äußere Abmessungen aufweisen. Dies wird dadurch unterstützt, dass durch die monolithische Integration weniger Anschlüsse nach außen geführt sein müssen und dadurch weniger Platz für Kontaktflächen benötigt wird. Die monolithische Integration kann außerdem einen energieef- fizienten Betrieb des optoelektronischen Bauelements ermögli- chen. Auch kann es die monolithische Integration ermöglichen, das optoelektronische Bauelement mit hoher Geschwindigkeit zu schalten. Der Feldeffekttransistor dieses optoelektronischen Bauele- ments dient dazu, einen gewünschten Helligkeitswert der Leuchtdiode des optoelektronischen Bauelements einzustellen. Dabei bildet die isolierte Steuerelektrode des als Floating- Gate-Transistor ausgebildeten Feldeffekttransistors einen nichtflüchtigen Speicher, in dem ein gewünschter Helligkeits- wert bis zu seiner Änderung hinterlegt bleibt. Dadurch ist eine aktive Ansteuerung des optoelektronischen Bauelements nur dann erforderlich, wenn sich die gewünschte Helligkeit der Leuchtdiode ändert. Dies kann einen besonders einfachen, kostengünstigen, schnellen und energieeffizienten Betrieb des optoelektronischen Bauelements ermöglichen. In einer Ausführungsform des optischen Bauelements ist die Kathode der Leuchtdiode elektrisch leitend mit der Senke des Feldeffekttransistors verbunden. Die Anode der Leuchtdiode bildet einen Versorgungskontakt. Die Quelle des Feldeffekt- transistors bildet einen Bezugskontakt. Zwischen dem Versor- gungskontakt und dem Bezugskontakt kann eine Versorgungsspan- nung angelegt werden. Damit ergibt sich bei dieser Variante 2022PF00143 - 3 – eine Reihenschaltung zwischen der Leuchtdiode und dem Kanal des Feldeffekttransistors, wobei eine Versorgungsspannung zwischen der Anode der Leuchtdiode und der Quelle des Feldef- fekttransistors angelegt werden kann. In einer anderen Ausführungsform des optoelektronischen Bau- elements ist die Anode der Leuchtdiode elektrisch leitend mit der Senke des Feldeffekttransistors verbunden. Die Quelle des Feldeffekttransistors bildet einen Versorgungskontakt. Die Kathode der Leuchtdiode bildet einen Bezugskontakt. Zwischen dem Versorgungskontakt und dem Bezugskontakt kann eine Ver- sorgungsspannung angelegt werden. Damit sind die Leuchtdiode und der Kanal des Feldeffekttransistors auch bei dieser Vari- ante elektrisch in Reihe geschaltet. Eine Versorgungsspannung kann zwischen der Quelle des Feldeffekttransistors und der Kathode der Leuchtdiode angelegt werden. In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements sind die Kontrollelektrode des Feldeffekttransistors, der Versorgungskontakt und der Bezugskontakt an einer Unterseite des ersten Teilchips elektrisch kontaktierbar. Vorteilhafter- weise ermöglichen bereits diese Kontakte eine vollständige Ansteuerung des optoelektronischen Bauelements. Dadurch kann das optoelektronische Bauelement mit kompakten äußeren Abmes- sungen ausgebildet werden. In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist auch die Senke des Feldeffekttransistors an der Untersei- te des ersten Teilchips elektrisch kontaktierbar. Vorteilhaf- terweise wird dadurch eine noch flexiblere Ansteuerung des optoelektronischen Bauelements ermöglicht. Beispielsweise kann dadurch ein alternatives Verfahren zur Aufladung der isolierten Steuerelektrode des Feldeffekttransistors ermög- licht sein. In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der erste Teilchip einen Durchkontakt auf, über den die Leuchtdiode und der Kanal des Feldeffekttransistors 2022PF00143 - 4 – elektrisch in Reihe geschaltet sind. Dadurch müssen vorteil- hafterweise nicht alle internen Kontakte der Leuchtdiode und des Feldeffekttransistors zur Außenseite des optoelektroni- schen Bauelements geführt werden. In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der erste Teilchip als Siliciumchip ausgebildet. Der zweite Teilchip ist als III-V-Halbleiterchip ausgebildet. Dadurch weisen die Teilchips des optoelektronischen Bauele- ments für ihre jeweilige Verwendung optimierte Halbleitersys- teme auf. Trotz der unterschiedlichen Halbleitersysteme wird durch die Anordnung des zweiten Teilchips an der Oberseite des ersten Teilchips eine monolithische Integration der bei- den Teilchips verwirklicht. In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist der Feldeffekttransistor zusätzlich zu der Kontroll- elektrode und der isolierten Steuerelektrode eine weitere Kontrollelektrode und eine weitere isolierte Steuerelektrode auf. Damit weist der Feldeffekttransistor also zumindest zwei Sätze von Kontroll- und Steuerelektroden auf. Dies ermöglicht es, einen Satz von Kontroll- und Steuerelektrode zur dauer- haften Kompensation einer bauteilindividuellen Eigenschaft zu nutzen, während der andere Satz aus Kontroll- und Steuer- elektrode zur Einstellung einer veränderlichen Helligkeit der Leuchtdiode dient. In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements bilden die Leuchtdiode und der Feldeffekttransistor gemeinsam ein Pixel des optoelektronischen Bauelements. Dabei weist das optoelektronische Bauelement eine Mehrzahl weiterer gleichar- tiger Pixel auf. Alle Pixel sind gemeinsam monolithisch inte- griert. Das optoelektronische Bauelement kann in dieser Vari- ante beispielsweise als Bildschirm ausgebildet sein. Vorteil- hafterweise lässt sich die Helligkeit aller Pixel dieses optoelektronischen Bauelements individuell einstellen. 2022PF00143 - 5 – In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weisen die isolierten Steuerelektroden zweier Pixel unter- schiedliche laterale Ausdehnungen auf. Dies kann es bei- spielsweise ermöglichen, bauteilindividuelle Unterschiede zwischen den Leuchtdioden der beiden Pixel zu kompensieren. In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements sind die Pixel in einer Matrixanordnung mit Zeilen und Spal- ten angeordnet. Dabei sind die Quellen der Feldeffekttransis- toren der Pixel zeilenweise elektrisch kurzgeschlossen. Die Anoden der Leuchtdioden der Pixel sind spaltenweise elektrisch kurzgeschlossen. Vorteilhafterweise wird es dadurch ermöglicht, die Anzahl der erforderlichen externen elektrischen Kontakte des optoelektronischen Bauelements noch weiter zu reduzieren. Es kann nur ein individueller elektri- scher Kontakt pro Pixel erforderlich sein. Zusätzlich können ein elektrischer Kontakt pro Spalte und ein elektrischer Kon- takt pro Zeile der Matrixanordnung oder sogar insgesamt nur zwei weitere elektrische Kontakte erforderlich sein. In einer anderen Ausführungsform des optoelektronischen Bau- elements sind die Pixel in einer Matrixanordnung mit Zeilen und Spalten angeordnet. Dabei sind die Quellen der Feldef- fekttransistoren der Pixel zeilenweise elektrisch kurzge- schlossen. Die Kathoden der Leuchtdioden der Pixel sind spal- tenweise elektrisch kurzgeschlossen. Vorteilhafterweise kann auch bei dieser Anordnung lediglich ein individueller exter- ner elektrischer Kontakt pro Pixel erforderlich sein. Daneben können ein elektrischer Kontakt pro Spalte und ein elektri- scher Kontakt pro Zeile oder sogar nur insgesamt zwei weitere elektrische Kontakte erforderlich sein. Ein Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Bauele- ments der vorstehend beschriebenen Art umfasst Schritte zum Aufbringen einer elektrischen Ladung auf die isolierte Steue- relektrode und zum Bestromen der Leuchtdiode. Mittels der auf die isolierte Steuerelektrode aufgebrachten elektrischen La- dung wird ein gewünschter Helligkeitswert der Leuchtdiode 2022PF00143 - 6 – eingestellt. Vorteilhafterweise verbleibt die auf die iso- lierte Steuerelektrode aufgebrachte elektrische Ladung dauer- haft oder zumindest für einen ausgedehnten Zeitraum auf der Steuerelektrode. Dies ermöglicht es, die gewünschte Hellig- keit der Leuchtdiode mit einem einmaligen Schreibvorgang per- sistent einzustellen. Anschließend ist keine weitere Ansteue- rung des Feldeffekttransistors des optoelektronischen Bauele- ments mehr erforderlich, bis sich die gewünschte Helligkeit der Leuchtdiode ändert. Dadurch wird vorteilhafterweise ein einfacher, kostengünstiger, schneller und energieeffizienter Betrieb des optoelektronischen Bauelements ermöglicht. In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Aufbrin- gen einer elektrischen Ladung auf die isolierte Steuerelekt- rode durch Anlegen einer positiven elektrischen Spannung zwi- schen der Kontrollelektrode und der Quelle des Feldeffekt- transistors. Dabei kann elektrische Ladung beispielsweise durch Fowler-Nordheim-Tunneln auf die isolierte Steuerelekt- rode gelangen. In einer anderen Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Aufbringen einer elektrischen Ladung auf die isolierte Steue- relektrode durch Anlegen einer positiven elektrischen Span- nung zwischen der Senke des Feldeffekttransistors und der Quelle des Feldeffekttransistors und Anlegen einer positiven elektrischen Spannung zwischen der Kontrollelektrode und der Senke des Feldeffekttransistors. Dabei können elektrische La- dungen beispielsweise durch das Channel-hot-electron- Verfahren auf die isolierte Steuerelektrode gelangen. In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Bestromen der Leuchtdiode durch Anlegen einer positiven Versorgungs- spannung zwischen dem Versorgungskontakt und dem Bezugskon- takt. Vorteilhafterweise erfolgt Stromfluss dann durch die Reihenschaltung aus der Leuchtdiode und dem Kanal des Feldef- fekttransistors, wodurch der Feldeffekttransistor eine Ein- stellung der Helligkeit des von der Leuchtdiode emittierten Lichts ermöglicht. 2022PF00143 - 7 – In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst dieses einen weiteren Schritt zum Entfernen zumindest eines Teils der auf der isolierten Steuerelektrode befindlichen elektrischen La- dung. Dieser Verfahrensschritt ermöglicht eine Änderung der Helligkeit des von der Leuchtdiode emittierten Lichts. In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Entfernen zumindest eines Teils der auf der isolierten Steuerelektrode befindlichen elektrischen Ladung durch Anlegen einer positi- ven elektrischen Spannung zwischen der Quelle des Feldeffekt- transistors und der Kontrollelektrode. Dadurch wird es ermög- licht, dass Ladungsträger die isolierte Steuerelektrode des Feldeffekttransistors über einen Tunneleffekt verlassen. Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauele- ments umfasst Schritte zum Bereitstellen eines in einem ers- ten Teilchip ausgebildeten Feldeffekttransistors mit einer Quelle und einer Senke, wobei der Feldeffekttransistor als Floating-Gate-Transistor mit einer Kontrollelektrode und ei- ner isolierten Steuerelektrode ausgebildet ist, zum Bereit- stellen einer in einem zweiten Teilchip ausgebildeten Leucht- diode mit einer Anode und einer Kathode, und zum Anordnen des zweiten Teilchips an einer Oberseite des ersten Teilchips, wobei die Leuchtdiode und ein Kanal des Feldeffekttransistors elektrisch in Reihe geschaltet werden. Der Feldeffekttransis- tor ist dazu vorgesehen, einen Helligkeitswert der Leuchtdio- de einzustellen. Vorteilhafterweise ermöglicht dieses Verfah- ren eine Herstellung eines monolithisch integrierten opto- elektronischen Bauelements mit kompakten äußeren Abmessungen. In einer Ausführungsform dieses Verfahrens umfasst dieses weitere Schritte zum Erfassen einer elektrooptischen Eigen- schaft der Leuchtdiode und zum Anpassen einer lateralen Aus- dehnung der isolierten Steuerelektrode des Feldeffekttransis- tors in Abhängigkeit von der erfassten elektrooptischen Ei- genschaft. Vorteilhafterweise kann durch die Anpassung der lateralen Ausdehnung der isolierten Steuerelektrode eine bau- 2022PF00143 - 8 – teilindividuelle Variabilität der erfassten elektrooptischen Eigenschaft der Leuchtdiode kompensiert werden. Beispielswei- se kann die laterale Ausdehnung der isolierten Steuerelektro- de des Feldeffekttransistors so angepasst werden, dass eine Helligkeit der Leuchtdiode trotz einer bauteilindividuellen Abweichung einen gewünschten Sollwert aufweist. Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung, sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich in Zusam- menhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbei- spiele, die in Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläu- tert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstel- lung Figur 1 eine geschnittene Seitenansicht eines optoelektro- nischen Bauelements; Figur 2 ein Ersatzschaltbild des optoelektronischen Bauele- ments; Figur 3 eine Aufsicht auf ein optoelektronisches Bauelement mit mehreren Pixeln in einer Matrixanordnung; Figur 4 eine erste Schnittansicht dieses optoelektronischen Bauelements; Figur 5 eine zweite Schnittansicht dieses optoelektroni- schen Bauelements; Figur 6 eine dritte Schnittansicht dieses optoelektroni- schen Bauelements; Figur 7 einen Teil eines Ersatzschaltbilds dieses opto- elektronischen Bauelements; Figur 8 eine Schnittansicht einer weiteren Variante des optoelektronischen Bauelements; 2022PF00143 - 9 – Figur 9 eine Aufsicht auf diese Variante des optoelektroni- schen Bauelements; Figur 10 einen Teil eines Ersatzschaltbilds einer weiteren Variante eines optoelektronischen Bauelements; Figur 11 eine Schnittansicht dieser Variante des optoelekt- ronischen Bauelements; Figur 12 eine Schnittansicht zweier Pixel einer weiteren Va- riante eines optoelektronischen Bauelements; und Figur 13 eine Schnittansicht zweier Pixel noch einer weite- ren Variante eines optoelektronischen Bauelements. Figur 1 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht einer ersten Variante eines optoelektronischen Bauelements 10. Das optoelektronische Bauelement 10 ist dazu vorgesehen, elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht, mit einstellbarer Helligkeit abzustrahlen. Das opto- elektronische Bauelement 10 kann damit beispielsweise einen Bildpunkt bzw. ein Pixel bilden. Das optoelektronische Bauelement 10 umfasst einen ersten Teilchip 100 und einen zweiten Teilchip 200. Der erste Teil- chip 100 weist eine Oberseite 101 und eine der Oberseite 101 gegenüberliegende Unterseite 102 auf. Der zweite Teilchip 200 weist eine Oberseite 201 und eine der Oberseite 201 gegen- überliegende Unterseite 202 auf. Der zweite Teilchip 200 ist derart an der Oberseite 101 des ersten Teilchips 100 angeord- net, dass die Unterseite 202 des zweiten Teilchips 200 der Oberseite 101 des ersten Teilchips 100 zugewandt ist. Die Oberseite 101 des ersten Teilchips 100 und die Unterseite 202 des zweiten Teilchips 200 sind mittels eines Lots 150 verbun- den. Damit bilden der erste Teilchip 100 und der zweite Teil- chip 200 einen Monolithen. 2022PF00143 - 10 – In dem ersten Teilchip 100 des optoelektronischen Bauelements 10 ist ein Feldeffekttransistor 300 ausgebildet. Der erste Teilchip 100 kann beispielsweise ein Siliciumchip sein. Der Feldeffekttransistor 300 weist ein Substrat 340 (bulk bzw. body), eine Quelle 310 (source), eine Senke 320 (drain) und einen Kanal 330 (channel) auf. Der Feldeffekttransistor 300 ist als Floating-Gate-Transistor ausgebildet und weist daher neben einer Kontrollelektrode 360 eine isolierte Steuerelekt- rode 350 auf. Die isolierte Steuerelektrode 350 ist durch isolierende Bereiche 130 gegen den Kanal 330 und gegen die Kontrollelektrode 360 isoliert. In dem zweiten Teilchip 200 des optoelektronischen Bauele- ments 10 ist eine Leuchtdiode 400 ausgebildet. Der zweite Teilchip 200 kann beispielsweise ein III-V-Halbleiterchip sein. Die Leuchtdiode 400 weist eine Anode 410 und eine Ka- thode 420 auf. Im dargestellten Beispiel grenzt die Anode 410 der Leuchtdiode 400 an die Unterseite 202 des zweiten Teil- chips 200 an, während die Kathode 420 an die Oberseite 201 des zweiten Teilchips 200 angrenzt. Die Leuchtdiode 400 ist dazu ausgebildet, elektromagnetische Strahlung, beispielswei- se sichtbares Licht, an der Oberseite 201 des zweiten Teil- chips 200 abzustrahlen. Der erste Teilchip 100 weist einen ersten Durchkontakt 110 auf, der eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der Senke 320 des Feldeffekttransistors 300 und der Oberseite 101 des ersten Teilchips 100 herstellt. Der zweite Teilchip 200 weist einen Durchkontakt 210 auf, der eine elektrisch leiten- de Verbindung zwischen der Kathode 420 der Leuchtdiode 400 und der Unterseite 202 des zweiten Teilchips 200 herstellt. Der erste Durchkontakt 110 des ersten Teilchips 100 und der Durchkontakt 210 des zweiten Teilchips 200 sind mittels des Lots 150 derart elektrisch leitend verbunden, dass die Katho- de 420 der Leuchtdiode 400 elektrisch leitend mit der Senke 320 des Feldeffekttransistors 300 verbunden ist. Hierdurch sind die Leuchtdiode 400 und der Kanal 330 des Feldeffekt- transistors 300 elektrisch in Reihe geschaltet. 2022PF00143 - 11 – Der erste Teilchip 100 weist außerdem einen zweiten Durchkon- takt 120 auf, der eine elektrisch leitende Verbindung zwi- schen der Oberseite 101 und der Unterseite 102 des ersten Teilchips 100 herstellt und über das Lot 150 elektrisch lei- tend mit der Anode 410 der Leuchtdiode 400 des zweiten Teil- chips 200 verbunden ist. Damit bildet die Anode 410 der Leuchtdiode 400 einen über den zweiten Durchkontakt 120 an der Unterseite 102 des ersten Teilchips 100 zugänglichen und elektrisch kontaktierbaren Versorgungskontakt 510. Die Quelle 310 des Feldeffekttransistors 300 bildet einen an der Unterseite 102 des ersten Teilchips 100 zugänglichen und elektrisch kontaktierbaren Bezugskontakt 520. Auch die Kon- trollelektrode 360 des Feldeffekttransistors 300 ist an der Unterseite 102 des ersten Teilchips 100 zugänglich und elektrisch kontaktierbar. Figur 2 zeigt ein Ersatzschaltbild des in Figur 1 dargestell- ten optoelektronischen Bauelements 10 mit dem in dem ersten Teilchip 100 ausgebildeten Feldeffekttransistor 300 und der in dem zweiten Teilchip 200 ausgebildeten Leuchtdiode 400. Die Leuchtdiode 400 und der Kanal 330 des Feldeffekttransis- tors 300 sind elektrisch in Reihe geschaltet. Zwischen dem Versorgungskontakt 510 und dem Bezugskontakt 520 kann eine Versorgungsspannung angelegt werden. Der durch die Leuchtdio- de 400 fließende elektrische Strom ist dabei von dem elektri- schen Widerstand des Kanals 330 des Feldeffekttransistors 300 abhängig. Damit kann die Helligkeit der von der Leuchtdiode 400 emittierten elektromagnetischen Strahlung mittels des Feldeffekttransistors 300 auf einen Wert aus einem kontinu- ierlichen Wertebereich eingestellt werden. Im Betrieb des optoelektronischen Bauelements 10 erfolgt die Einstellung der gewünschten Helligkeit der Leuchtdiode 400 unabhängig von der Ansteuerung der Leuchtdiode 400. In einem ersten Schritt wird die isolierte Steuerelektrode 350 des Feldeffekttransistors 300 elektrisch geladen. Dadurch wird 2022PF00143 - 12 – der elektrische Widerstand des Kanals 330 des Feldeffekttran- sistors 300 nichtflüchtig eingestellt. In einem zweiten Schritt wird die Leuchtdiode 400 durch Anlegen der Versor- gungsspannung zwischen dem Versorgungskontakt 510 und dem Be- zugskontakt 520 bestromt und damit zur Emission elektromagne- tischer Strahlung der gewünschten Helligkeit angeregt. Die Helligkeit der von der Leuchtdiode 400 emittierten elektro- magnetischen Strahlung bleibt dabei so lange gleich, bis sich die auf die isolierte Steuerelektrode 350 des Feldeffekttran- sistors 300 aufgebrachte elektrische Ladung ändert. Das Aufbringen einer elektrischen Ladung auf die isolierte Steuerelektrode 350 des Feldeffekttransistors 300 kann bei- spielsweise durch Fowler-Nordheim-Tunneln erfolgen. Hierzu wird eine positive elektrische Spannung zwischen der Kontrol- lelektrode 360 und der Quelle 310 des Feldeffekttransistors 300 angelegt, bei dem in Figur 1 dargestellten optoelektroni- schen Bauelement 10 also zwischen der Kontrollelektrode 360 und dem Bezugskontakt 520. Der Versorgungskontakt 510 kann dabei auf das Potential des Bezugskontakts 520 gelegt werden. Die zwischen der Kontrollelektrode 360 und der Quelle 310 an- gelegte elektrische Spannung kann beispielsweise 20 V betra- gen. Negative elektrische Ladungen gelangen dann durch einen quantenmechanischen Tunnelvorgang aus dem Kanal 330 des Feld- effekttransistors 300 auf die isolierte Steuerelektrode 350. Die auf die isolierte Steuerelektrode 350 des Feldeffekttran- sistors 300 aufgebrachte elektrische Ladung kann im Betrieb des optoelektronischen Bauelements 10 so lange verbleiben, wie sich die gewünschte Helligkeit der von der Leuchtdiode 400 emittierten elektromagnetischen Strahlung nicht ändert, ohne dass dabei eine weitere Ansteuerung der Kontrollelektro- de 360 des Feldeffekttransistors 300 erforderlich ist. Ändert sich die gewünschte Helligkeit der von der Leuchtdiode 400 emittierten elektromagnetischen Strahlung, so ist eine Ände- rung der auf die isolierte Steuerelektrode 350 des Feldef- fekttransistors 300 aufgebrachten elektrischen Ladung erfor- derlich. Entweder kann eine zusätzliche Ladung der isolierten 2022PF00143 - 13 – Steuerelektrode 350 erfolgen oder ein Entfernen zumindest ei- nes Teils der auf der isolierten Steuerelektrode 350 befind- lichen elektrischen Ladung. Das Entfernen zumindest eines Teils der auf der isolierten Steuerelektrode 350 befindlichen elektrischen Ladung kann durch Anlegen einer positiven elektrischen Spannung zwischen der Quelle 310 des Feldeffekttransistors 300 und der Kontrol- lelektrode 360 erfolgen, bei dem in Figur 1 dargestellten optoelektronischen Bauelement 10 also durch Anlegen einer po- sitiven elektrischen Spannung zwischen dem Bezugskontakt 520 und der Kontrollelektrode 360. Der Versorgungskontakt 510 kann dabei auf das Potential der Quelle 310 gelegt werden, bei dem in Figur 1 gezeigten optoelektronischen Bauelement 10 also auf das Potential des Bezugskontakts 520. Die zwischen der Quelle 310 des Feldeffekttransistors 300 und der Kontrol- lelektrode 360 angelegte Spannung kann beispielsweise 10 V betragen. Das Entfernen zumindest eines Teils der auf der isolierten Steuerelektrode 350 befindlichen elektrischen La- dung erfolgt dabei durch einen quantenmechanischen Tunnelvor- gang von der isolierten Steuerelektrode 350 zu dem Kanal 330 des Feldeffekttransistors 300. Zur Herstellung des optoelektronischen Bauelements 10 werden der erste Teilchip 100 mit dem darin ausgebildeten Feldef- fekttransistor 300 und der zweite Teilchip 200 mit der darin ausgebildeten Leuchtdiode 400 zunächst getrennt voneinander bereitgestellt. Dann wird der zweite Teilchip 200 derart an der Oberseite 101 des ersten Teilchips 100 angeordnet, dass die Leuchtdiode 400 und der Kanal 330 des Feldeffekttransis- tors 300 elektrisch in Reihe geschaltet werden. Hierzu werden die Unterseite 202 des zweiten Teilchips 200 und die Obersei- te 101 des ersten Teilchips 100 mittels des Lots 150 mitei- nander verbunden. Figur 3 zeigt in schematischer Darstellung eine weitere Vari- ante des optoelektronischen Bauelements 10. Dargestellt ist 2022PF00143 - 14 – eine teilweise transparente Ansicht der Unterseite 102 des ersten Teilchips 100. Die in Figur 3 gezeigte Variante des optoelektronischen Bau- elements 10 unterscheidet sich von der in Figur 1 gezeigten Variante dadurch, dass sie eine Mehrzahl gleichartiger Pixel 600 aufweist. Die Pixel 600 können auch als Bildpunkte be- zeichnet werden. Jedes der Pixel 600 umfasst einen Feldef- fekttransistor 300 und eine Leuchtdiode 400. Damit ist jedes Pixel 600 im Wesentlichen so ausgebildet wie das anhand der Figur 1 beschriebene optoelektronische Bauelement 10, wobei die nachfolgend beschriebenen Besonderheiten zu berücksichti- gen sind. Die in Figur 3 gezeigte Variante des optoelektroni- schen Bauelements 10 kann beispielsweise ein Bildschirm (Dis- play) sein. Die Pixel 600 der in Figur 3 gezeigten Variante des opto- elektronischen Bauelements 10 sind in einer zweidimensionalen Matrixanordnung 700 mit Zeilen 710 und Spalten 720 angeord- net. Dabei sind die Feldeffekttransistoren 300 der einzelnen Pixel 600 so orientiert, dass die Kanäle 330 der Feldeffekt- transistoren 300 parallel zu den Spalten 720 ausgerichtet sind. Im in Figur 3 gezeigten Beispiel weist die Matrixanord- nung 700 sechzehn Pixel 600 auf, die in vier Zeilen 710 und vier Spalten 720 angeordnet sind. Eine andere Anzahl von Zei- len 710 und Spalten 720 ist jedoch möglich. Alle Pixel 600 des optoelektronischen Bauelements 10 sind ge- meinsam monolithisch integriert. Das bedeutet, dass die Feld- effekttransistoren 300 aller Pixel 600 gemeinsam in dem ers- ten Teilchip 100 des optoelektronischen Bauelements 10 ausge- bildet sind. Die Leuchtdioden 400 aller Pixel 600 sind ge- meinsam in dem zweiten Teilchip 200 ausgebildet. Der zweite Teilchip 200 ist an der Oberseite 101 des ersten Teilchips 100 angeordnet, so dass der erste Teilchip 100 und der zweite Teilchip 200 einen Monolithen bilden. 2022PF00143 - 15 – Figur 4 zeigt eine erste schematische Schnittansicht des optoelektronischen Bauelements 10 der Figur 3. Der Schnitt verläuft dabei durch eine erste Spalte 720, 721 der Matrixan- ordnung 700. Figur 5 zeigt in schematischer Darstellung eine zweite Schnittansicht des optoelektronischen Bauelements 10 der Figur 3. Der Schnitt verläuft dabei durch die Quellen 310 der Feldeffekttransistoren 300 der Pixel 600 einer ersten Zeile 710, 711 der Matrixanordnung 700. Figur 6 zeigt in schematischer Darstellung eine dritte Schnittansicht des optoelektronischen Bauelements 10 der Figur 3. Dabei verläuft der Schnitt durch die Senken 320 der Feldeffekttransistoren 300 der Pixel 600 der ersten Zeile 710, 711 der Matrixanord- nung 700. Figur 4 zeigt, dass die Anoden 410 der Leuchtdioden 400 aller in einer gemeinsamen Spalte 720 angeordneten Pixel 600 elektrisch kurzgeschlossen sind. Die Anoden 410 der Leuchtdi- oden 400 in unterschiedlichen Spalten 720 angeordneter Pixel 600 sind dagegen durch isolierende Bereiche 220 elektrisch gegeneinander isoliert, wie in Figuren 5 und 6 erkennbar ist. Die Kathoden 420 der Leuchtdioden 400 der unterschiedlichen Pixel 600 sind sowohl zeilenweise als auch spaltenweise durch isolierende Bereiche 220 elektrisch gegeneinander isoliert. In Figur 5 ist erkennbar, dass die Quellen 310 der Feldef- fekttransistoren 300 aller in einer gemeinsamen Zeile 710 an- geordneten Pixel 600 elektrisch kurzgeschlossen sind. Die Senken 320 der Feldeffekttransistoren 300 der in einer ge- meinsamen Zeile 710 der Matrixanordnung 700 angeordneten Pi- xel 600 sind dagegen elektrisch gegeneinander isoliert, wie in Figur 6 erkennbar ist. Bei in unterschiedlichen Spalten 720 der Matrixanordnung 700 angeordneten Pixeln 600 sind so- wohl die Quellen 310 als auch die Senken 320 gegeneinander isoliert. Bei der in Figur 3 gezeigten Variante des optoelektronischen Bauelements 10 sind der erste Durchkontakt 110 des ersten Teilchips 100 und der Durchkontakt 210 des zweiten Teilchips 2022PF00143 - 16 – 200 bei jedem Pixel 600 vorhanden und stellen bei jedem Pixel 600 eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der Kathode 420 der Leuchtdiode 400 und der Senke 320 des Feldeffekttran- sistors 300 her. Der zweite Durchkontakt 120 des ersten Teil- chips 100 ist dagegen nur einmal pro Spalte 720 der Matrixan- ordnung 700 vorhanden, sodass an der Unterseite 102 des ers- ten Teilchips 100 nur ein Versorgungskontakt 510 pro Spalte 720 der Matrixanordnung 700 vorgesehen ist und eine elektrisch leitende Verbindung mit den spaltenweise kurzge- schlossenen Anoden 410 der Leuchtdioden 400 bereitstellt. Dies ist in Figuren 3 und 4 erkennbar. Ferner ist bei der in Figur 3 gezeigten Variante des optoelektronischen Bauelements 10 an der Unterseite 102 des ersten Teilchips 100 nur ein Be- zugskontakt 520 pro Zeile 710 der Matrixanordnung 700 vorhan- den, der jeweils eine elektrisch leitende Verbindung zu den zeilenweise kurzgeschlossenen Quellen 310 der Feldeffekttran- sistoren 300 der Pixel 600 der jeweiligen Zeile 710 bereit- stellt. Dies in Figuren 3 und 5 erkennbar. Die Versorgungs- kontakte 510 und die Bezugskontakte 520 können beispielsweise an zwei Außenseiten der Matrixanordnung 700 an der Unterseite 102 des ersten Teilchips 100 zugänglich und elektrisch kon- taktierbar sein, wie dies in Figur 3 dargestellt ist. Figur 7 zeigt einen Teil eines Ersatzschaltbilds der in Figur 3 gezeigten Variante des optoelektronischen Bauelements 10. Dargestellt sind lediglich die erste Zeile 710, 711 und eine zweite Zeile 710, 712 sowie die erste Spalte 720, 721 und ei- ne zweite Spalte 720, 722 der Matrixanordnung 700. Im Betrieb der in Figur 3 gezeigten Variante des optoelektro- nischen Bauelements 10 wird zunächst bei jedem Pixel 600 eine festgelegte elektrische Ladung auf die isolierte Steuerelekt- rode 350 des jeweiligen Feldeffekttransistors 300 aufge- bracht, um eine gewünschte Helligkeit des von der zugehörigen Leuchtdiode 400 emittierten Lichts einzustellen. Anschließend werden die Leuchtdioden 400 aller Pixel 600 bestromt, indem die Versorgungsspannung zwischen den Versorgungskontakten 510 und den Bezugskontakten 520 des optoelektronischen Bauele- 2022PF00143 - 17 – ments 10 angelegt wird. Die Versorgungskontakte 510 der ver- schiedenen Spalten 720 und die Bezugskontakte 520 der ver- schiedenen Zeilen 710 können dabei jeweils auf ein gemeinsa- mes Potential gelegt werden. Die auf die isolierte Steuerelektrode 350 des Feldeffekttran- sistors 300 eines Pixels 600 aufgebrachte elektrische Ladung bleibt solange unverändert, wie sich die gewünschte Hellig- keit der von der zugehörigen Leuchtdiode 400 des Pixels 600 emittierten elektromagnetischen Strahlung nicht ändert. Nur wenn sich die gewünschte Helligkeit bei einem Pixel 600 än- dert, wird die auf die isolierte Steuerelektrode 350 des je- weiligen Feldeffekttransistors 300 aufgebrachte elektrische Ladung geändert. Dies hat den Vorteil, dass beispielsweise bei einer Darstellung von Bewegtbildern zwischen der Darstel- lung zweier zeitlich aufeinanderfolgender Bilder nur bei ei- nem Teil der Pixel 600 die auf die isolierte Steuerelektrode 350 aufgebrachte elektrische Ladung geändert werden muss. Das Aufbringen elektrischer Ladung auf die isolierte Steuer- elektrode 350 und das Entfernen zumindest eines Teils der auf der isolierten Steuerelektrode 350 befindlichen elektrischen Ladung kann erfolgen wie vorstehend anhand der Figur 1 erläu- tert. Zum Aufbringen einer elektrischen Ladung auf die iso- lierte Steuerelektrode 350 eines Pixels 600 kann eine positi- ve elektrische Spannung zwischen der Kontrollelektrode 360 des jeweiligen Pixels 600 und der Quelle 310 des Feldeffekt- transistors 300 dieses Pixels 600 angelegt werden, also zwi- schen der Kontrollelektrode 360 und dem mit der Quelle 310 verbundenen Bezugskontakt 520 der zugehörigen Zeile 710 der Matrixanordnung 700. Zum Entfernen zumindest eines Teils der auf der isolierten Steuerelektrode 350 eines Pixels 600 be- findlichen elektrischen Ladung kann eine positive elektrische Spannung zwischen der Quelle 310 des Feldeffekttransistors 300 dieses Pixels 600 und der Kontrollelektrode 360 des Feld- effekttransistors 300 angelegt werden, also zwischen dem mit der Quelle 310 verbundenen Bezugskontakt 520 der jeweiligen Zeile 710 der Matrixanordnung 700 und der Kontrollelektrode 2022PF00143 - 18 – 360. Der Versorgungskontakt 510 der zugehörigen Spalte 720 der Matrixanordnung 700 kann in beiden Fällen auf dasselbe Potential wie der Bezugskontakt 520 der jeweiligen Zeile 710 gelegt werden. In einer in den Figuren nicht dargestellten Variante des optoelektronischen Bauelements 10 sind die Anoden 410 der Leuchtdioden 400 der verschiedenen Pixel 600 nicht nur spal- tenweise kurzgeschlossen. Stattdessen sind die Anoden 410 al- ler Pixel 600 der Matrixanordnung 700 elektrisch leitend mit- einander verbunden. Bei dieser Variante kann es ausreichen, den zweiten Durchkontakt 120 lediglich einmal für das gesamte optoelektronische Bauelement 10 vorzusehen. Es kann jedoch zweckmäßig sein, trotzdem jeweils einen zweiten Durchkontakt 120 pro Spalte 720 der Matrixanordnung 700 auszubilden. Figur 8 zeigt eine schematische Schnittdarstellung einer wei- teren Variante des optoelektronischen Bauelements 10. Der Schnitt verläuft dabei wie in der Darstellung der Figur 4 durch die Pixel 600 der ersten Spalte 720, 721 der Matrixan- ordnung 700. Die in Figur 8 gezeigte Variante des optoelektronischen Bau- elements 10 unterscheidet sich von der anhand der Figuren 3 bis 7 erläuterten Variante des optoelektronischen Bauelements 10 dadurch, dass bei jedem Pixel 600 die Senke 320 des Feld- effekttransistors 300 an der Unterseite 102 des ersten Teil- chips 100 elektrisch kontaktierbar ist. Im Übrigen gilt die vorstehende Beschreibung der Variante der Figuren 3 bis 7 auch für die Variante der Figur 8. Bei der in Figur 8 gezeigten Variante des optoelektronischen Bauelements 10 kann zum Aufbringen einer elektrischen Ladung auf die isolierte Steuerelektrode 350 eines Pixels 600 das vorstehend anhand der Figur 3 beschriebene Verfahren genutzt werden. Alternativ kann bei der in Figur 8 gezeigten Variante ein Channel-hot-electron-Verfahren genutzt werden, bei dem zum Aufbringen einer elektrischen Ladung auf die isolierte 2022PF00143 - 19 – Steuerelektrode 350 eines Pixels 600 eine positive elektri- sche Spannung zwischen der Senke 320 des Feldeffekttransis- tors 300 des Pixels 600 und der Quelle 310 des Feldeffekt- transistors 300 des Pixels 600 und zusätzlich eine positive elektrische Spannung zwischen der Kontrollelektrode 360 und der Senke 320 des Feldeffekttransistors 300 des Pixels 600 angelegt wird. Die Quelle 310 des Feldeffekttransistors 300 wird dabei wieder über den Bezugskontakt 520 der jeweiligen Zeile 710 der Matrixanordnung 700 kontaktiert. Beispielsweise kann zwischen der Senke 320 und der Quelle 310 des Feldef- fekttransistors 300 eine Spannung von 5 V und zwischen der Kontrollelektrode 360 und der Senke 320 eine Spannung von ebenfalls 5 V angelegt werden, sodass sich zwischen der Kon- trollelektrode 360 und der Quelle 310 eine Spannung von 10 V ergibt. Dieses Verfahren zum Aufbringen einer elektrischen Ladung auf die isolierte Steuerelektrode 350 kann schneller sein als das vorstehend anhand der Figur 3 beschriebene Ver- fahren, kann jedoch mit einer erhöhten Energieaufnahme ein- hergehen. Figur 9 zeigt in schematischer Darstellung eine teilweise transparente Ansicht der Unterseite 102 des ersten Teilchips 100 einer weiteren Variante des optoelektronischen Bauele- ments 10. Die in Figur 9 gezeigte Variante des optoelektroni- schen Bauelements 10 unterscheidet sich von der anhand der Figur 3 beschriebenen Variante des optoelektronischen Bauele- ments 10 durch eine geänderte interne Verschaltung, sodass sich bei der in Figur 9 gezeigten Variante des optoelektroni- schen Bauelements 10 bei jedem Pixel 600 das in Figur 10 dar- gestellte Ersatzschaltbild ergibt. Figur 11 zeigt einen Schnitt durch die erste Spalte 720, 721 der Matrixanordnung 700 der in Figur 9 gezeigten Variante des optoelektronischen Bauelements 10. Nachfolgend wird erläutert, wodurch sich die in Figuren 9 bis 11 dargestellte Variante des optoelektronischen Bauelements 10 von der anhand der Figuren 3 bis 7 beschriebenen Variante des optoelektronischen Bauelements 10 unterscheidet. Im Übri- 2022PF00143 - 20 – gen gilt die vorstehende Beschreibung der Variante der Figu- ren 3 bis 7 auch für die Variante der Figuren 9 bis 11. Bei der in Figur 9 gezeigten Variante des optoelektronischen Bauelements 10 sind die Kathoden 420 der Leuchtdioden 400 der Pixel 600 einer gemeinsamen Spalte 720 der Matrixanordnung 700 jeweils elektrisch kurzgeschlossen. Die Anoden 410 der Leuchtdioden 400 der Pixel 600 einer gemeinsamen Spalte 720 sind dagegen durch isolierende Bereiche 220 elektrisch gegen- einander isoliert. Die Anoden 410 der Leuchtdioden 400 sind auch zeilenweise elektrisch gegeneinander isoliert. Die Ka- thoden 420 der Pixel 600 einer gemeinsamen Zeile 710 der Mat- rixanordnung 700 können gegeneinander isoliert oder elektrisch leitend miteinander verbunden sein. Bei jedem Pixel 600 ist über den in dem ersten Teilchip 100 ausgebildeten ersten Durchkontakt 110 eine elektrisch leiten- de Verbindung zwischen der Senke 320 des Feldeffekttransis- tors 300 und der Anode 410 der Leuchtdiode 400 hergestellt. Der lediglich einmal pro Spalte 720 der Matrixanordnung 700 vorhandene zweite Durchkontakt 120 des ersten Teilchips 100 ist an der Unterseite 102 des ersten Teilchips 100 als Be- zugskontakt 520 zugänglich und elektrisch kontaktierbar. Der zweite Teilchip 200 weist anstelle der Durchkontakte 210 le- diglich einmal pro Spalte 720 der Matrixanordnung 700 vorhan- dene Durchkontakte 215 auf, die elektrisch leitende Verbin- dungen zwischen den spaltenweise kurzgeschlossenen Kathoden 420 der Leuchtdioden 400 und der Unterseite 202 des zweiten Teilchips 200 bereitstellen. Die einmal pro Spalte 720 der Matrixanordnung 700 vorhandenen Durchkontakte 215 des zweiten Teilchips 200 sind über das den ersten Teilchip 100 und den zweiten Teilchip 200 verbindende Lot 150 elektrisch leitend mit den einmal pro Spalte 720 der Matrixanordnung 700 vorhan- denen zweiten Durchkontakten 120 des ersten Teilchips 100 verbunden, sodass jeweils eine elektrisch leitende Verbindung zwischen den Kathoden 420 der Leuchtdioden 400 der Pixel 600 der jeweiligen Spalte 720 und dem Bezugskontakt 520 der je- weiligen Spalte 720 hergestellt ist. 2022PF00143 - 21 – Die zeilenweise kurzgeschlossen Quellen 310 der Feldeffekt- transistoren 300 der Pixel 600 sind an der Unterseite 102 des ersten Teilchips 100 zugänglich und als Versorgungskontakte 510 elektrisch kontaktierbar. Damit sind auch bei der in Figuren 9 bis 11 gezeigten Varian- te des optoelektronischen Bauelements 10 bei jedem Pixel 600 der Matrixanordnung 700 die Leuchtdiode 400 und der Kanal 330 des Feldeffekttransistors 300 elektrisch in Reihe geschaltet. Auch bei dieser Variante des optoelektronischen Bauelements 10 kann bei jedem Pixel 600 eine Versorgungsspannung zwischen dem Versorgungskontakt 510 und dem Bezugskontakt 520 angelegt werden. Der Versorgungskontakt 510 ist dabei allerdings mit der Quelle 310 des jeweiligen Feldeffekttransistors 300 ver- bunden, während der Bezugskontakt 520 mit der Kathode 420 der jeweiligen Leuchtdiode 400 verbunden ist. Der Betrieb der in Figuren 9 bis 11 gezeigten Variante des optoelektronischen Bauelements 10 erfolgt analog zu dem Be- trieb der in Figur 3 gezeigten Variante. Das Aufbringen einer elektrischen Ladung auf die isolierte Steuerelektrode 350 des Feldeffekttransistors 300 eines Pixels 600 erfolgt durch An- legen einer positiven elektrischen Spannung zwischen der Kon- trollelektrode 360 und der Quelle 310 des Feldeffekttransis- tors 300. Das Entfernen zumindest eines Teils der auf der isolierten Steuerelektrode 350 des Feldeffekttransistors 300 eines Pixels 600 befindlichen elektrischen Ladung erfolgt durch Anlegen einer positiven elektrischen Spannung zwischen der Quelle 310 des Feldeffekttransistors 300 und der Kontrol- lelektrode 360 des Feldeffekttransistors 300. Figur 12 zeigt in schematischer geschnittener Seitenansicht ein erstes Pixel 600, 601 und ein zweites Pixel 600, 602 der Matrixanordnung 700 einer Variante des optoelektronischen Bauelements 10. Die beiden Pixel 600 können an beliebigen Po- sitionen der Matrixanordnung 700 angeordnet sein. Im in Figur 12 gezeigten Beispiel sind die Pixel 600 wie bei der in Figur 2022PF00143 - 22 – 3 gezeigten Variante des optoelektronischen Bauelements 10 ausgebildet. Die Pixel 600 könnten aber auch wie bei der in Figur 9 gezeigten Variante des optoelektronischen Bauelements 10 oder wie bei einer anderen beschriebenen Variante des optoelektronischen Bauelements 10 ausgebildet sein. Die isolierte Steuerelektrode 350 des ersten Pixels 600, 601 und die isolierte Steuerelektrode 350 des zweiten Pixels 600, 602 weisen jeweils eine laterale Ausdehnung 351 auf. Dabei ist die laterale Ausdehnung 351 der isolierten Steuerelektro- de 350 des ersten Pixels 600, 601 geringer als die laterale Ausdehnung 351 der isolierten Steuerelektrode 350 des zweiten Pixels 600, 602. Eine laterale Ausdehnung der Kontrollelekt- rode 360 entspricht bei beiden Pixeln 600 der der zugehörigen isolierten Steuerelektrode 350. Die unterschiedlichen lateralen Ausdehnungen 351 der isolier- ten Steuerelektroden 350 der unterschiedlichen Pixel 600 kön- nen dazu dienen, unterschiedliche elektrooptische Eigenschaf- ten der Leuchtdioden 400 der unterschiedlichen Pixel 600 aus- zugleichen. Die unterschiedlichen elektrooptischen Eigen- schaften können beispielsweise unterschiedliche Helligkeiten der Leuchtdioden 400 der unterschiedlichen Pixel 600 sein. Um dies zu erreichen, kann bei der Herstellung des optoelektro- nischen Bauelements 10 zunächst in einem ersten Verfahrens- schritt bei jedem Pixel 600 die fragliche elektrooptische Ei- genschaft der jeweiligen Leuchtdiode 400 erfasst werden. In einem zweiten Schritt wird dann die laterale Ausdehnung 351 der isolierten Steuerelektrode 350 des jeweiligen Feldeffekt- transistors 300 in Abhängigkeit von der erfassten elektroop- tischen Eigenschaft angepasst. Damit kann es erreicht werden, dass im nachfolgenden Betrieb des optoelektronischen Bauele- ments 10 eine auf gleiche Weise erfolgte Ladung der isolier- ten Steuerelektrode 350 bei jedem Pixel 600 zu einem gleichen oder zumindest annähernd gleichen Verhalten der Leuchtdiode 400 des jeweiligen Pixels 600 führt, beispielsweise zu einer gleichen oder ähnlichen Helligkeit der von der jeweiligen Leuchtdiode 400 emittierten elektromagnetischen Strahlung. 2022PF00143 - 23 – Figur 13 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines ersten Pixels 600, 601 und eines zweiten Pixels 600, 602 einer weiteren Variante des optoelektronischen Bauele- ments 10. Die Pixel 600 können wieder an beliebigen Positio- nen der Matrixanordnung 700 des optoelektronischen Bauele- ments 10 angeordnet sein. Im in Figur 13 gezeigten Beispiel sind die Pixel 600 wie bei der in Figur 3 gezeigten Variante des optoelektronischen Bauelements 10 ausgebildet. Die Pixel 600 könnten jedoch auch wie bei einer der übrigen beschriebe- nen Varianten des optoelektronischen Bauelements 10 ausgebil- det sein. Bei der in Figur 13 gezeigten Variante des optoelektronischen Bauelements 10 weist jedes Pixel 600 zusätzlich zu der Kon- trollelektrode 360 und der isolierten Steuerelektrode 350 ei- ne weitere Kontrollelektrode 365 und eine weitere isolierte Steuerelektrode 355 auf. Die weitere isolierte Steuerelektro- de 355 und die weitere Kontrollelektrode 365 sind in latera- ler Richtung neben der isolierten Steuerelektrode 350 und der Kontrollelektrode 360 angeordnet. Die isolierte Steuerelekt- rode 350 weist jeweils die laterale Ausdehnung 351 auf. Die weitere isolierte Steuerelektrode 355 weist jeweils eine wei- tere laterale Ausdehnung 356 auf. Die laterale Ausdehnung 351 und die weitere laterale Ausdehnung 356 können bei jedem Pi- xel 600 gleich oder unterschiedlich sein. Zusätzlich können sich die lateralen Ausdehnungen 351 oder die weiteren latera- len Ausdehnungen 356 unterschiedlicher Pixel 600 voneinander unterscheiden. Bei der in Figur 13 gezeigten Variante des optoelektronischen Bauelements 10 kann die weitere isolierte Steuerelektrode 355 bei jedem Pixel 600 dazu vorgesehen sein, eine bauteilindivi- duelle Abweichung einer elektrooptischen Eigenschaft der Leuchtdiode 400 des jeweiligen Pixels 600 zu kompensieren, beispielsweise eine bauteilindividuelle Helligkeit der Leuchtdiode 400 des Pixels 600. Hierzu kann die weitere iso- lierte Steuerelektrode 355 bei jedem Pixel 600 dauerhaft mit 2022PF00143 - 24 – einer elektrischen Ladung beaufschlagt werden, die zur Folge hat, dass eine gleiche Aufladung der isolierten Steuerelekt- rode 350 anschließend bei allen Pixeln 600 der Matrixanord- nung 700 zu einem gleichen oder annähernd gleichen Verhalten der jeweiligen Leuchtdiode 400 führt, beispielsweise zu einer gleichen oder ähnlichen Helligkeit der emittierten elektro- magnetischen Strahlung. Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbei- spiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Er- findung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Andere Variationen können vom Fachmann abgeleitet werden.

2022PF00143 - 25 – BEZUGSZEICHENLISTE 10 optoelektronisches Bauelement 100 erster Teilchip 101 Oberseite 102 Unterseite 110 erster Durchkontakt 120 zweiter Durchkontakt 130 isolierender Bereich 150 Lot 200 zweiter Teilchip 201 Oberseite 202 Unterseite 210 Durchkontakt 215 Durchkontakt 220 isolierender Bereich 300 Feldeffekttransistor 310 Quelle 320 Senke 330 Kanal 340 Substrat 350 isolierte Steuerelektrode 351 laterale Ausdehnung 355 weitere isolierte Steuerelektrode 356 weitere laterale Ausdehnung 360 Kontrollelektrode 365 weitere Kontrollelektrode 400 Leuchtdiode 410 Anode 420 Kathode 510 Versorgungskontakt 520 Bezugskontakt 2022PF00143 - 26 – 530 Senkenkontakt 600 Pixel 601 erstes Pixel 602 zweites Pixel 700 Matrixanordnung 710 Zeile 711 erste Zeile 712 zweite Zeile 720 Spalte 721 erste Spalte 722 zweite Spalte