Title:
ウェハ処理システム用の高コンダクタンス真空バルブ
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2023535291
Kind Code:
A
Abstract:
【解決手段】半導体処理チャンバは、チャンバをポンプで排気して高真空状態とし、真空を調整すること（例えば、プロセスガスの導入中、ガスのチャンバへの浸透時、反応によるガスの放出時、ウェハのオフガス時など）の少なくとも１つを含む様々なウェハ処理動作を行う。真空バルブは、真空ポンプシステムと半導体処理チャンバの少なくとも一部との間に流体接続されてもよい。真空バルブは、比較的高いガス流量及び／又は低い圧力降下を可能にする高コンダクタンス多段式ポペットバルブであってもよい。開いた状態において、ポペットバルブの多段設計は、同等の単段式ポペットバルブが達成し得るよりも、全体として、より大きな断面開口部を有してもよく、それによってコンダクタンスを増加させる。【選択図】図２
Inventors:
Pioux Gabriel
Rone Allan
Rone Allan
Application Number:
JP2022581338A
Publication Date:
August 17, 2023
Filing Date:
July 23, 2021
Export Citation:
Assignee:
LAM RESEARCH CORPORATION
International Classes:
H01L21/3065; C23C14/54; C23C16/44; F16K51/02; G05D16/20; H01L21/31
Attorney, Agent or Firm:
Patent Attorney Corporation Meisei International Patent Office